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SiC顆粒增強鋁基復(fù)合材料
將高性能陶瓷增強體加入到金屬的鋁基體中，制成鋁基復(fù)合材料，得到單一材料所不具有的強度、模量、塑性等各種優(yōu)異性能，且性能可以通過人工設(shè)計和復(fù)合而進行控制。材料性能達到國際領(lǐng)先水平，建立了國內(nèi)第一個航天鋁基復(fù)合材料技術(shù)標準，形成了高性能鋁基復(fù)合材料的批量、多品種研制和生產(chǎn)能力，并成功推廣應(yīng)用。
上海交通大學(xué)
2023-05-09
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雙電源多熱源爐生產(chǎn)SiC新技術(shù)
雙電源多熱源爐生產(chǎn)SiC新技術(shù)歷經(jīng)二十多年的研發(fā)，經(jīng)過了實驗室小試、數(shù)值計算和計算機模擬研究、中試研究和工業(yè)性試驗研究，技術(shù)先進、成熟、穩(wěn)定，2002年被鑒定為國際領(lǐng)先水平，2003年獲青海省科技進步三等獎。已在青海、寧夏、新疆等地進行技術(shù)推廣，建立生產(chǎn)線3條，創(chuàng)產(chǎn)值3億多元，取得了巨大的社會效益和經(jīng)濟效益
西安科技大學(xué)
2021-04-11
α-SiC微粉顆粒表面改性的工業(yè)生產(chǎn)方法
西安科技大學(xué)多年從事 SiC 冶煉和燒結(jié)技術(shù)的研發(fā)，并在全國獲得了多項實際應(yīng)用。通過對 α-SiC 粉末表面改性方法的研究，可大大地提高重結(jié)晶性 SiC 的燒結(jié)能力，降低燒結(jié)溫度，獲得純度更高、密度更大的重結(jié)晶 SiC 燒結(jié)塊。該技術(shù)業(yè)已獲得國家發(fā)明專利。
西安科技大學(xué)
2021-04-11
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柔性儲能器件及傳感器件
利于層狀納米材料比表面積大的特點，在碳基柔性襯底上制備了高性能柔性 超級電容器，及葡萄糖傳感器。超級電容器的能量密度最大為50.2Whkg-1,功 率密度為8002 W kg-1 at 17.6 Wh kg-1,充電1分鐘能點亮兩只綠色LED燈3 到5分鐘。性能處于國際先進水平，成果先后發(fā)表于JALC0M , 714(2017) 63-70； 763 (2018) 926-934 等。
重慶大學(xué)
2021-04-11
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一種Al2O3-SiC泡沫陶瓷及其制備方法
小試階段/n針對多孔介質(zhì)燃燒器用泡沫陶瓷目前存在的常溫強度以及熱震穩(wěn)定性能差等問題，本發(fā)明制備了一種Al2O3-SiC復(fù)合泡沫陶瓷。該陶瓷克服現(xiàn)有技術(shù)缺陷，具有強度高、抗氧化性能好和抗熱震性能優(yōu)良等優(yōu)點。
武漢科技大學(xué)
2021-01-12
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磁流變元器件
磁流變液是一種機敏材料，在外加磁場的作用下，液體的粘度發(fā)生很大的變化，具有很大的抗剪切力，易于控制并且連續(xù)可控。運用磁流液可以制作磁流變剎車、離合器、減振器和阻尼器等高科技磁液變元器件，它們可以用于車輛懸掛系統(tǒng)，土木工程結(jié)構(gòu)抗震、減振及大型能量動力設(shè)備的基礎(chǔ)隔振等方面。此外磁流變阻尼器還可用于制成無級可調(diào)式健身器材。我們針對磁流變減振器具有很大的阻尼力，且
西安交通大學(xué)
2021-01-12
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新型FinFET?器件工藝
已有樣品/n全金屬化源漏FOI FinFET 相比類似工藝的常規(guī)FinFET 漏電降低1 個數(shù)量級，驅(qū)動電流增大2 倍，驅(qū)動性能在低電源電壓下達到國際先進水平。由于替代了傳統(tǒng)的源漏SiGe 外延技術(shù)，與極小pitch 的大規(guī)模FinFET 器件的兼容性更好，有助于降低制造成本，提高良品率，具有很高的技術(shù)價值。
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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光學(xué)微腔器件
成果創(chuàng)新點 1.在光學(xué)微腔器件的晶體腔加工、PPLN 微腔加工、微 腔耦合與封裝、微腔超高 Q 值檢測方面，分別提出了先進 而完善的實施方案，并申請了相關(guān)發(fā)明專利。現(xiàn)有晶體微 腔 Q 值國內(nèi)最高水平 106，國外達到 109，本項目可優(yōu)于 108， 從而達到國內(nèi)領(lǐng)先，國際先進水平。 2.在光學(xué)微腔器件應(yīng)用方面，研發(fā)例如超窄線寬激光 器（精密測量、物理量精密傳感）、超窄線寬濾波器（激 光技術(shù)
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2021-04-14
光學(xué)微腔器件
1.在光學(xué)微腔器件的晶體腔加工、PPLN 微腔加工、微腔耦合與封裝、微腔超高 Q 值檢測方面，分別提出了先進而完善的實施方案，并申請了相關(guān)發(fā)明專利。現(xiàn)有晶體微腔 Q 值國內(nèi)最高水平 106，國外達到 109，本項目可優(yōu)于 108，從而達到國內(nèi)領(lǐng)先，國際先進水平。
2.在光學(xué)微腔器件應(yīng)用方面，研發(fā)例如超窄線寬激光器（精密測量、物理量精密傳感）、超窄線寬濾波器（激光技術(shù)）等小型化器件的技術(shù)原理和實現(xiàn)方案。與常規(guī)產(chǎn)品相比，體積可縮小至 500 立方厘米以下，精度可提高 2個量級，成本可下降 80%。成果可實現(xiàn)的光學(xué)微腔器件主要指標：研制出光學(xué)晶體微腔，Q 值優(yōu)于 108，根據(jù)用戶要求研制小型化應(yīng)用模塊。
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2023-05-17
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分立器件測試機
南京工程學(xué)院
2021-04-13