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J01402型數(shù)字演示電表是一種具有多種測試功能的數(shù)字儀表，它適用物理、化學、無線電等教學演示實驗用。本儀表采用前后（大、小）雙面顯示屏幕，能同時顯示被測量的數(shù)值，特別適用示教演示。操作者應(yīng)根據(jù)面板上刻度的功能及量程選擇進行測量，并觀察結(jié)果。 主要技術(shù)性能: 1、???? 直流電壓測試：0～±2V、 0～±20V、 0～±200V、 0～±1000V四檔，誤差±1% 。 2、???? 交流電壓測試：0～2V、 0～20V、 0～200V、 0～700V四檔，誤差±2% 。 3、???? 直流電流測試：0～±2mA、 0～±20 mA、 0～±200 mA、 0～±2000 mA四檔，誤差±1.5% 。 4、???? 交流電流測試：0～2mA、 0～20 mA、 0～200 mA、 0～2000 mA四檔，誤差±2% 。 5、???? 檢流計測試：0～±2000μA（2mA檔）誤差±1.5% 。 6、???? 電阻測試：0～2kΩ、 0～20kΩ、 0～200kΩ、 0～2000kΩ四檔，誤差±1% 。 7、???? 電源：AC220V±22V ；50Hz；工作時間：連續(xù)4小時； 額定功耗：≤10W 。 8、???? 外型尺寸：276 mm×115 mm×298mm 。 儀表凈重：1.5㎏ 。?? 10、執(zhí)行標準: JY0001-2003; Q/HDB 001 -2010 。

J01402型數(shù)字演示電表是一種具有多種測試功能的數(shù)字儀表，它適用物理、化學、無線電等教學演示實驗用。本儀表采用前后（大、小）雙面顯示屏幕，能同時顯示被測量的數(shù)值，特別適用示教演示。操作者應(yīng)根據(jù)面板上刻度的功能及量程選擇進行測量，并觀察結(jié)果。 主要技術(shù)性能: 1、???? 直流電壓測試：0～±2V、 0～±20V、 0～±200V、 0～±1000V四檔，誤差±1% 。 2、???? 交流電壓測試：0～2V、 0～20V、 0～200V、 0～700V四檔，誤差±2% 。 3、???? 直流電流測試：0～±2mA、 0～±20 mA、 0～±200 mA、 0～±2000 mA四檔，誤差±1.5% 。 4、???? 交流電流測試：0～2mA、 0～20 mA、 0～200 mA、 0～2000 mA四檔，誤差±2% 。 5、???? 檢流計測試：0～±2000μA（2mA檔）誤差±1.5% 。 6、???? 電阻測試：0～2kΩ、 0～20kΩ、 0～200kΩ、 0～2000kΩ四檔，誤差±1% 。 7、???? 電源：AC220V±22V ；50Hz；工作時間：連續(xù)4小時； 額定功耗：≤10W 。 8、???? 外型尺寸：276 mm×115 mm×298mm 。 儀表凈重：1.5㎏ 。?? 10、執(zhí)行標準: JY0001-2003; Q/HDB 001 -2010 。

本實用新型公開了一種基于釜底壓力測量的多相攪拌釜攪拌器氣泛轉(zhuǎn)速測量裝置。包括釜體以及置于釜體內(nèi)的擋板、攪拌器和氣體分布器，釜體內(nèi)壁設(shè)有擋板，釜體內(nèi)的攪拌器經(jīng)轉(zhuǎn)速測量儀和電機的輸出軸連接，電機與控制柜連接；釜體底部安裝有壓力變送器，攪拌器正下方的釜體內(nèi)設(shè)有氣體分布器，空氣壓縮機依次經(jīng)穩(wěn)壓閥、轉(zhuǎn)子流量計和開關(guān)閥后與氣體分布器連接，壓力變送器和數(shù)字顯示儀表連接。本實用新型裝置使得測量條件降低低，不受外界因素干擾，能適應(yīng)各種惡劣的測量環(huán)境，測量誤差小，具有較好的適應(yīng)性。

本發(fā)明公開了一種通過自底向上填充實現(xiàn)通孔互聯(lián)的方法，包括：（a）在基片的一個表面上加工制得盲孔；（b）在加工盲孔的基片表面上依次生長絕緣層、阻擋層和種子層；（c）向種子層表面上涂布光刻膠并填平盲孔，然后執(zhí)行曝光及顯影處理，以使光刻膠僅在盲孔底部的種子層表面上殘留；（d）去除未覆蓋光刻膠的種子層，而盲孔底部的種子層不受影響；（e）去除殘留的光刻膠；（f）向盲孔中填充導(dǎo)電材料完成自底向上的生長；（g）減薄基片未加工盲孔的表面形成通孔，由此完成通孔互聯(lián)過程。本發(fā)明還公開了相應(yīng)的通孔互聯(lián)結(jié)構(gòu)產(chǎn)品。通過本發(fā)明

TDA（芯片熱設(shè)計自動化）軟件是清華航院曹炳陽教授團隊全自主研發(fā)的國際首個芯片跨尺度熱仿真與設(shè)計系統(tǒng)。TDA軟件可實現(xiàn)芯片從納米至宏觀尺寸的熱設(shè)計與仿真，支持芯片微納結(jié)構(gòu)內(nèi)部熱輸運過程的模擬研究，直接提高芯片熱仿真精度與結(jié)溫預(yù)測準確度，進而提高芯片性能、壽命和可靠性。

研究背景 芯片是人類最偉大的發(fā)明之一，也是現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)和核心。小到手機、電腦、數(shù)碼相機，大到6G、物聯(lián)網(wǎng)、云計算均基于芯片技術(shù)的不斷突破。半導(dǎo)體光刻工藝水平的發(fā)展是以芯片為核心的電子信息產(chǎn)業(yè)的基石，目前半導(dǎo)體光刻的制造工藝幾乎是摩爾定律的物理極限。隨著制造工藝的越來越小，芯片內(nèi)晶體管單元已經(jīng)接近分子尺度，半導(dǎo)體制作工藝的“瓶頸效應(yīng)”越來越明顯。隨著全球化以及科技的高速發(fā)展，急劇增長的龐大數(shù)據(jù)量要求數(shù)據(jù)處理模型和算法結(jié)構(gòu)不斷優(yōu)化升級，帶來的結(jié)果就是對計算能力和系統(tǒng)功耗的要求不斷提高。而目前智能電子設(shè)備大多存在傳輸瓶頸、功耗增加以及計算力瓶頸等現(xiàn)象，已越來越難以滿足大數(shù)據(jù)時代對計算力與功耗的需求，因此提高運算速度同時降低運算功耗是目前信息工業(yè)界面臨的緊要問題。 如當年集成電路開創(chuàng)信息時代一樣，當下已經(jīng)普及的光通信正在成為新革命力量的開路先鋒。與此同時，光子芯片正在從分立式器件向集成光路演進，光子芯片向小型化、集成化的發(fā)展趨勢已是必然。相對于電子驅(qū)動的集成電路，光子芯片有超高速率，超低功耗等特點，利用光信號進行數(shù)據(jù)獲取、傳輸、計算、存儲和顯示的光子芯片，具有非常廣闊的發(fā)展空間和巨大的潛能。 項目功能 本項目瞄準光通信關(guān)鍵技術(shù)及核心芯片，基于量子阱二極管發(fā)光探測共存現(xiàn)象，探索關(guān)鍵微納制造技術(shù)，研制出可以同時實現(xiàn)通信、感知功能的一體化光電子芯片。 技術(shù)路線 一、技術(shù)原理及可行性 本項目主要負責人王永進教授發(fā)現(xiàn)如圖1所示的量子阱二極管發(fā)光探測共存現(xiàn)象，首次研制出同質(zhì)集成發(fā)射、傳輸、調(diào)制和接收器件的光電子芯片，這些原創(chuàng)工作引起了業(yè)界相關(guān)科研小組地廣泛關(guān)注，化合物半導(dǎo)體同質(zhì)集成光電子芯片成為研究熱點。香港大學的蔡凱威小組和申請人合作提出濕法刻蝕和激光選擇性剝離技術(shù)，在藍寶石氮化物晶圓上實現(xiàn)LED基同質(zhì)集成光電子芯片(Optica 5, 564-569 (2018))。沙特阿卜杜拉國王科技大學Ooi教授和美國加州大學圣巴巴拉分校Nakamura教授小組在藍寶石氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質(zhì)集成光電子芯片(Opt. Express 26, A219(2018))。中科院蘇州納米所孫錢小組在硅襯底氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質(zhì)集成光電子芯片(IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 24, 8200305 (2018))。在NRZ-OOK調(diào)制方式下，InGaN/GaN量子阱二極管可實現(xiàn)Gbps的光發(fā)射、調(diào)制和探測速率(Appl. Phys. Express 13, 014001 (2020))。這些工作表明研發(fā)基于光子傳輸?shù)幕衔锇雽?dǎo)體同質(zhì)集成光電子芯片以實現(xiàn)片上光子通信是可行的。   二、總體結(jié)構(gòu)設(shè)計及工藝流程 本項目提出的同時通信/感知一體化光電子芯片基于常規(guī)的藍寶石襯底氮化鎵基多量子阱LED外延片進行設(shè)計，無需特殊定制的外延結(jié)構(gòu)。以典型的2寸氮化鎵基藍光LED外延片為例，其外延片結(jié)構(gòu)如圖2所示，從下至上依次為藍寶石襯底、AlGaN緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、InGaN/GaN多量子阱層和P型GaN層，通過調(diào)節(jié)InGaN/GaN多量子阱層的參數(shù)（層厚度與In的比例等等）可制備具有不同中心波長的光源器件。   圖3為本項目所提出的同時通信/感知一體化光電子芯片結(jié)構(gòu)。在藍寶石襯底的氮化物晶圓上通過刻蝕和沉積等一系列晶圓級微納加工技術(shù)，制備出單片集成的InGaN/GaN多量子阱LED和PD。光子芯片的P、N電極可以采用倒裝技術(shù)直接與基板相連，光線從透明的藍寶石襯底發(fā)出，這樣不僅使得器件具有優(yōu)良的電性能和熱特性而且簡化了其后期的封裝工藝。 三、技術(shù)創(chuàng)新優(yōu)勢 1、同一塊晶圓上集成LED和PD使得兩者間距離大大縮短，不僅有助于增強PD對藍寶石表面反射光線的耦合，提升感知系統(tǒng)性能，而且縮小了器件整體外形，符合集成電子器件小型化、便攜化的發(fā)展趨勢； 2、單片集成的LED和PD器件相比于傳統(tǒng)異質(zhì)的、分立的LED和PD簡化了封裝形式和工藝，不再需要對LED和PD進行單獨的封裝，而且同質(zhì)集成器件的基板也較異質(zhì)結(jié)構(gòu)的簡單統(tǒng)一，極大地縮短了集成系統(tǒng)的制作周期； 3、同時通信/感知一體化光電子芯片采用相同的工藝就可以制作出LED和PD，簡化了生長異質(zhì)材料的復(fù)雜性，縮短了器件流片的周期，使用同一工藝就可將LED和PD進行批量生產(chǎn)，有效地降低了生產(chǎn)成本。 四、實驗驗證 本項目團隊所在的Peter Grünberg研究中心擁有完整的LED器件制備、光電性能測試與電學性能測試平臺，并且項目成員積累了豐富的測試技術(shù)與經(jīng)驗，能夠滿足本項目的同時通信/感知一體化光電子芯片測試同時表征光電參數(shù)與電學參數(shù)的需求。下圖4所示為器件形貌表征圖，從左邊依次是掃描電鏡圖、光鏡圖、原子力顯微鏡圖。   基于通信感知一體化芯片，本項目利用單個多功能集成器件成功實現(xiàn)了對人體脈搏的監(jiān)測功能，如圖5所示。   另外基于通信感知一體化氮化鎵光電子芯片，我們還實現(xiàn)了照明、成像和探測功能為一體的LED陣列系統(tǒng)，如圖6所示。該系統(tǒng)可以在點亮照明的同時，實現(xiàn)對外界光信號的探測與感知，通過后端系統(tǒng)處理后，再將信息通過陣列顯示出來，實現(xiàn)多種功能的集成。 項目負責人王永進教授是國家自然基金委優(yōu)秀青年項目、國家973項目獲得者，他以第一或通訊作者身份在Light-Sci Appl.等主流學術(shù)期刊發(fā)表一系列高質(zhì)量研究論文，獲授權(quán)中國發(fā)明專利23項，美國發(fā)明專利2項，被National Science Review、Semiconductor Today等做9次專題報道，榮獲2019年中國電子學會科學技術(shù)獎（自然科學）、2019年南京市十大重大原創(chuàng)成果獎等。

本發(fā)明公開了一種激光輔助低溫生長氮化物材料的方法及裝備， 該方法將非氮元素的前驅(qū)體蒸汽和活性氮源前驅(qū)體氣體分別輸送到反 應(yīng)腔室內(nèi)溫度為 250 至 800℃的襯底材料處，利用波長與活性氮源分 子鍵共振波長相等的激光束作用于活性氮源氣體，使激光能量直接耦 合至活性氮源氣體分子，加速 NH 鍵的斷裂，提供充足的活性氮源， 使非氮元素與活性氮源發(fā)生化學反應(yīng)，沉積第 III 族氮化物膜層材料， 持續(xù)作用直到沉積物覆蓋整個襯底

團隊與合作者首次報道了米級單晶Cu(111)襯底的制備方法，并在此基礎(chǔ)上實現(xiàn)了米級單晶石墨烯的外延生長（Science. Bulletin 2017, 62, 1074）。與石墨烯不同，六方氮化硼等其它絕大多數(shù)二維材料不具有中心反演對稱性，其外延生長普遍存在孿晶晶界問題：旋轉(zhuǎn)180°時晶格方向發(fā)生改變，外延生長時不可避免地出現(xiàn)反向晶疇，而在拼接時形成缺陷晶界。 開發(fā)合適對稱性的外延單晶襯底是解決這一科學難題的關(guān)鍵。研究團隊探索出利用對稱性破缺的襯底外延非中心反演對稱二維單晶薄膜的新方