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本實(shí)用新型涉及電子器件技術(shù)，具體涉及一種基于 ADF4351 的高性能時(shí)鐘源，包括溫補(bǔ)晶振模塊、 鎖相環(huán)模塊、射頻程控衰減模塊、模擬開關(guān)模塊、濾波模塊、FPGA 模塊和顯示屏模塊；溫補(bǔ)晶振模塊 與鎖相環(huán)模塊相連，鎖相環(huán)模塊依次連接射頻程控衰減模塊、模擬開關(guān)模塊和濾波模塊，F(xiàn)PGA 模塊分 別與鎖相環(huán)模塊，射頻程控衰減模塊，模擬開關(guān)模塊，顯示屏模塊連接。該高性能時(shí)鐘源提高了時(shí)鐘源 輸出信號(hào)的信噪比，輸出信號(hào)頻帶寬度，最高輸出頻率，減小了系統(tǒng)的復(fù)雜

常見的光學(xué)窗口材料一般是絕緣體，其電磁屏蔽能力往往比較差。為了提高光學(xué)窗口的電磁屏蔽性能，本成果通過(guò)設(shè)計(jì)、制備特殊薄膜結(jié)構(gòu)，在保證其高光學(xué)透過(guò)率的前提下，實(shí)現(xiàn)電磁屏蔽性能的巨大提升。該類型窗口元件透過(guò)率大于90%@可見及近紅外區(qū)，明視覺反射率分別為：8度0.24%，15度0.21%，30度0.27%；方塊電阻低于10ohm/sq，電磁屏蔽能力優(yōu)于24dB@100MHz-18GHz，經(jīng)用戶確認(rèn)，性能指標(biāo)處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

鈰鋯固溶體（CeO2-ZrO2）是汽油車尾氣催化劑的核心催化材料，為使催化劑快速起燃，目前催化劑被越來(lái)越多地安裝在緊靠發(fā)動(dòng)機(jī)排氣口（密耦或歧管）位置，這就使催化劑床層溫度可達(dá)1000 oC以上，這對(duì)催化材料的BET比表面積等耐高溫性能提出了更高的要求。 本項(xiàng)目開發(fā)了具備高溫穩(wěn)定性的高性能鈰鋯儲(chǔ)氧材料及其制備工藝。該工藝易于放大，非常適合于儲(chǔ)氧材料的工業(yè)化生產(chǎn)。我們采用分步的沉積-沉淀法

直徑為幾個(gè)微米到幾十納米的微納光纖具有大的消逝場(chǎng)，高的非線性，低的損耗，易于操作，成本低廉等一系列特點(diǎn)。利用微納光纖可以制備成具有多種功能的尺寸在1mm以內(nèi)的微小器件，并且具有與普通光纖一樣的輸入輸出端，插入損耗極低。本項(xiàng)目有兩種代表性的器件：1.微型流/氣體傳感器，體積小，所需被檢測(cè)物的量也極小，十分適合用于檢測(cè)有毒有害氣體液體，另外該種傳感器也可以用于檢測(cè)振動(dòng)等；2.全光纖的微型分布反饋式激光器，器件成本極其低，效率高，體積小于100umX1mm

生物醫(yī)藥的發(fā)展遇到計(jì)算性能達(dá)不到規(guī)模要求的瓶頸，該項(xiàng)目選擇以生物醫(yī)藥學(xué)相關(guān)算法的高性能并行計(jì)算為目標(biāo)，利用高性能并行計(jì)算系統(tǒng)，對(duì)生物醫(yī)藥進(jìn)行了深入的研究。利用現(xiàn)代生物及化學(xué)信息學(xué)手段開展了抗病毒藥物的設(shè)計(jì)工作，其中包括SARS，HIV以及廣譜藥物的研究。擁有自主開發(fā)的于模代數(shù)理論的快速大規(guī)模多重比對(duì)算法SMA。在計(jì)算機(jī)藥物設(shè)計(jì)方面，開發(fā)了DDS—SIM模塊中具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的算法，并擁有一套小分子和已有藥物化合物的結(jié)構(gòu)和生物特性的化學(xué)數(shù)據(jù)庫(kù)。 創(chuàng)新點(diǎn)： 1．利用高性能并

“基于國(guó)密標(biāo)準(zhǔn)的高性能IPSec VPN 服務(wù)器”依據(jù)國(guó)家密碼管理局制定的《IPSec VPN 技術(shù)規(guī)范》，在網(wǎng)關(guān)之間進(jìn)行IKE協(xié)商，從而建立起使用國(guó)密密碼套件保護(hù)的VPN安全通道。 用網(wǎng)絡(luò)帶寬，構(gòu)建高速傳輸?shù)腣PN安全網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。 達(dá)到的技術(shù)指標(biāo)： 1.支持國(guó)家密碼標(biāo)準(zhǔn)的加密算法SM1、SM2、SM3和SM4；2.千兆網(wǎng)絡(luò)環(huán)境下最高加密傳輸速率可達(dá)450Mbps；

利用輻射技術(shù)研制電池的離子交換隔膜，最早從日本原子能研究所開始，出發(fā)點(diǎn)是代替Nafion的工藝，制備性價(jià)比更高的膜材料。電離輻射技術(shù)，特別是基于電子加速器的電子束輻射加工技術(shù)，不使用催化劑/引發(fā)劑，室溫操作，高效快速, 適合大量生產(chǎn)。目前輻射加工技術(shù)已廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)材料的生產(chǎn)，如電線、電纜、輪胎、發(fā)泡材料、熱收縮材料等行業(yè)。本項(xiàng)目是在早期輻射接枝技術(shù)制備離子交換膜的基礎(chǔ)上，在工藝體系中使用功能化離子液體代替含有陰陽(yáng)離子一般離子交換功能基團(tuán)，成功制備出具有更高耐熱、化學(xué)穩(wěn)定性、良好導(dǎo)電性、極為優(yōu)異抗釩離子滲漏的兩性離子交換膜（HUST-IL膜），并且在釩液流電池中的實(shí)際電池測(cè)試實(shí)驗(yàn)中電池效率優(yōu)于Nafion系列膜。需要特別指出的是，本項(xiàng)目在制備工藝方面取得了重要突破，不需要一般陽(yáng)離子交換膜中的磺化工藝，非常環(huán)保，并且在工藝上成功發(fā)展出替代傳統(tǒng)固液接枝反應(yīng)的工藝體系，避免了接枝反應(yīng)的復(fù)雜工藝和質(zhì)量控制問(wèn)題；本項(xiàng)目的工藝技術(shù)，使電池隔膜的輻射制備工藝從傳統(tǒng)的輻射接枝轉(zhuǎn)變?yōu)檩椛浣宦?lián)工藝，通過(guò)鋪膜和固體膜輻照即可完成制備，與現(xiàn)有電線電纜片材的輻射交聯(lián)工藝通用，工藝簡(jiǎn)單，極易量產(chǎn)和推廣。 【技術(shù)優(yōu)勢(shì)】 (1) 本項(xiàng)目所得到的HUST-IL隔膜產(chǎn)品，其釩離子滲透率比Nafion膜（Nafion115，117）降低約1200倍，導(dǎo)電率提高3倍以上，電池效率實(shí)現(xiàn)了對(duì)Nafion膜的超越； (2) 在制備工藝方面的重要突破：不需要一般陽(yáng)離子交換膜中的磺化工藝，非常環(huán)保，并且在工藝上成功發(fā)展出替代傳統(tǒng)固液接枝反應(yīng)的工藝體系，避免了接枝反應(yīng)的復(fù)雜工藝和質(zhì)量控制問(wèn)題； (3) 本項(xiàng)目電池隔膜的輻射制備工藝從傳統(tǒng)的輻射接枝轉(zhuǎn)變?yōu)檩椛浣宦?lián)工藝，通過(guò)鋪膜和固體膜輻照即可完成制備，與現(xiàn)有電線電纜片材的輻射交聯(lián)工藝通用，工藝簡(jiǎn)單，極易量產(chǎn)和推廣。 【技術(shù)指標(biāo)】 HUST-IL隔膜產(chǎn)品：釩離子滲透率比Nafion膜（Nafion115，117）降低約1200倍，導(dǎo)電率提高3倍以上，電池效率實(shí)現(xiàn)了對(duì)Nafion膜的超越。

光柵尺寸在國(guó)際上居于領(lǐng)先地位，最大達(dá)到了 1400mm， 遠(yuǎn)超對(duì)手的 940mm；研制了一系列國(guó)內(nèi)首臺(tái)(套)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的米量級(jí)光柵研制工藝關(guān)鍵設(shè)備；在國(guó)際上首創(chuàng)了曝光拼接方法，實(shí)現(xiàn)了利用小口徑曝光系統(tǒng)，制作出了遠(yuǎn) 大于曝光系統(tǒng)口徑的光柵；掌握了脈沖壓縮光柵設(shè)計(jì)、工 藝容差分析和工藝過(guò)程控制技術(shù)，通過(guò)對(duì)曝光監(jiān)測(cè)、顯影監(jiān)測(cè)和刻蝕監(jiān)測(cè)來(lái)保證光柵制作工藝的穩(wěn)定性，保證了光柵制作質(zhì)量；首次對(duì)大口徑高閾值光柵采用了綜合清洗技術(shù)處理，提高了光柵的衍射效率和抗激光損傷閾值。 

當(dāng)金屬材料內(nèi)部的晶粒尺寸減小至納米尺度，材料的強(qiáng)度將依Hall-Petch關(guān)系大幅度提高。但當(dāng)納米晶金屬塑性變形時(shí),位錯(cuò)變得極難在如此小的晶粒內(nèi)部保留下來(lái)，導(dǎo)致材料喪失應(yīng)變硬化能力，很容易發(fā)生塑性變形局域化而失穩(wěn)。

根據(jù)強(qiáng)化手段的不同，高強(qiáng)化銅合金可分為兩類: 沉淀強(qiáng)化銅合金和彌散強(qiáng)化銅合金。沉淀強(qiáng)化銅合金是利用過(guò)飽和固溶體的脫溶沉淀，通過(guò)時(shí)效熱處理，達(dá)到強(qiáng)化效果。但沉淀析出相在高溫下會(huì)聚集長(zhǎng)大或重新固溶于基體中，隨著強(qiáng)化相的消失，沉淀強(qiáng)化作用也隨之消失，從而限制了這類銅合金的使用溫度和應(yīng)用范圍。目前被大量使用的鉻鋯銅合金就屬于這一類，其表現(xiàn)為導(dǎo)電、導(dǎo)熱性損失較大，軟化溫度低(僅為500℃) 等。因此，鉻鋯銅合金在做點(diǎn)焊電極材料使用時(shí)經(jīng)常出現(xiàn)變形、粘附、使用壽命不長(zhǎng)及熔敷現(xiàn)象，頻繁的整修和更換電極嚴(yán)重影響了工作效率的提高。彌散強(qiáng)化銅合金則是通過(guò)在金屬基體中引入高度分散的熱穩(wěn)定性強(qiáng)的第二相質(zhì)點(diǎn)，阻礙位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)，以達(dá)到提高強(qiáng)度的目的。而Al2O3粒子硬度高，熱力學(xué)和化學(xué)穩(wěn)定性高，熔點(diǎn)高，在接近銅基體熔點(diǎn)的溫度下也不會(huì)明顯粗化，可以有效提高合金的高溫強(qiáng)度和硬度。因此，Al2O3彌散強(qiáng)化銅合金可以用在電阻焊電極、集成電路引線框架、微波管結(jié)構(gòu)導(dǎo)電材料、高速列車架空導(dǎo)線、熱核實(shí)驗(yàn)反應(yīng)堆、連鑄結(jié)晶器等方面。本研究開發(fā)的Al2O3彌散強(qiáng)化銅合金在保證傳統(tǒng)工藝內(nèi)氧化、還原徹底性和燒結(jié)致密性的前提下簡(jiǎn)化了工藝過(guò)程降低了生產(chǎn)成本。