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本發(fā)明公開了一種高靜壓下液電脈沖激波發(fā)射器的預(yù)擊穿時(shí)延 調(diào)控方法，包括：根據(jù)液電脈沖激波發(fā)射器中的液體性質(zhì)和發(fā)射器結(jié) 構(gòu)尺寸獲得單位電壓作用下的激波間隙電場(chǎng)分布；根據(jù)工作液體中產(chǎn) 生超音速流注的臨界條件調(diào)控脈沖功率電源的工作電壓 Ub；當(dāng)激波發(fā) 射器中的電極附近電場(chǎng)達(dá)到超音速流注的臨界條件時(shí)，使得激波發(fā)射 器工作在超音速流注擊穿模式下；當(dāng)需調(diào)控電壓超過(guò)脈沖功率電源的 最高工作電壓仍無(wú)法達(dá)到超音速流注的臨界條件時(shí)，則通過(guò)調(diào)整激波 發(fā)射器的電極結(jié)構(gòu)來(lái)提高間隙間的電場(chǎng)強(qiáng)度；重復(fù)步驟使得當(dāng)工作電 壓低于脈沖

一、項(xiàng)目進(jìn)展 創(chuàng)意計(jì)劃階段 二、負(fù)責(zé)人及成員 姓名 學(xué)院/所學(xué)專業(yè) 入學(xué)/畢業(yè)時(shí)間 學(xué)號(hào) 簡(jiǎn)凱納 機(jī)電工程學(xué)院/機(jī)械工程 2018.9/2022.6 201831031312 張星 電氣信息學(xué)院/電子信息工程 2018.9/2022.6 201831072307 陳浩彬 機(jī)電工程學(xué)院/機(jī)械設(shè)計(jì)及其自動(dòng)化 2020.9/ 202031030285 鄧青藍(lán) 機(jī)電工程學(xué)院/機(jī)械設(shè)計(jì)及其自動(dòng)化 2018.9/2022.6 201831053229 三、指導(dǎo)教師 姓名 學(xué)院/所學(xué)專業(yè) 職務(wù)/職稱 研究方向 楊林君 工程訓(xùn)練中心/機(jī)械工程 實(shí)驗(yàn)師 機(jī)械工程 陳建勇 理學(xué)院/凝聚態(tài)物理 講師 凝聚態(tài)物理 四、項(xiàng)目簡(jiǎn)介 目前，在移動(dòng)機(jī)器人領(lǐng)域，輪式移動(dòng)機(jī)器人因具有結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、驅(qū)動(dòng)和控制方便、工作效率高等優(yōu)點(diǎn)被廣泛用在需要越過(guò)障礙物的工作中。但是，一般常用的移動(dòng)裝置為四輪驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，動(dòng)力相對(duì)不足，越障能力差；各種零部件之間拆裝特別繁瑣，不同模塊之間管理混亂，更換屬于一個(gè)模塊的壞掉的零部件往往需要拆卸掉其它模塊的零部件，電氣元器件之間走線雜亂無(wú)序，電池等器件暴露在外部空氣中，容易造成短路等安全問(wèn)題。因此，增大驅(qū)動(dòng)動(dòng)力，提高越障能力，加強(qiáng)模塊之間的管理，方便模塊之間的拆裝，提高電子元器件的安全性顯得尤為重要。 我們項(xiàng)目本次設(shè)計(jì)和研究的是一種六輪結(jié)構(gòu)的全地形機(jī)器人，使用模塊化安裝，使結(jié)構(gòu)更為緊湊穩(wěn)定，適用于多場(chǎng)景，提高輪式全地形機(jī)器人的應(yīng)用度。我們采用基于探索者的PLA材料高提純外分子重結(jié)晶化密致處理，極大增強(qiáng)了摩擦系數(shù)，底盤采用西南石油大學(xué)自主研發(fā)探索者二代原理高致合度準(zhǔn)剛性攀巖越障地盤，越野能力增強(qiáng)，其底盤后側(cè)主要為空體重心靠前，便于越障。

本發(fā)明公開了一種基于靜電紡絲工藝制備高比表面積碳纖維布 的方法，包括：(a)將聚丙烯腈溶入到二甲基甲酰胺中并混合均勻，然 后基于靜電紡絲工藝生成納米量級(jí)的高分子聚合物細(xì)絲；(b)將所生成 的高分子聚合物細(xì)絲執(zhí)行纏繞，并形成微米量級(jí)的高分子聚合物細(xì)線； 然后采用該高分子聚合物細(xì)線作為緯線和經(jīng)線，交織形成布狀結(jié)構(gòu)； (c)在保護(hù)氣氛下，將布狀結(jié)構(gòu)在 800℃～900℃的溫度下執(zhí)行熱解，并 使得高分子聚合物碳化生成碳纖維布；(d)使得碳纖維布的表面活化， 由此制得所需的碳纖維布產(chǎn)品。通過(guò)本發(fā)明，能夠制得具

近年來(lái)，我國(guó)社會(huì)工業(yè)快速發(fā)展，科學(xué)技術(shù)迅速提高，尤其是石油工業(yè)的發(fā)展更是突飛猛進(jìn)，氧化鋁作為石油工業(yè)中最常用的催化劑載體，其性能越來(lái)越受到人們的重視，其中比表面積和孔性質(zhì)是評(píng)價(jià)氧化鋁性能的主要標(biāo)準(zhǔn)，優(yōu)質(zhì)的氧化鋁應(yīng)具備以下優(yōu)點(diǎn)：比表面積高、 孔容大、孔徑分布集中，制備具有以上優(yōu)點(diǎn)的氧化鋁成為石油工業(yè)的研究熱點(diǎn)。擬薄水鋁石作為制備各種氧化鋁的前驅(qū)體以及制備石油工業(yè)催化劑的原料也越來(lái)越受到企業(yè)的重視。在工業(yè)上，擬薄水鋁石的制備方法主要有酸法、堿法、醇鋁法，但以上幾種方法自身均有一定的缺陷，如酸法制備的擬薄

本發(fā)明公開了一種高乙丙橡膠含量的多相聚丙烯共聚物，所述的多相聚丙烯共聚物由丙烯聚合物基體、乙烯-丙烯無(wú)規(guī)共聚物和乙烯-丙烯嵌段共聚物組成，所述丙烯聚合物基體的重量百分含量為10%~70%，乙烯-丙烯無(wú)規(guī)共聚物重量百分含量為25%~70%，乙烯-丙烯嵌段共聚物重量百分含量為5%~20%。本發(fā)明的多相聚丙烯共聚物乙丙橡膠含量不少于在30wt%，具有優(yōu)異的韌性，具有較高的抗沖擊強(qiáng)度尤其是低溫抗沖擊強(qiáng)度。本發(fā)明還公開了一種高乙丙橡膠含量的多相聚丙烯共聚物的制備方法，采用丙烯聚合和氣相乙烯-丙烯共聚合組合制備。

本發(fā)明公開了一種從高頻地波雷達(dá)海洋回波一階 Bragg 諧振峰中提取浪高的方法，通過(guò)建立 Bragg 海浪譜值隨浪高的響應(yīng)曲線，用在雷達(dá)近距離單元上由二階譜反演的浪高及一階峰功率去標(biāo)校遠(yuǎn)距離元 的一階峰功率，從而計(jì)算出遠(yuǎn)距離元上的浪高分布。本發(fā)明主要依賴的是 Bragg 海浪的不飽和特性，由 一階 Bragg 諧振峰提取浪高。由于在一般海態(tài)條件下一階峰顯著強(qiáng)于二階譜，因此本發(fā)明將大幅提高高 頻地波雷達(dá)的浪高探測(cè)距離，同時(shí)對(duì)于采用緊湊接收天線的便攜式雷達(dá)，可將使其獲得浪高的空間分辨 能力，從而極大促進(jìn)其發(fā)展和推廣應(yīng)用。

本發(fā)明涉及一種低彈性模量高疲勞強(qiáng)度的醫(yī)用植入鈦合金及制備方法，所述合金的組份及重量百分比為：Nb：30wt％～33wt％；Zr：1wt％～6wt％；Mo：2wt％～4wt％；O：0.20wt％～0.40wt％，余量為Ti；合金制備的具體步驟是：采用真空非自耗電弧爐熔煉獲得成分均勻合金鑄錠，經(jīng)熱鍛成棒材后在850℃?950℃固溶處理，水冷至室溫；隨后冷軋變形加工，變形量為80％?90％；最后進(jìn)行時(shí)效熱處理，其加熱溫度為400℃?500℃，保溫時(shí)間為1h?12h。本發(fā)明經(jīng)冷軋和熱處理后，強(qiáng)度顯著高于目前應(yīng)用最廣的醫(yī)用植入鈦合金Ti?6Al?4V，疲勞強(qiáng)度與Ti?6Al?4V相當(dāng)，而彈性模量?jī)H為Ti?6Al?4V的52％，生物相容性和力學(xué)相容性更優(yōu)異，可應(yīng)用于制備生物醫(yī)用植入體。

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成果與項(xiàng)目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性 好等優(yōu)點(diǎn)，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對(duì)于濺射制備電阻膜來(lái) 說(shuō)，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù) (TCR)是金屬膜電阻器的一個(gè)重要性能技術(shù)指標(biāo)之一，較大的 TCR 在溫度變化時(shí) 會(huì)造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術(shù)原理與工藝流程簡(jiǎn)介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級(jí)為千歐, 刻槽后數(shù)量級(jí)為 兆歐)且穩(wěn)定(隨時(shí)間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點(diǎn)高, 原子移動(dòng)性低, 因此由其所組成的薄膜 穩(wěn)定性高。通過(guò)在金屬 C r 中引入半導(dǎo)體材料 Si 來(lái)提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過(guò)程中, 可通過(guò)通入微量 的氧來(lái)提高薄膜的電阻率, 同時(shí)調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。 技術(shù)指標(biāo)如下： 溫度沖擊實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過(guò)載實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應(yīng)用領(lǐng)域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導(dǎo)體微環(huán)激光器 3 基光電集成電路 4 無(wú)線網(wǎng)絡(luò)與應(yīng)用：協(xié)作無(wú)線網(wǎng)絡(luò) 5 移動(dòng)通信—LTE 技術(shù)