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一種具備截料機構(gòu)的列管式生物質(zhì)氣化爐反應器
本發(fā)明屬于可再生清潔能源裝置領(lǐng)域，并公開了一種具備截料機構(gòu)的列管式生物質(zhì)氣化爐反應器，其從上到下依次包括上部匯料室、中部殼體和下部氣固分離室，其中中部殼體的內(nèi)部設(shè)置有多個在豎直方向上彼此平行的氣化列管，在各個氣化列管的內(nèi)部還分別配置用于對生物質(zhì)氣化反應過程中所產(chǎn)生的碳顆粒執(zhí)行攔截功能的截料機構(gòu)，該截料機構(gòu)包括豎直設(shè)置在氣化列管中的支撐桿、水平貫穿安裝在此支撐桿上且沿著豎直方向間隔分布的多個截料小孔板、使所有支撐桿予以固定的支架，以及與所述支架相連用于使得所述截料小孔板發(fā)生偏心運動的驅(qū)動單元。通過本發(fā)
華中科技大學
2021-04-14
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基于Ag NWs定向排布的高靈敏高透過率的柔性傳感器制備及研究
該研究利用水浴提拉法制備了雙層定向排列Ag NWs網(wǎng)絡。基于該網(wǎng)絡的柔性傳感器可以實現(xiàn)不同變形行為的在線監(jiān)測。基于該傳感器制備了實時手勢探測器，在計算機中對手勢進行重建，為虛擬與現(xiàn)實交互提供了可能性。該研究成果已經(jīng)在SCIENTIC REPORTS 上成功發(fā)表，并入選該期刊年度下載次數(shù)Top 100。
哈爾濱工業(yè)大學
2021-04-14
一種基于服役年齡和負荷水平的變壓器可靠性分析方法
本發(fā)明公開了一種基于服役年齡和負荷水平的變壓器可靠性分 析方法，包括如下步驟：(1)確定變壓器負荷等級；(2)確定變壓器在初 始狀態(tài)下的負荷值；(3)獲取變壓器的熱點溫度；(4)根據(jù)變壓器的熱點 溫度獲取變壓器的絕緣壽命； (5)獲取變壓器的故障概率累計分布函數(shù)； (6)獲取變壓器在初始狀態(tài)下的平均故障率指標以及故障狀態(tài)下的平均 故障率指標；(7)獲取連鎖故障啟動概率指標 Pic 和連鎖故障脆弱環(huán)節(jié) 指示量 Pvc；通過對 Pic 與 Pvc 率排序，識別出系統(tǒng)中處于臨界狀態(tài)的變壓器；本發(fā)明提供的可
華中科技大學
2021-04-14
一種旋轉(zhuǎn)補償器型橢偏儀的系統(tǒng)誤差評估及消除方法
本發(fā)明公開了一種旋轉(zhuǎn)補償器型橢偏儀系統(tǒng)誤差評估及消除方法該方法，包括首先建立待優(yōu)化橢偏儀的系統(tǒng)模型，并求的待測樣品穆勒矩陣解析表達式；然后通過對泰勒展開，獲得 n 階旋轉(zhuǎn)補償器型橢偏儀橢儀系統(tǒng)誤差與元件誤差之間的關(guān)系。最后改變旋轉(zhuǎn)補償器型橢偏儀起檢器與檢偏器方位角，經(jīng)過四次測量，并求得四次測量結(jié)果的均值，這個均值就是已消除了橢偏儀系統(tǒng)誤差的待測樣品的穆勒矩陣。本發(fā)明方法可以獲得旋轉(zhuǎn)補償器型橢偏儀由元件誤差導致的系統(tǒng)誤差的解析表達式，計算過程明確，系統(tǒng)誤差的消除方法操作簡單可行，可以適用于現(xiàn)有不同結(jié)構(gòu)
華中科技大學
2021-04-14
一種適用于中壓直流斷路器的電流轉(zhuǎn)移電路及方法
目前在中壓直流配電網(wǎng)領(lǐng)域研究的大容量直流開斷設(shè)備，需考慮體積、成本等問題。該成果適用于中壓直流配電網(wǎng)領(lǐng)域，特別是涉及一種適用于中壓直流斷路器的電流轉(zhuǎn)移電路及方法，基于混合式直流斷路器，提供一種適用于中壓場合的電流轉(zhuǎn)移電路及方法，通過配置輔助換流單元，對儲能電容器預先充以適量電壓，實現(xiàn)對故障電流的轉(zhuǎn)移，滿足中壓直流配電網(wǎng)對故障快速切除需求。
該成果提出一種中壓混合式直流斷路器電流轉(zhuǎn)移電路及方法，使故障電流轉(zhuǎn)移與關(guān)斷功能集成化，又能兼顧中壓直流配網(wǎng)對斷路器設(shè)備的體積、成本以及工作可靠性等要求，對擴大直流斷路器的應用范圍具有重要工程意義。
華北電力大學
2022-07-21
探銳科技：高靈敏度探測器技術(shù)研發(fā)與市場推廣領(lǐng)航者
光電探測器在量子科技、三維成像、激光雷達、生物醫(yī)學等方面有著廣泛應用，被譽為是無人駕駛、無人機、智能機器人等關(guān)鍵設(shè)備的眼睛。目前我國在針對極微弱光的探測器主要依賴進口，北京探銳科技有限公司（創(chuàng)業(yè)團隊擬注冊）基于中央民族大學光電實驗室和中科院半導體所的自主研發(fā)成果和知識產(chǎn)權(quán)開展成果轉(zhuǎn)化，開展基于光通訊波段及可見光波段高靈敏度探測器的產(chǎn)業(yè)化，微光成像芯片的設(shè)計、加工及銷售服務。目前已擁有三五族化合物探測器和微型硅基探測器等產(chǎn)品，從材料和器件結(jié)構(gòu)上進行優(yōu)化和創(chuàng)新，國內(nèi)首創(chuàng)的高速、低噪APD單光子探測器件設(shè)計與制備已達到國際領(lǐng)先水平。團隊擁有國家發(fā)明專利3項、在申專利10余項，榮獲國家自然科學基金、科技部重點研究項目等20余項成果。
本團隊屬典型的師生共創(chuàng)，李傳波教授為團隊的技術(shù)帶頭人、國家特聘專家，“青年千人計劃”的核心骨干，常年從事半導體光子材料與器件、能源光子器件開發(fā)與研制，目前也是中科院半導體研究所教授和中央民族大學教授。梁巖帶領(lǐng)的學生核心創(chuàng)業(yè)團隊包括理學院、經(jīng)管學院的碩士和博士生。團隊主創(chuàng)人員有多年的海外工作經(jīng)歷，也有中科院半導體所的工作經(jīng)歷，也有自主知識產(chǎn)權(quán)，可以設(shè)計并達到國際領(lǐng)先的參數(shù)，實現(xiàn)其進口替代。除了技術(shù)之外，最大的優(yōu)勢是成本優(yōu)勢。團隊依托主創(chuàng)人員多年來半導體光電材料與芯片的研究工作，有多年海外知名高校及中科院半導體所研究經(jīng)歷，為項目提供強大的技術(shù)支撐。初創(chuàng)期間采用產(chǎn)學研相結(jié)合的方式，芯片的生產(chǎn)在實驗室生產(chǎn)，公司是進行宣傳包裝、銷售。未來規(guī)劃拓展業(yè)務范圍。專注于做高靈敏度探測器的技術(shù)研發(fā)和市場推廣，助力“中國芯”走向世界！
中央民族大學
2021-02-25
一種抑制系統(tǒng)高頻振蕩的并網(wǎng)變換器電流自適應控制系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種抑制系統(tǒng)高頻振蕩的自適應電流控制系統(tǒng)； 包括常規(guī)的旋轉(zhuǎn)坐標下的雙 PI 控制、諧波在線檢測環(huán)節(jié)、電流環(huán)特定 頻段增益調(diào)節(jié)控制等三個主要部分。該方法通過實時檢測運行中并網(wǎng) 變流器濾波電容電流波形，對波形中的諧波成份進行分析，得到諧波 分量的幅值；當檢測到的諧波分量幅值大于設(shè)定閾值，則通過調(diào)整電 流控制器輸出端相應的陷波器以抑制電流控制器在該諧波頻率處的增 益，從而防止并網(wǎng)變流器在該頻率點與系統(tǒng)發(fā)生相互作用，放大該諧波。本發(fā)明提出的控制方法可實現(xiàn)不同電網(wǎng)諧振環(huán)境下，電流控制器 在諧振頻率
華中科技大學
2021-04-14
一種無位置傳感器的無刷雙饋電動機調(diào)速控制方法
本發(fā)明公開了一種無位置傳感器的無刷雙饋電動機調(diào)速控制方 法，包括：獲取功率繞組的頻率 fp；獲取控制繞組的頻率 fc；根據(jù)功 率 繞組 的 頻 率 fp 和 控制 繞 組 的頻 率 fc 獲 得轉(zhuǎn) 速 辨 識值<img file=""DDA0000636051420000011.GIF"" wi=""379"" he=""155"" />將轉(zhuǎn) 速的指令值減去轉(zhuǎn)速辨識值<img file=""DDA0000636051420000012. GIF"" wi=""64"" he=""8
華中科技大學
2021-04-14
一種核電站蒸汽發(fā)生器傳熱管微動損傷的裝置及其測試方法
本成果來自有重大應用前景的橫向項目，獲得國家發(fā)明專利授權(quán)，為重大裝備服役、延壽提供技術(shù)支撐。該成果結(jié)合大型先進壓水堆重大專項(2010ZX06004-18)，研發(fā)出一套檢測核電站蒸汽發(fā)生器傳熱管微動損傷的裝置及其測試方法。它的主要體現(xiàn)形式為；微動磨損測試裝置和評價傳熱管微動損傷的方法和判定標準。該方法及設(shè)備為國產(chǎn)核電材料的評價提供了重要的技術(shù)支持、相關(guān)研究結(jié)果處于我國核電行業(yè)領(lǐng)先。
西南交通大學
2016-06-27
一種基于二維 FFT 處理器的行轉(zhuǎn)置架構(gòu)設(shè)計方法
本發(fā)明公開了一種二維 FFT 處理器的行轉(zhuǎn)置架構(gòu)，具有以下特點：FFT 處理器包含片上行轉(zhuǎn)置存儲器，用于保存圖像行變換結(jié)果。當行變換結(jié)果超過該片上存儲器容量時，每行變換結(jié)果的前 2k 個數(shù)據(jù)寫入片上行轉(zhuǎn)置存儲器，剩余數(shù)據(jù)寫入片外 SDRAM，k 根據(jù)行變換結(jié)果和片上行轉(zhuǎn)置存儲器容量計算得到。此時，將片上行轉(zhuǎn)置存儲器一分為二，記為存儲器 A、B，用于保存行變換部分結(jié)果以及暫存片外SDRAM 讀出數(shù)據(jù)。在從存儲器 A 或
華中科技大學
2021-04-14