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本發(fā)明屬于可再生清潔能源裝置領(lǐng)域，并公開了一種具備截料機(jī)構(gòu)的列管式生物質(zhì)氣化爐反應(yīng)器，其從上到下依次包括上部匯料室、中部殼體和下部氣固分離室，其中中部殼體的內(nèi)部設(shè)置有多個在豎直方向上彼此平行的氣化列管，在各個氣化列管的內(nèi)部還分別配置用于對生物質(zhì)氣化反應(yīng)過程中所產(chǎn)生的碳顆粒執(zhí)行攔截功能的截料機(jī)構(gòu)，該截料機(jī)構(gòu)包括豎直設(shè)置在氣化列管中的支撐桿、水平貫穿安裝在此支撐桿上且沿著豎直方向間隔分布的多個截料小孔板、使所有支撐桿予以固定的支架，以及與所述支架相連用于使得所述截料小孔板發(fā)生偏心運(yùn)動的驅(qū)動單元。通過本發(fā)

該研究利用水浴提拉法制備了雙層定向排列Ag NWs網(wǎng)絡(luò)。基于該網(wǎng)絡(luò)的柔性傳感器可以實(shí)現(xiàn)不同變形行為的在線監(jiān)測。基于該傳感器制備了實(shí)時手勢探測器，在計算機(jī)中對手勢進(jìn)行重建，為虛擬與現(xiàn)實(shí)交互提供了可能性。該研究成果已經(jīng)在SCIENTIC REPORTS 上成功發(fā)表，并入選該期刊年度下載次數(shù)Top 100。

本發(fā)明公開了一種基于服役年齡和負(fù)荷水平的變壓器可靠性分 析方法，包括如下步驟：(1)確定變壓器負(fù)荷等級；(2)確定變壓器在初 始狀態(tài)下的負(fù)荷值；(3)獲取變壓器的熱點(diǎn)溫度；(4)根據(jù)變壓器的熱點(diǎn) 溫度獲取變壓器的絕緣壽命； (5)獲取變壓器的故障概率累計分布函數(shù)； (6)獲取變壓器在初始狀態(tài)下的平均故障率指標(biāo)以及故障狀態(tài)下的平均 故障率指標(biāo)；(7)獲取連鎖故障啟動概率指標(biāo) Pic 和連鎖故障脆弱環(huán)節(jié) 指示量 Pvc；通過對 Pic 與 Pvc 率排序，識別出系統(tǒng)中處于臨界狀態(tài)的變壓器；本發(fā)明提供的可

本發(fā)明公開了一種旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器型橢偏儀系統(tǒng)誤差評估及消除方法該方法，包括首先建立待優(yōu)化橢偏儀的系統(tǒng)模型，并求的待測樣品穆勒矩陣解析表達(dá)式；然后通過對泰勒展開，獲得 n 階旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器型橢偏儀橢儀系統(tǒng)誤差與元件誤差之間的關(guān)系。最后改變旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器型橢偏儀起檢器與檢偏器方位角，經(jīng)過四次測量，并求得四次測量結(jié)果的均值，這個均值就是已消除了橢偏儀系統(tǒng)誤差的待測樣品的穆勒矩陣。本發(fā)明方法可以獲得旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器型橢偏儀由元件誤差導(dǎo)致的系統(tǒng)誤差的解析表達(dá)式，計算過程明確，系統(tǒng)誤差的消除方法操作簡單可行，可以適用于現(xiàn)有不同結(jié)構(gòu)

目前在中壓直流配電網(wǎng)領(lǐng)域研究的大容量直流開斷設(shè)備，需考慮體積、成本等問題。該成果適用于中壓直流配電網(wǎng)領(lǐng)域，特別是涉及一種適用于中壓直流斷路器的電流轉(zhuǎn)移電路及方法，基于混合式直流斷路器，提供一種適用于中壓場合的電流轉(zhuǎn)移電路及方法，通過配置輔助換流單元，對儲能電容器預(yù)先充以適量電壓，實(shí)現(xiàn)對故障電流的轉(zhuǎn)移，滿足中壓直流配電網(wǎng)對故障快速切除需求。 該成果提出一種中壓混合式直流斷路器電流轉(zhuǎn)移電路及方法，使故障電流轉(zhuǎn)移與關(guān)斷功能集成化，又能兼顧中壓直流配網(wǎng)對斷路器設(shè)備的體積、成本以及工作可靠性等要求，對擴(kuò)大直流斷路器的應(yīng)用范圍具有重要工程意義。

光電探測器在量子科技、三維成像、激光雷達(dá)、生物醫(yī)學(xué)等方面有著廣泛應(yīng)用，被譽(yù)為是無人駕駛、無人機(jī)、智能機(jī)器人等關(guān)鍵設(shè)備的眼睛。目前我國在針對極微弱光的探測器主要依賴進(jìn)口，北京探銳科技有限公司（創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊擬注冊）基于中央民族大學(xué)光電實(shí)驗(yàn)室和中科院半導(dǎo)體所的自主研發(fā)成果和知識產(chǎn)權(quán)開展成果轉(zhuǎn)化，開展基于光通訊波段及可見光波段高靈敏度探測器的產(chǎn)業(yè)化，微光成像芯片的設(shè)計、加工及銷售服務(wù)。目前已擁有三五族化合物探測器和微型硅基探測器等產(chǎn)品，從材料和器件結(jié)構(gòu)上進(jìn)行優(yōu)化和創(chuàng)新，國內(nèi)首創(chuàng)的高速、低噪APD單光子探測器件設(shè)計與制備已達(dá)到國際領(lǐng)先水平。團(tuán)隊擁有國家發(fā)明專利3項(xiàng)、在申專利10余項(xiàng)，榮獲國家自然科學(xué)基金、科技部重點(diǎn)研究項(xiàng)目等20余項(xiàng)成果。 本團(tuán)隊屬典型的師生共創(chuàng)，李傳波教授為團(tuán)隊的技術(shù)帶頭人、國家特聘專家，“青年千人計劃”的核心骨干，常年從事半導(dǎo)體光子材料與器件、能源光子器件開發(fā)與研制，目前也是中科院半導(dǎo)體研究所教授和中央民族大學(xué)教授。梁巖帶領(lǐng)的學(xué)生核心創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊包括理學(xué)院、經(jīng)管學(xué)院的碩士和博士生。團(tuán)隊主創(chuàng)人員有多年的海外工作經(jīng)歷，也有中科院半導(dǎo)體所的工作經(jīng)歷，也有自主知識產(chǎn)權(quán)，可以設(shè)計并達(dá)到國際領(lǐng)先的參數(shù)，實(shí)現(xiàn)其進(jìn)口替代。除了技術(shù)之外，最大的優(yōu)勢是成本優(yōu)勢。團(tuán)隊依托主創(chuàng)人員多年來半導(dǎo)體光電材料與芯片的研究工作，有多年海外知名高校及中科院半導(dǎo)體所研究經(jīng)歷，為項(xiàng)目提供強(qiáng)大的技術(shù)支撐。初創(chuàng)期間采用產(chǎn)學(xué)研相結(jié)合的方式，芯片的生產(chǎn)在實(shí)驗(yàn)室生產(chǎn)，公司是進(jìn)行宣傳包裝、銷售。未來規(guī)劃拓展業(yè)務(wù)范圍。專注于做高靈敏度探測器的技術(shù)研發(fā)和市場推廣，助力“中國芯”走向世界！

本發(fā)明公開了一種抑制系統(tǒng)高頻振蕩的自適應(yīng)電流控制系統(tǒng)； 包括常規(guī)的旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)下的雙 PI 控制、諧波在線檢測環(huán)節(jié)、電流環(huán)特定 頻段增益調(diào)節(jié)控制等三個主要部分。該方法通過實(shí)時檢測運(yùn)行中并網(wǎng) 變流器濾波電容電流波形，對波形中的諧波成份進(jìn)行分析，得到諧波 分量的幅值；當(dāng)檢測到的諧波分量幅值大于設(shè)定閾值，則通過調(diào)整電 流控制器輸出端相應(yīng)的陷波器以抑制電流控制器在該諧波頻率處的增 益，從而防止并網(wǎng)變流器在該頻率點(diǎn)與系統(tǒng)發(fā)生相互作用，放大該諧波。本發(fā)明提出的控制方法可實(shí)現(xiàn)不同電網(wǎng)諧振環(huán)境下，電流控制器 在諧振頻率

本發(fā)明公開了一種無位置傳感器的無刷雙饋電動機(jī)調(diào)速控制方 法，包括：獲取功率繞組的頻率 fp；獲取控制繞組的頻率 fc；根據(jù)功 率 繞組 的 頻 率 fp 和 控制 繞 組 的頻 率 fc 獲 得轉(zhuǎn) 速 辨 識值<img file=""DDA0000636051420000011.GIF"" wi=""379"" he=""155"" />將轉(zhuǎn) 速的指令值減去轉(zhuǎn)速辨識值<img file=""DDA0000636051420000012. GIF"" wi=""64"" he=""8

本成果來自有重大應(yīng)用前景的橫向項(xiàng)目，獲得國家發(fā)明專利授權(quán)，為重大裝備服役、延壽提供技術(shù)支撐。該成果結(jié)合大型先進(jìn)壓水堆重大專項(xiàng)(2010ZX06004-18)，研發(fā)出一套檢測核電站蒸汽發(fā)生器傳熱管微動損傷的裝置及其測試方法。它的主要體現(xiàn)形式為；微動磨損測試裝置和評價傳熱管微動損傷的方法和判定標(biāo)準(zhǔn)。該方法及設(shè)備為國產(chǎn)核電材料的評價提供了重要的技術(shù)支持、相關(guān)研究結(jié)果處于我國核電行業(yè)領(lǐng)先。

本發(fā)明公開了一種二維 FFT 處理器的行轉(zhuǎn)置架構(gòu)，具有以下特點(diǎn)：FFT 處理器包含片上行轉(zhuǎn)置存儲器，用于保存圖像行變換結(jié)果。當(dāng)行變換結(jié)果超過該片上存儲器容量時，每行變換結(jié)果的前 2k 個數(shù)據(jù)寫入片上行轉(zhuǎn)置存儲器，剩余數(shù)據(jù)寫入片外 SDRAM，k 根據(jù)行變換結(jié)果和片上行轉(zhuǎn)置存儲器容量計算得到。此時，將片上行轉(zhuǎn)置存儲器一分為二，記為存儲器 A、B，用于保存行變換部分結(jié)果以及暫存片外SDRAM 讀出數(shù)據(jù)。在從存儲器 A 或