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電致變色器件是一種納米多層膜功能器件。它是一種通過低電壓（1-5V）、無電流、零能耗驅(qū)動的多功能變色器件。它可以根據(jù)需求智能化地調(diào)節(jié)可見光透射率和反射率以及紅外光的發(fā)射率，從而在在智能化高效節(jié)能窗、航天器表面熱控、武器裝備隱身、汽車無眩光后視鏡等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。項(xiàng)目組自主研究開發(fā)出了完全自主知識產(chǎn)權(quán)的兩種新一代全固態(tài)電致變色器件：全無機(jī)薄膜型和無機(jī)/有機(jī)組合型電致變色器件。 研究了電致變色器件在三個方面的應(yīng)用特性：作為智能化高效節(jié)能窗對于太陽光透過率的調(diào)節(jié)作用；作為衛(wèi)星表面智能熱控器件其表面紅外發(fā)射率的調(diào)控特性和太陽能光譜波段的反射率調(diào)控特性；作為多頻譜隱身器件在可見光和紅外迷彩以及紅外特征抑制方面的色彩和紅外發(fā)射率調(diào)制。 自主開發(fā)了高性能的無機(jī)固態(tài)離子導(dǎo)體薄膜和有機(jī)離子導(dǎo)電膠兩種全固態(tài)電致變色器件中的核心技術(shù)。研發(fā)了全固態(tài)電致變色器件的專用鍍膜制備技術(shù)和裝置。獲得國家發(fā)明專利4項(xiàng)。發(fā)表學(xué)術(shù)性研究論文30多篇。

項(xiàng)目概況 針對目前密封存在有密封液蒸發(fā)快、穩(wěn)定性差和不耐高溫和腐蝕等缺點(diǎn)，本項(xiàng)目選擇飽和磁化強(qiáng)度較高而抗氧化能力較高的Fe3O4作為磁流體的微粒磁性材料，使其溶于二辛酯基液形成性能穩(wěn)定、蒸發(fā)慢和耐高溫耐腐蝕的納米磁流體。利用非接觸式密封潤滑技術(shù)，把優(yōu)化配方的磁液體應(yīng)用于高性能旋轉(zhuǎn)軸密封器件中。在特殊設(shè)計(jì)密封閉合磁路系統(tǒng)中，使轉(zhuǎn)軸與極靴極齒頂端的齒形間隙中產(chǎn)生強(qiáng)弱相間的非均勻 “O”型密封環(huán)，采用梯形極靴，多級并用，增加高導(dǎo)磁套筒來減小軸向泄漏，既達(dá)到密封目的，又起到潤滑作用。本項(xiàng)目處于國內(nèi)先進(jìn)水平，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)。 主要特點(diǎn) 1. Fe3O4磁性微粒的制備采用了改性溶膠凝聚法相的工藝技術(shù)，這種工藝技術(shù)可使磁性微粒的粒度可調(diào)，抗氧化能力強(qiáng)和穩(wěn)定性好。 2．利用非接觸式密封潤滑技術(shù)，使優(yōu)化配方的磁液體應(yīng)用于高性能旋轉(zhuǎn)軸密封器件中。 3．不同的旋轉(zhuǎn)軸設(shè)計(jì)不同的磁路結(jié)構(gòu)，能防止軸向泄露和提高耐壓能力。 4．旋轉(zhuǎn)軸密封件的泄漏率為10-11 cm3/s，每級的耐壓能力均大于或等于0.2 atm。 技術(shù)指標(biāo)     應(yīng)用磁流體密封旋轉(zhuǎn)軸比普通的機(jī)械密封軸相比，平均壽命提高9倍，平均節(jié)約原材料總成本350%。與普通旋轉(zhuǎn)軸相比，耐壓能力高，密封性能好，壽命高，原材料及部件成本顯著降低，而且穩(wěn)定性好。市場前景 通過現(xiàn)場的工業(yè)化證明，該產(chǎn)品和他們原來使用的普通密封軸相比，密封效果的明顯提高，壽命長，性能穩(wěn)定，最重要的是原材料總成本降低了610元，使用安全方便，在生產(chǎn)過程中無污染，無三廢排放。該項(xiàng)目可應(yīng)用于密封性能要求高，工作環(huán)境惡劣(如堿性液、污水等)的高性能機(jī)械旋轉(zhuǎn)軸，該磁流體密封旋轉(zhuǎn)軸滿足了工業(yè)生產(chǎn)的需求，具有較好的經(jīng)濟(jì)效益和社會效益。目前已為國內(nèi)多個企業(yè)所采用。

本發(fā)明公開了一種用于旋轉(zhuǎn)器件型光譜橢偏儀系統(tǒng)參數(shù)的校準(zhǔn)方法，該方法可以在一次測量中獲取旋轉(zhuǎn)器件型光譜橢偏儀中全光譜范圍的系統(tǒng)參數(shù)，其方法是將任意厚度的標(biāo)準(zhǔn)樣件作為待測樣件，使用待校準(zhǔn)光譜橢偏儀進(jìn)行測量，對測量獲得的光強(qiáng)諧波信號進(jìn)行傅里葉分析，通過傅里葉系數(shù)序列計(jì)算獲取第一個波長點(diǎn)的系統(tǒng)參數(shù)，以其作為初值，采用非線性回歸算法，通過理論光譜擬合測量光譜，獲得第一個波長點(diǎn)的系統(tǒng)參數(shù)。并依次以校準(zhǔn)獲得的第 i 個波長點(diǎn)的系統(tǒng)參數(shù)作為初值，擬合獲得第 i+1 個波長點(diǎn)的系統(tǒng)參數(shù)，進(jìn)而獲得全光譜范圍的系統(tǒng)參數(shù)。

本發(fā)明公開了一種閃存器件的軟信息提取方法，包括離線訓(xùn)練 與在線運(yùn)行兩部分，在離線狀態(tài)下，對目標(biāo)閃存器件進(jìn)行先驗(yàn)性實(shí)驗(yàn)， 實(shí)驗(yàn)測試內(nèi)容包括對閃存器件內(nèi)部物理塊的存儲單元進(jìn)行大量重復(fù)的 擦除、寫入以及讀出操作，從而記錄閃存器件在其測試周期內(nèi)的外部 特征量；然后進(jìn)行數(shù)據(jù)集訓(xùn)練，建立閃存內(nèi)部存儲單元物理狀態(tài)與外 部特征量之間的關(guān)聯(lián)；在線運(yùn)行狀態(tài)下，對正在在線運(yùn)行的閃存物理 狀態(tài)進(jìn)行識別，并預(yù)估錯誤率，并計(jì)算軟信息。本發(fā)明所提

本項(xiàng)目主要開展納微結(jié)構(gòu)體系光子帶隙的設(shè)計(jì)、納微結(jié)構(gòu)體系的光學(xué)非線性效應(yīng)、光波傳播動力學(xué)以及光控光操作應(yīng)用等方面的研究，發(fā)展在介觀尺度下調(diào)控光子傳輸行為的新效應(yīng)、新原理與新技術(shù)。已在Physical Review Letters、Optics Letters、Applied Physics Letters和Optics Express等國內(nèi)外重要學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文30余篇。其中有關(guān)鐵鋯雙摻鈮酸鋰晶體的相關(guān)成果被《Science Archived》收錄，有關(guān)非傳統(tǒng)偏壓配置條件下各種非線性光子學(xué)晶格的制備

本發(fā)明公開了一種閃存器件的軟信息提取方法，包括離線訓(xùn)練 與在線運(yùn)行兩部分，在離線狀態(tài)下，對目標(biāo)閃存器件進(jìn)行先驗(yàn)性實(shí)驗(yàn)， 實(shí)驗(yàn)測試內(nèi)容包括對閃存器件內(nèi)部物理塊的存儲單元進(jìn)行大量重復(fù)的 擦除、寫入以及讀出操作，從而記錄閃存器件在其測試周期內(nèi)的外部 特征量；然后進(jìn)行數(shù)據(jù)集訓(xùn)練，建立閃存內(nèi)部存儲單元物理狀態(tài)與外 部特征量之間的關(guān)聯(lián)；在線運(yùn)行狀態(tài)下，對正在在線運(yùn)行的閃存物理 狀態(tài)進(jìn)行識別，并預(yù)估錯誤率，并計(jì)算軟信息。本發(fā)明所提出的方法 不僅不依賴于閃存內(nèi)部的特殊命令，而且可以方便地集成進(jìn)自主閃存 控制器中，與

AlGaN/GaN HMET射頻器件有一原生的電子信道，為一常開器件，不利于射頻功率放大器電路設(shè)計(jì)與安全性。如果器件能夠?qū)崿F(xiàn)常關(guān)特性，則射頻功率放大器電路可因此簡化。然而，目前常見實(shí)現(xiàn)器件常關(guān)特性工藝需要對半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，而刻蝕工藝會對器件引入缺陷，降低器件特性，因此市面上的常關(guān)型AlGaN/GaN HMET射頻器件非常少見。

本成果通過技術(shù)鑒定，獲得省、市、部科技進(jìn)步獎及專利；大規(guī)模應(yīng)用于廣州地鐵、鐵路中彈條螺旋道釘擋板等工務(wù)配件操作中，可提高工務(wù)配件防腐蝕性能與疲勞性能；大幅度延長使用壽命減少維修成本。

基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)是近十幾年來微波毫米波學(xué)界發(fā)展起來的一種新型高性能平面集成導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，它具有極低的電磁泄露和互擾，其品質(zhì)因數(shù)和功率容量遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)平面?zhèn)鬏斁€，國內(nèi)外數(shù)百所大學(xué)和研究機(jī)構(gòu)開展了大量研究，使之成為微波毫米波領(lǐng)域最受關(guān)注的研究分支之一。 學(xué)科洪偉教授課題組是國際上這一學(xué)術(shù)分支的主要倡導(dǎo)者和貢獻(xiàn)者之一，在IEEE系列刊物上發(fā)表學(xué)術(shù)論文120余篇，在美、英、德、日、韓、波、葡等國家召開的國際會議上作大會報告、特邀報告20余次，論文被40多個國家的學(xué)者正面他引5000余次，獲授權(quán)國家發(fā)明專利50余項(xiàng)。 該研究成果在國內(nèi)外都產(chǎn)生了比較大的影響，獲2016年度國家自然科學(xué)二等獎。

本發(fā)明屬于光電器件制備技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種鈮酸鋰材料的刻蝕方法。本發(fā)明方法包括：在鈮酸鋰表面制備金屬鈍化層，用來提高納米圖形的保形性以及側(cè)壁刻蝕傾斜角；沉積硬掩膜，并采用微電子光刻技術(shù)進(jìn)行圖形化處理；在待刻蝕的鈮酸鋰區(qū)域沉積活性金屬薄膜，以提高刻蝕深度；將覆蓋有活性金屬層的鈮酸鋰晶體在還原氣氛中進(jìn)行退火；然后采用相應(yīng)的酸溶液和堿溶液去掉鈮酸鋰表面的金屬及其與鈮酸鋰的反應(yīng)物，得到具有一定刻蝕深度的鈮酸鋰納米圖形。所制備的大規(guī)模鈮酸鋰納米器件陣列尺寸可控，保形性和重復(fù)性好，側(cè)壁傾斜角大于80°，圖形凸塊表面光滑。鈮酸鋰納米器件制備步驟簡單，難度低，可降低大規(guī)模生產(chǎn)成本。