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寬禁帶半導體硅基GaN器件以其高效率，高開關速度高工作溫度抗輻時等特點,成為當前國際功率半導體器件與技術學科的研究前沿及熱點，也是業界普遍認可的性能卓越的下代功率半導體器件。而S基GaN因其S基特性.能夠突破新材料在發展初期的成本牦頸且易與S集成電路產業鏈匹配，因此兼具高性能與低成本的優點在消費電子(如手機快沖與天線充電).數據中心與人工智能，無人駕駛與新能源汽車、5G通信等團家戰略新興領城具有巨大的應用前景。電子科技大學功率集成技術實驗室自2008年起即開展硅基GaN功率器件與集成技術研究,圍繞硅基GaN兩大核心器件:增強型功率晶體管、功率整流器進行基礎研究與應用技術開發。解決了增強型功率晶體管閾值電壓大范圍調控功率二圾管導通電壓調控與耐壓可靠性加查等關鍵技術瓶頸,研究成果為硅基GaN的產業化奠定了重要基礎。

大功率高壓調制電源能夠實現300kW以上的功率輸出；用于為系統提供穩定供電。項目采用全固態設計方式，安全有效快速反應，供電波形規則，前后沿窄，采用整體油箱方式隔離高壓，安全性高。

針對現有無功功率可調補償裝置結構復雜、投資大，維護使用不方便等不足，本實用新型提供一種無功功率可調補償裝置，該種無功功率可調補償裝置，結構簡單、操作方便、投資低、使用壽命長、補償效果顯著。 本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是：一種無功功率可調補償裝置，由無功元件、晶闡管開關、用于降壓的變壓器等構成，其結果特點是：用于降壓的變壓器為調壓變壓器，變壓器原邊繞組的始端接高壓母線、末端接地或者接另一相的高壓母線，次邊繞組始端附近的調節觸點經分接開關接低壓母線，該低壓母線與次邊繞組的末端之間接有無功元件與晶闡管開關的串聯體。 本實用新型的無功元件為電容器組或電抗器或濾波器，使得本實用新型既可吸收電網中的感性無功功率，也能吸收容性無容功率，還可在提高電網的功率因數的同時，濾除諧波提高電網質量。

LED具有長壽命、節能環保、微型化等優點，是目前最具競爭力的新一代綠色照明光源。突破高發光效率的功率型高端LED芯片技術，將加快實現LED在通用照明、可見光通信、高端顯示等領域的應用。在國家863計劃、廣東省戰略性新興產業LED專項等重大項目的支持下，項目團隊成功開發出效率超過130lm/W的高壓LED芯片、大尺寸垂直LED芯片和新型倒裝薄膜LED芯片，相關技術指標處于國內領先水平。相關成果發表在Nanoscale Research Letters等國際權威期刊上，申請了22 項國家專利，其中已授

太陽能功率優化器直接與光伏組件相連，對各光伏組件實施最大功率跟蹤，保證其在任意光照條件下和組件特性下的最大功率輸出。由于組件只與功率優化器相連，光伏組件之間不存在任何的相互連接，能夠從根本上消除不同光伏組件之間的影響，避免由于光照條件變化、組件局部遮陰、組件老化以及組件之間特性不一致造成的發電量損失，實現系統發電量的最大化。多個功率優化器形成的組串之間并聯連接，對每組串內部所串聯的功率優化器數量沒有嚴格限制，極大的增加了系統配置的靈活性。數據采集器在存儲光伏組件的發電數據和狀態信息的同時，還可實時對

本成果為大功率高性能智能化的直流電源，可廣泛用于工業生產各個領域，主要用作通信、電站的直流充電電源，也可用于電解、化成、電鍍、焊接、電加熱、電火花加工電源。采用高頻開關技術，具有體積小，重量輕的優點；采用電流模型PWM控制，精度高、動態性能好；采用單片機為核心的智能控制電路，操作簡單方便；具有通信接口，可以遙控遙測。最大功率10KW，輸出電壓系列40～32

       芯片功率器件測試平臺，以工程教育專業認證為引領參與高校專業建設，以信息化引領構建學習者為中心的教育生態，培養集成電路硬件測試人才。為學生提供豐富的教學資源以及貼近現實的產業環境，支撐集成電路相關課程的教學與實訓，且能進行項目開發和師資培訓。

本團隊基于電磁冶金領域二十余年的積累，掌握了銅合金領域最具挑戰性的銅鉻鋯合金的非真空熔煉-長尺寸大卷重電磁連鑄技術，開發出易偏析銅合金合金超細化與均質化連鑄技術、高性能銅合金多模式定制磁場凈化技術等一系列具有自主知識產權的核心技術。 一、項目分類 關鍵核心技術突破、顯著效益成果轉化 二、成果簡介 本團隊基于電磁冶金領域二十余年的積累，掌握了銅合金領域最具挑戰性的銅鉻鋯合金的非真空熔煉-長尺寸大卷重電磁連鑄技術，開發出易偏析銅合金合金超細化與均質化連鑄技術、高性能銅合金多模式定制磁場凈化技術等一系列具有自主知識產權的核心技術。相關技術應用于高強高導高彈銅合金領域如銅鉻鋯合金、銅鎳錫合金、銅鈦合金、銅碲合金及超高純無氧銅的規模化制備等都取得較好的效果。 1）銅鉻鋯非真空熔煉-電磁連鑄技術 由于鉻、鋯元素和氧的親和力較大，所以合金元素的燒損是銅鉻鋯合金的熔煉必須解決的問題。本項目團隊在銅合金熔煉，特別是銅鉻鋯合金的非真空熔煉方面，開展了近20年的研究，開發了一系列具有自主知識產權的非真空熔煉連鑄技術、成分穩定控制技術、合金熔體潔凈化技術等，獲授權發明專利和實用新型專利近20項。本團隊已在完成中試級表面光滑、內部致密無裂紋、成分均勻的全等軸晶銅鉻鋯棒線材，鑄態宏觀晶粒度經上海材料研究所測定為M-9.0級。此外，本團隊從前期研究中，從塑形變形工藝和熱處理工藝角度，提出采用多道次連續擠壓及熱處理工藝優化銅鉻鋯合金想性能的方法，并成功將銅鉻鋯棒材性能的抗拉強度提高到654MPa，斷后延伸率為13.5%，且電導率還能保持在79.3%IACS；這遠遠高于2017年電車線用銅鉻鋯合金線材國家標準的性能要求：抗拉強度＞570MPa，塑性＞3%，電導率＞75%IACS。相關技術已與世界五百強新興際華集團下屬新興發展集團有限公司達成1800萬元專利轉讓。 2）高均質超細晶電磁連鑄技術 傳統連鑄制備過程中多元銅合金如銅鉻鋯合金等常存在組織粗大、成分偏析等問題，這將會嚴重影響后續的材料加工過程，導致在后續的軋制，擠壓等工藝過程中很容易產生軋制裂紋等缺陷。本團隊開發的電磁場連鑄過程易偏析合金超細化與均質化調控技術，能在連鑄過程中，充分攪拌熔體，均勻化凝固前沿溫度，實現易偏析合金的超細化與均質化。該技術已被應用于銅鎳錫合金的連鑄中，實現了該合金連鑄制備的超細化和均質化，所制備全等軸晶銅鎳錫合金鑄態組織宏觀晶粒度達到M-10.0級。目前該技術已實現中試級百米長度的連續電磁鑄造，且已與寧波博威、上海中船重工711研究所、銅陵金威、溫州元鼎等開展合作。進一步將該技術推廣于銅碲、銅鐵、銅鈦的連鑄，均取得了極為優異的細晶、表面光潔、成分均勻的連鑄效果。 3）超高純無氧銅電磁連鑄技術 金屬材料純凈度是提高其力學和電學等綜合性能的關鍵因素，是制備高品質金屬材料的關鍵環節。高端金屬材料中夾雜物和氣泡對材料性能影響巨大，許多高端金屬材料的開發都取決于這類缺陷的控制水平。本團隊參與開發的金屬連鑄多模式定制磁場凈化技術，已成功應用于高純高導無氧銅材料的制備，可將銅中氧含量中降低3ppm以下，達到目前世界無氧銅的最高標準——美國ASTM≤3ppm。與此同時，該高純無氧銅的電導率高達100.1%IACS，目前已全面取代進口并用于我國蘭州重離子加速器、散裂中子源大科學裝置、美國Michigan大學FRIB裝置等重大科學裝置建設。該項技術已獲得2015年度上海市技術發明一等獎，2015年度教育部自然科學二等獎，2015年度教育部技術進步二等獎等獎項。目前該技術已與福建紫金銅業、上海上大眾鑫科技發展有限公司、寧波興業、寧波金田等開展深入合作。

功率DMOS是一類重要的新型功率器件，具控制電路簡單、開關頻率高、可靠性好等優點，因此廣泛應用于開關電源、汽車電子、DC/DC轉換等領域，市場需求巨大，目前在功率分立器件領域占據了最大的市場份額。本團隊在功率DMOS器件的研究方面有豐富的技術積累，開展了大量前沿性研究和產業化研究，目前本團隊在功率DMOS領域累計授權發明專利超過50項，能夠量產的產品型號近百種。