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超長(zhǎng)大型全閉環(huán)數(shù)控系列三輥、四輥卷板機(jī)。

? 項(xiàng)目 星奧全護(hù)眼LED書寫板專用燈 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB7793-2010 功率36w 參數(shù) 中小學(xué)學(xué)校教室采光和照明衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn) 黑板照度（E） 639.3LX 優(yōu)于國(guó)標(biāo) ≥500LX 黑板照度均勻度（Uo） 0.81 專業(yè)照明設(shè)計(jì) ≥0.8 眩光（UGR） ＜16 無眩光危害 ＜19 光頻閃（波動(dòng)深度） ≤1% 無光頻閃危害 —— 顯色指數(shù) ≥98 色彩還原能力強(qiáng) ≥80 色溫（Tc） 5000k 光線柔和 3300K-5500K 使用壽命 質(zhì)保三年 壽命長(zhǎng) ——

格柵類主推款-格柵防眩 高顯指 背亮補(bǔ)光 恒定照度 專業(yè)護(hù)眼 權(quán)威認(rèn)證 無藍(lán)光頻閃危害 項(xiàng)目 星奧全護(hù)眼LED教室燈 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB7793-2010 功率36w 參數(shù) 中小學(xué)學(xué)校教室采光和照明衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn) 教室照度（E） 417LX 優(yōu)于國(guó)標(biāo) ≥300LX 教室照度均勻度（Uo） 0.8 專業(yè)照明設(shè)計(jì) ≥0.7 黑白照度（E） 639.3LX 優(yōu)于國(guó)標(biāo) ≥500LX 黑板照度均勻度（Uo） 0.81 專業(yè)照明設(shè)計(jì) ≥0.8 眩光（UGR） 15.9 無眩光危害 ＜19 光頻閃（波動(dòng)深度） ≤3.2% 無光頻閃危害 —— 顯色指數(shù) ≥90 色彩還原能力強(qiáng) ≥80 色溫（Tc） 4500K/5500k(可定制） 光線柔和 3300K-5500K 使用壽命 質(zhì)保三年 壽命長(zhǎng) —— 總功率（P） 450W 消耗功率低 —— 年耗電量（Q） 720度 耗電量低 ——

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 微晶類主推款-微晶防眩 直下式發(fā)光設(shè)計(jì) 項(xiàng)目 星奧全護(hù)眼LED教室燈 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB7793-2010 功率36w 參數(shù) 中小學(xué)學(xué)校教室采光和照明衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn) 教室照度（E） 417LX 優(yōu)于國(guó)標(biāo) ≥300LX 教室照度均勻度（Uo） 0.8 專業(yè)照明設(shè)計(jì) ≥0.7 黑白照度（E） 639.3LX 優(yōu)于國(guó)標(biāo) ≥500LX 黑板照度均勻度（Uo） 0.81 專業(yè)照明設(shè)計(jì) ≥0.8 眩光（UGR） 15.9 無眩光危害 ＜19 光頻閃（波動(dòng)深度） ≤3.2% 無光頻閃危害 —— 顯色指數(shù) ≥90 色彩還原能力強(qiáng) ≥80 色溫（Tc） 4500K/5500k(可定制） 光線柔和 3300K-5500K 使用壽命 質(zhì)保三年 壽命長(zhǎng) —— 總功率（P） 450W 消耗功率低 —— 年耗電量（Q） 720度 耗電量低 ——

本發(fā)明公開了一種基于全卷積網(wǎng)絡(luò)的多方向文本檢測(cè)方法，首先獲取訓(xùn)練數(shù)據(jù)集中的文本塊，并訓(xùn)練全卷積網(wǎng)絡(luò)模型；然后利用訓(xùn)練好的全卷積網(wǎng)絡(luò)模型對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)集中的圖片進(jìn)行檢測(cè)，獲取文本塊；然后提取文本塊的字符成分，并根據(jù)字符成分的位置信息估算圖像中的候選文本條位置；最后訓(xùn)練針對(duì)文本條中字符成分的全卷積網(wǎng)絡(luò)模型，利用訓(xùn)練好的模型對(duì)候選文本條進(jìn)行檢測(cè)，獲取其中的字符成分，根據(jù)字符成分過濾掉不需要的文本條，得到圖像中文本條的位置。本發(fā)明方法文本檢測(cè)方法檢測(cè)率高，且能夠克服光照、遮擋、模糊等不利因素的影響。

開展適應(yīng)于不同圍巖條件的開敞式TBM施工技術(shù)研究，在多項(xiàng)重大工程中成功應(yīng)用。

全三維粒子模擬軟件CHIPIC是國(guó)家*63計(jì)劃*03主題支持項(xiàng)目“***粒子模擬軟件研發(fā)”的主要研究?jī)?nèi)容，其研究目的是在堅(jiān)實(shí)理論基礎(chǔ)指導(dǎo)下，深入開展強(qiáng)波粒相互作用理論及HPM和HPMM相關(guān)理論研究，建立強(qiáng)流相對(duì)論互作用的理論體系，為高功率微波器件理論研究提供一款實(shí)用的粒子模擬軟件。 因?yàn)榱Ｗ幽M軟件在軍事領(lǐng)域有重大應(yīng)用價(jià)值，國(guó)外的一些先進(jìn)粒子模擬軟件對(duì)我國(guó)是禁運(yùn)的（如美國(guó)的MAGIC），從而一些內(nèi)部技術(shù)對(duì)我國(guó)也是封閉的。本軟件是完全依靠國(guó)內(nèi)的自身?xiàng)l件研制完成的，是具有完全知識(shí)產(chǎn)權(quán)的軟件。由本軟件運(yùn)算的準(zhǔn)確性（與國(guó)外軟件比較驗(yàn)證）可以證明本成果使用的技術(shù)線路是完全可與國(guó)外軟件媲美的。 該項(xiàng)目完成了三維電磁粒子模擬理論與算法、軟件設(shè)計(jì)、軟件測(cè)試等研究?jī)?nèi)容，突破了高效并行計(jì)算、大尺度結(jié)構(gòu)建模、三維PIC/MCC混合算法等關(guān)鍵技術(shù)，設(shè)計(jì)了友好的圖形化輸入界面及多窗口輸出界面，形成了功能完整的CHIPIC3D模擬軟件。并最終應(yīng)用于對(duì)高功率微波源、真空電子學(xué)太赫茲源、脈沖功率真空器件等進(jìn)行三維粒子模擬。 該項(xiàng)目主要技術(shù)指標(biāo)如下：1.CHIPIC3D全三維電磁粒子模擬軟件在直角及圓柱坐標(biāo)系下實(shí)現(xiàn)了三維FDTD及粒子算法，能對(duì)各種對(duì)稱、非對(duì)稱結(jié)構(gòu)的高功率微波源及太赫茲波源器件進(jìn)行三維粒子模擬，模擬結(jié)果與實(shí)驗(yàn)吻合。2.采用基于消息交換與共享內(nèi)存相結(jié)合的并行計(jì)算方法，使加速比達(dá)到30以上;3.采用分段建模并行計(jì)算的方法，能對(duì)30米以上大尺度精細(xì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行三維粒子建模及模擬；4.將蒙特卡洛及Vaughan模型算法應(yīng)用于三維粒子模擬軟件，使其能模擬介質(zhì)表面二次電子倍增、氣體放電及介質(zhì)表面擊穿等復(fù)雜物理問題；5.采取面向?qū)ο蟮姆椒ǎ芴峁┯押玫膱D形化的輸入界面及多窗口輸出界面。 目前該軟件已在中國(guó)工程物理研究院流體物理研究所、中國(guó)工程物理研究院應(yīng)用電子學(xué)研究所、北京應(yīng)用物理與計(jì)算數(shù)學(xué)研究所、國(guó)營(yíng)第七七二廠、四川大學(xué)電子信息學(xué)院、西南交通大學(xué)等單位應(yīng)用。從軍事應(yīng)用角度來看，該軟件將縮短我國(guó)高功率微波源的研究周期，從而加快我國(guó)軍隊(duì)相關(guān)武器裝備的研究進(jìn)程；從經(jīng)濟(jì)效益角度來看，該軟件避免了大量的重復(fù)加工及重復(fù)試驗(yàn)，節(jié)約了大量的人力物力，從而為用戶單位帶來巨大的經(jīng)濟(jì)效益。

一種具有溫度補(bǔ)償?shù)膶挏囟热停希与妷夯鶞?zhǔn)源，設(shè)有啟動(dòng)電路、基準(zhǔn)核心電路、由溫度檢測(cè)電路、溫度邏輯開啟電路和高低溫溫度補(bǔ)償電路構(gòu)成的溫度補(bǔ)償電路。啟動(dòng)電路向基準(zhǔn)核心電路注入電流使其正常工作，基準(zhǔn)核心電路基于閾值電壓和熱電壓的一階溫度補(bǔ)償原理，采用ＣＭＯＳ型自偏置電流產(chǎn)生電路產(chǎn)生電流并經(jīng)過有源負(fù)載產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓ＶＲＥＦ，溫度檢測(cè)電路提取ＭＯＳ器件的閾值電壓進(jìn)行溫度檢測(cè)，經(jīng)溫度補(bǔ)償邏輯開啟電路進(jìn)行邏輯處理后輸出給高低溫溫度補(bǔ)償電路，高低溫溫度補(bǔ)償電路針對(duì)對(duì)不同的工作溫度范圍進(jìn)行補(bǔ)償并將補(bǔ)償結(jié)果反饋耦合到基準(zhǔn)核心電路輸出的基準(zhǔn)電壓中，實(shí)現(xiàn)寬溫度工作條件下低溫度系數(shù)和高電源抑制比的全ＭＯＳ電壓基準(zhǔn)源。