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本發明提供了一種制備花狀銅納米簇?石墨烯?泡沫鎳復合材料的方法，主要包括以下工藝步驟：1.用化學氣相沉積法(CVD)在泡沫鎳基體上生長一層石墨烯，制備出石墨烯?泡沫鎳基體，2.將上述石墨烯?泡沫鎳基體材料直接浸入硫酸銅和L?精氨酸的混合溶液中，讓其反應3?6h即得到花狀銅納米簇?石墨烯?泡沫鎳復合材料。所制備的花狀銅納米簇由于其具有特殊的花形結構，大大增加了銅粒子的比表面積，使其在一些特殊領域，如氣體傳感，有廣闊的應用前景。

本發明公開了一種具有超高抗鹽性能的有機復合材料的制備工藝。包括以下步驟：通過計算模擬得出膜微觀形貌中凸點形態和凸點間距h。計算得出形成凸點顆粒的平均直徑D。將分散型聚四氟乙烯顆粒進行熱固化處理和解團聚處理，得處理顆粒a；根據凸點間的h，得出處理顆粒a和分散型PTFE顆粒的配置比例，按照比例混合攪拌后纖維化處理，得到處理顆粒b；將兩種顆粒分層放置，通過拉伸工藝形成非對稱性膜；將氟類單體、靜電傳導材料與醇類溶劑混合得到預制溶液；將預制溶液噴射在基材表面得到處理基材；將非對稱性膜熱壓覆合在基材上形成有機復合材料。此種膜材料適用于不同行業煙氣過濾體系，尤其適用于鹽析程度高的中低溫煙氣體系的凈化。

高速電氣化鐵路電力牽引用接觸線是通過與電力機車受電弓滑板滑動摩擦直接向電力機車輸送電流的導線，隨著電氣鐵路運行向高速發展，要求接觸線材料在具有良好導電性的同時，還應具有高的機械強度和高的抗軟化溫度。我國目前所使用的高速電氣化鐵路電力牽引用接觸線材料多為進口材料。 課題組在國家“863”項目的支持下于2002年開始研制和開發具有自主知識產權的高性能接觸線材料。經過三年的攻關，已經研制出滿足高速列車要求的析出強化型的高強度、高耐磨、高導電銅合金導線，并提供相應的適合工業化生產的制造和生產方法和工藝路線。所開發出的材料性能指標已達到抗拉強度σb＞580Mpa，延伸率＞5%，導電率＞78%IACS。同時具有良好的高耐磨性能，抗疲勞性能，抗高溫軟化性能，設計壽命為15年。目前已經申請國家發明專利四項。

通過滾壓振動磨制備納米鋅粉顆粒、氮化硼納米片，以碳膜為骨架制成鋅空電池的柔性薄膜電極;制備出四氧化三鈷納米花顆粒作為催化劑，設計開發了一維納米花顆粒/二維氮化硼納米片/碳納米管三維網狀結構復合的多維復合多孔空氣電極結構。

開發使用綠色的纖維素基材料和一些可降解的合成高分子，可以緩解“白色污染”與“能源危機”，這符合我國提出的節能減排、低碳經濟的可持續發展戰略，擁有良好的發展前景。江南大學綠色功能復合材料實驗室白繪宇副教授利用聚乙烯醇/纖維素體系環保廉價的優點，并對該體系進行簡單快捷的光敏改性，制備出了具有阻水性能的聚乙烯醇/微纖化纖維素包裝膜材料，和具有吸附性能，敏感性能以及膠粘性能的聚乙烯醇/納米晶纖維素水凝膠材料。這些發明賦予聚乙烯醇以及纖維素等材料新的功能性，拓寬了聚乙烯醇以及纖維素的運用領域。 

成果描述：本發明公開了一種提高噴膜主液穩定性的噴膜防水材料，按重量份包括以下組分：由主液和丙烯酸鹽組成,其重量組分為:主液+丙烯酸鈣液體+丙烯酸鋅固體,各組分的配比為:100份主液+5-20份30%丙烯酸鈣液體+0.8-2.0份丙烯酸鋅水溶液。本發明能夠有效解決噴膜主液自聚及團聚，以提高噴膜主液穩定性，確保噴膜施工的順利進行，穩定噴膜防水材料力學性能。市場前景分析：軌道交通基礎設施建設領域。與同類成果相比的優勢分析：技術先進，性價比較高。

碳納米管海綿材料具有輕質、柔性、抗腐蝕、耐高溫等特點。微觀上具有三維多孔結構，能夠承受大應變的反復壓縮而不坍塌，同時，碳納米管互相搭接形成高導電的三維網絡。這種綜合的優良力學和電學性能使得碳納米管海綿在功能復合材料、吸附過濾等領域具有廣闊的應用前景。近年來，隨著社會對清潔、可再生能源的日趨重視，各種能量轉換和存儲器件的研究如火如荼。

氫能源是高效的綠色能源，如何低廉高效的大規模生產是制約其應用的一個關鍵因素。近年來，電解水制氫受到學術界廣泛關注，尋找廉價高效的非鉑電催化劑成為時下研究熱點。本項目分別采用輻射法及水熱法制備了鉬硫化物/碳納米復合材料,其催化析氫性能優于商用Pt/C（20%Pt）催化劑，而且具有良好的催化穩定性,適合大規模制備。

廠拌熱再生技術強調原路面 RAP 的不均勻性進行改善和控制，通過對原路面材料特性的聚類分析，從源頭上降低 RAP 不均勻性，并據此動態調整銑刨、篩分和材料組成設計的策略，可將提高 RAP 摻量提高至 50%，節省材料成本 30%以上。此外，通過控制 RAP 預熱溫度、拌合工藝、再生劑用量等參數，提高 RAP 顆粒中舊礦料的遷移程度、促進新舊瀝青融合進程，減少再生混合料體系中的復雜、薄弱界面，從而使得再生路面的使用壽命較當前水平提高 30%以上。 

現階段所設計的存算一體器件單元結構如圖 1 所示： 器件的基本結構由波導和功能層（由下到上分為加熱層、電極層、保護層、相變材料（硫系化合物）層）所構成。擬通過在當前流行的絕緣層上硅(SOI)光子平臺上集成四氮化三硅光波導的方式實現器件的光學讀取功能，即在非常厚的硅襯底層上生長一層絕緣層二氧化硅和波導層，然后在基片上通過光刻、顯影、刻蝕等工藝制備四氮化三硅波導。功能層主要用于實現器件的電學寫入功能。加熱器層的主要用途是與相變材料層形成電接觸，通過較小的接觸面積使接觸處的熱量集中，從而可以在較小的電壓或電流下使相變材料發生相變。因此需要加熱器層具備較好的導熱和導電性能，同時在近 C 波段具有較低的光損耗，可采用石墨烯。電極層可用于提供相變材料器件單元所需要的編程電脈沖。當前擬采用硒摻雜的相變材料合金（如 GSST）作為器件的核心功能層的相變材料。該材料在通信/非通信波段顯示了極低的光損耗和更高的品質因數，且相變前后在通信 C 波段具有足夠大的光學常數反差，可在更惡劣的高溫環境下進行操作，適用于硅基光子器件應用。 采用的主要技術手段包括： ① 依托于相變材料的電致和光致相變特性，通過電學編程、光學讀取的方法實現器件的存儲、算術運算和邏輯運算功能：  存儲功能的實現：擬利用相變材料晶態低透過率和非晶態高透過率分別代表二進制中的‘1’和‘0’，實現數據存儲（編程）功能。例如在電極兩端施加合適的電脈沖，所產生電流流經加熱層時，生成的熱量主要集中在加熱層和相變材料層接觸處，使得接觸處的相變材料發生相變，實現存儲功能。在完成上述編程操作后，從器件波導輸入端輸入讀取連續光。由于相變材料功能層對光強的吸收能力在編程和非編程區域間存在著顯著的差異，因此當輸入光經過波導后，其能量會因為相變材料編程區域的吸收而發生改變，進而顯著改變輸出光強能量。所以通過測量輸入輸出光強的能量之比（即透過率），可實現對先前編程區域的讀取。  算術和邏輯功能的實現：通過調整編程電脈沖的幅度和寬度可以動態調控相變材料的相變程度，使得器件的中間透過率值可用于代表不同的數值，實現多級存儲功能。所以擬采用輸入脈沖數量對應加數的方法實現標量加法計算。同時由于所設計器件的讀取連續光輸出功率可視為讀取連續光輸入功率和器件透過率的乘積，因此可采用將輸入功率和透過率作為被乘數和乘數的方法實現基本乘法運算。除此之外還可以將器件功能層的初始狀態設置為非晶相，把晶化脈沖幅值和不足以產生晶化的脈沖幅值分別作為輸入邏輯‘1’和‘0’；同時設定一個判定閾值并與編程后器件透過率的變化率進行對比，把高于和低于閾值的透過率變化率分別作為輸出邏輯 ‘1’和‘0’；通過合理選擇編程脈沖有望實現各種邏輯功能輸出。 ② 基于器件透射率可調特性驗證其實現神經突觸的可行性。并依托所設計人工突觸構建人工神經網絡芯片，實現圖像、語音和文本識別功能：  突觸可塑性是大腦記憶和學習的神經生物學基礎，也是人工類腦器件需要實現的首要功能。為實現突觸可塑性，擬把相變材料和波導之間的耦合區域視為仿生神經突觸，左右兩端電極分別代表突觸前和突觸后，分別施加在兩端電極上的電脈沖則作為突觸前和突觸后刺激。通過調節從左右兩端電極輸入耦合區域的電脈沖時間差對耦合區域的光透過率進行連續調控，進而依托于上述存算理論模型和實物器件仿真和實驗實現仿生神經突觸的脈沖時序依賴可塑性（Spike-Timing-Dependent-Plasticity, STDP)。  將不同波長的光脈沖序列輸入所設計的突觸單元, 經過相變材料的作用，脈沖強度發生變化，對應于乘法器。進而借助于微環結構，將不同波長的脈沖導入進同一波導中，該功能類似加法器。相加后的脈沖光強較小時，讀取光與微環發生共振，在輸出端口沒有光強輸出。當光強達到一定的閾值后，讀取信號不再和微環發生共振，而是傳播到輸出端口。這一過程類似神經元脈沖信號的激發，實現了非線性激活函數的功能。利用上述的單個神經元結構，驗證其監督式機器學習和非監督式機器學習。對于監督式機器學習，權重的數值通過外部管理器設置；對于非監督式機器學習，不再需要外部管理器來設置權重值，而是通過輸出光脈沖進行反饋控制，調整權重值。在單個神經元結構的基礎上，更復雜的光學脈沖神經網絡結構，證明該結構的可擴展性。擬設計的神經網絡中的每一層結構包括三個功能單元，即收集器、分發器和神經突觸結構。收集器將上一層不同波長的光脈沖信號收集到同一根波導中，分發器將光脈沖分發給多個神經元，神經突觸結構則產生光脈沖信號，輸入給下一層結構。基于上述結構實現圖片、語音和文本的識別。 創新性分析：①首次研究了一款基于“電學編程、光學讀取”模式的光電混合存算一體化器件。與傳統電學存算一體化器件相比,擬研發的器件可以進行長距離的信息傳輸，具有傳輸帶寬高、信號間延遲低、損耗低、抗干擾、集成密度高等優點。②采用硒(Se)摻雜的相變材料作為存算一體化器件的核心功能材料。與采用其他相變材料的存算一體器件相比，以硒參雜的相變材料作為功能材料的存算一體器件有望展現出極低的光損耗。③提出了一種基于“電學脈沖刺激、光學權重調節”的人工神經突觸。該突觸器件有望成為未來通用型人工神經突觸，填補了光電混合型人工突觸的技術空白。 先進性分析：①所提出的光電混合工作模式使得該存算一體化器件不但具有傳統集成電路的高密度特性，且兼具光通信技術的寬頻帶、低延遲、抗干擾的優越性能。②所采用硒參雜的相變材料不但繼承了傳統材料具有的快速相變轉化速度、低功耗和穩定性強等特性，且本身在通信波段非晶態透明的同時還保持了相變前后足夠大的光學性能差異的特點。③所設計的突觸繼承了人工電子突觸和全光突觸的優點，具有高集成度、低功耗、超快響應時間、穩定性強等優點。 獨占性分析：根據已取得成果正在撰寫專利，以獲得該關鍵技術的獨有權。