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本發明公開了一種產生大氣壓彌散放電非平衡等離子體的系統， 包括：直流電源、諧振充電電路、Tesla 變壓器諧振升壓電路、脈沖陡 化電路、限流電阻、線型電極，諧振充電電路包括充電晶閘管、充電 電感、濾波電容、原方電容，Tesla 變壓器諧振升壓電路包括放電晶閘 管、Tesla 變壓器、副方電容，脈沖陡化電路包括三電極火花開關和觸 發極電阻，直流電源的正極連接到充電晶閘管的陽極，直流電源的負極接地，充電晶閘管的陰極連接到充電電感的一端，充電電感的另一 端連接到放電晶閘管的陽極，濾波電容直接與直流電源并聯

本發明公開了一種非接觸式一維納米材料陣列的大面積組裝方 法，將一維納米材料分散到易揮發性溶劑中，通過刮墨工具的運動， 利用刮墨工具與液體的表面張力引導分散液進行涂布；同時加熱襯底 加速分散液的揮發，分散液中的一維納米材料會在運動、揮發過程中 受到剪切力的作用，使得一維納米材料向涂布方向上轉動，待分散溶 劑完全揮發，納米材料則有取向性地附著在襯底上。本發明方法可以 適用于易分散于醇、水、苯及氯仿等易揮發性溶劑中的一維納

本發明公開了一種基于非接觸式掃描二維碼的電動汽車充電系統和方法，包括充電樁、設于各充電 樁的第一信息采集裝置、第二信息采集裝置、信息處理模塊、通信模塊和顯示模塊；第一信息采集裝置、 第二信息采集裝置、通信模塊、顯示模塊均與信息處理模塊信號連接；信號處理模塊通過通信模塊與云 服務器信號連接。本發明實現了非接觸式的充電樁控制，簡化了電動汽車的充電操作，方便了運營商對 充電樁的管理，并可實現無人值守情況下充電費率的自動調節，從而促進城市智能充電網絡的

本發明公開了一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法， 包括多個垂直方向的三維 NAND 存儲串，每一個三維 NAND 存儲串 包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導體區域、分別位于半導體區 域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導體區域的隧穿電介 質、圍繞隧穿電介質上、下分布了多個分立的電荷存儲層、包裹了隧 穿電介質以及多個電荷存儲層的阻隔電介質層、與絕緣層相堆疊的控 制柵電極；圓柱形半導體區域包括多個存儲單元的

本發明公開了一種直流激勵磁場下的非侵入式快速溫度變化測量方法，包括：(1)將鐵磁性粒子置于待測對象處；(2)對所述鐵磁性粒子所在區域施加直流磁場使所述鐵磁性粒子達到飽和磁化狀態；(3)獲得待測對象在常溫下的穩態溫度 T1，根據所述穩態溫度 T1 計算出鐵磁性粒子的初始自發磁化強度 M1；(4)當待測對象發生溫度變化后，測量鐵磁性粒子在溫度變化后的磁化強度變化信號的幅值 A，根據所述磁化強度變化信號的幅值 A 計算得到

產品詳細介紹 貨號 質量 kg 精度 單位 價格 FM1KG-F1 1 F1 只 ￥689.00 FM1KG-F2 1 F2 只 ￥632.00 FM1KG-M1 1 M1 只 ￥537.00 貨號 質量 kg 精度 單位 價格 FM2KG-F1 2 F1 只 ￥812.50 FM2KG-F2 2 F2 只 ￥755.50 FM2KG-M1 2 M1 只 ￥632.00 貨號 質量 kg 精度 單位 價格 FM5KG-F1 5 F1 只 ￥1335.00 FM5KG-F2 5 F2 只 ￥955.00 FM5KG-M1 5 M1 只 ￥860.00 貨號 質量 kg 精度 單位 價格 FM10KG-F1 10 F1 只 ￥2385.00 FM10KG-F2 10 F2 只 ￥2005.00 FM10KG-M1 10 M1 只 ￥1920.00 貨號 質量 kg 精度 單位 價格 FM20KG-F1 20 F1 只 ￥2955.00 FM20KG-F2 20 F2 只 ￥2980.00 FM20KG-M1 20 M1 只 ￥2690.00  

本發明公開了異甜菊醇在制備治療非酒精性脂肪性肝病藥物中的應用。相對于現有技術，本發明發現了異甜菊醇能改善高脂飲食導致的大鼠非酒精性脂肪肝病，減少脂質在肝細胞內的累積，抑制游離脂肪酸導致的肝細胞內氧化應激，線粒體功能受損以及肝細胞凋亡，保護肝細胞。整體動物水平上表現為降低血清轉氨酶水平，減少血清中游離脂肪酸，改善血脂紊亂。這些作用表明異甜菊醇可用于非酒精脂肪性肝病的治療，具有開發藥物的前景。

本發明公開了一種金屬軟磁復合材料的非均勻形核絕緣包覆處理方法。它包括如下步驟：1）將金屬磁粉過篩進行粒度配比；2）利用非均勻形核法對配好的金屬粉末進行絕緣包覆后干燥；3）將干燥后的磁粉與粘結劑混合均勻，加入脫模劑干壓成型，將其壓制成坯樣；4）將坯樣于保護氣氛中保溫0.5~2h，空冷，噴涂，得到目標產物。本發明采用非均勻形核法制備的復合粉末包覆均勻、致密，包覆層厚度可控，具有良好的抗氧化性、高的電阻率、高的飽和磁化強度，具有優良的磁性能和力學性能；采用非均勻形核法在金屬磁粉表面均勻包覆一層Al2O3絕緣層，包覆效果優于現有方法，且可操作性強，便于批量生產。

本發明公開了一種基于探測器溫度的紅外圖像非均勻性校正方 法，通過圖像增益校正系數和采集的均勻背景圖像，計算探測器在不 同探測器溫度點下的偏置本底，進一步地，根據偏置本底和探測器當 前工作溫度的對應變化趨勢以插值方法估算探測器在當前工作溫度下 的偏移校正參數，最后利用圖像增益校正系數和偏移校正參數對紅外 圖像進行兩點校正。相應地，本發明還提出了一種對應的校正系統。 本發明無需紅外探測器溫控系統及調零擋片，根據探測器在不同溫度 點下的偏置本底和當前探測器的溫度及時有效地計算校正參數，在保 證紅外圖像校正效果的同時，有效降低了算法復雜度，增加了實時性。

簡介：本發明提供一種超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術領域。本發明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發明的優點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現了Cr-N基膜成分多元化和結構多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的