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本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的非易失性 SR 觸發(fā)器電路；包括憶阻器 ME、定值電阻 Rd、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS管、第四 MOS 管、第五 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2、第三反相器 N3 以及第四反相器 N4，以及將憶阻器與定值電阻串聯(lián)構(gòu)·721·成的分壓電路讀取模塊。主要是利用了憶阻的非易失和阻值隨流經(jīng)本身的電荷大小改變的特性，實(shí)現(xiàn)了 SR 觸發(fā)器的鎖存以及置位和復(fù)位功

本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的帶寬可調(diào)的低通濾波電路及其 操作方法，該電路由包含憶阻器的一階有源低通濾波電路以及憶阻器 的編程電路構(gòu)成。本發(fā)明利用憶阻器的閾值電壓特性，將憶阻器的工 作模式劃分為模擬工作模式和編程工作模式，通過改變憶阻器的阻值 改變?yōu)V波電路的帶寬。編程電路由憶阻器、四個(gè) NMOS 管以及四個(gè) PMOS 管構(gòu)成，一階有源濾波電路則由憶阻器、電容以及運(yùn)算放大器 構(gòu)成。本發(fā)明還公開了一種基于憶阻器的帶寬可調(diào)的

本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的情景記憶電路及其操作方法， 電路包括編碼電路和檢索電路；編碼電路可以根據(jù)事件本身及其相關(guān) 特征對(duì)事件進(jìn)行編碼并存儲(chǔ)于電路中，通過擦除信號(hào)對(duì)已存信息進(jìn)行 擦除，并將產(chǎn)生的記憶痕跡信號(hào)作為下級(jí)電路的輸入信號(hào)；檢索電路 能夠?qū)⒂洃浐圹E信號(hào)和檢索信號(hào)相互匹配進(jìn)而產(chǎn)生相應(yīng)的情景記憶行 為；本發(fā)明可以根據(jù)施加的相關(guān)脈沖操作，模擬生物的情景記憶行為。 完成人：繆向水、許磊、李祎、段念 

本發(fā)明屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種低粗糙度低 方阻的柔性透明導(dǎo)電復(fù)合薄膜，該薄膜為三層復(fù)合結(jié)構(gòu)，最底層為透 明聚合物薄膜，中間層為金屬納米線構(gòu)成的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，最頂層為均勻 覆蓋在所述透明聚合物薄膜與導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)上的透明導(dǎo)電層，該柔性透明 導(dǎo)電復(fù)合薄膜的平均粗糙度小于 20 納米，方阻低于 30 歐姆/平方米， 可見光范圍內(nèi)保持高于 80％的透光率，該透明導(dǎo)電薄膜能夠承受曲率 半徑 2 毫米的彎折。本發(fā)明還公開了該

本發(fā)明公開了一種基于憶阻器實(shí)質(zhì)蘊(yùn)涵操作的計(jì)算與存儲(chǔ)融合 的處理器及其操作方法；該處理器由多個(gè)計(jì)算與存儲(chǔ)融合單元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通過通信網(wǎng)絡(luò)相連接。本發(fā)明 中使用一種能記憶電阻的器件，即憶阻器。在設(shè)計(jì)電路時(shí)，憶阻器的 阻變特性已參與完成相應(yīng)的計(jì)算，并將計(jì)算結(jié)果用憶阻器的阻態(tài)來保 存，省去了傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中將計(jì)算結(jié)果輸出到存儲(chǔ)器的步驟，實(shí)現(xiàn) 計(jì)算與存儲(chǔ)的融合。通過通信網(wǎng)絡(luò)

本發(fā)明公開了一種基于憶阻器實(shí)質(zhì)蘊(yùn)涵操作的計(jì)算與存儲(chǔ)融合 的處理器及其操作方法；該處理器由多個(gè)計(jì)算與存儲(chǔ)融合單元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通過通信網(wǎng)絡(luò)相連接。本發(fā)明 中使用一種能記憶電阻的器件，即憶阻器。在設(shè)計(jì)電路時(shí)，憶阻器的 阻變特性已參與完成相應(yīng)的計(jì)算，并將計(jì)算結(jié)果用憶阻器的阻態(tài)來保 存，省去了傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中將計(jì)算結(jié)果輸出到存儲(chǔ)器的步驟，實(shí)現(xiàn) 計(jì)算與存儲(chǔ)的融合。通過通信網(wǎng)絡(luò)

本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的可編程模擬電路及其操作方法， 可編程模擬電路包括：阻變?cè)⒌谝浑娮琛⒌诙娮琛 型 MOS 管 和 P 型 MOS 管；第一電阻的一端作為可編程模擬電路的第一端口，阻 變?cè)囊欢伺c第一電阻的另一端連接，阻變?cè)牧硪欢俗鳛榭删?程模擬電路的第二端口；N 型 MOS 管的漏極和 P 型 MOS 管的漏極均 連接至阻變?cè)牧硪欢耍琋 型 MOS 管的源極和 P 型 MOS 管的源極 均

在 Nature，Science，Physical Review Letters，Advanced Materials 等學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文 200 余篇，申請(qǐng)中國發(fā)明專利 65 件，授權(quán)發(fā)明專利 22 件。2010 年相關(guān)塊體非晶復(fù)合材料韌化的工作被 Nature-Asia Materials 做專題評(píng)述，多項(xiàng)其它工作還被 Science，Materials Today，Nature 等學(xué)術(shù)雜志做專題評(píng)述以及其它世界各國媒體報(bào)道。在新一代超高強(qiáng)鋼和先進(jìn)耐熱鋼研究上取得了國際水平的研究成果，其中關(guān)于超高強(qiáng)鋼的成果被國際權(quán)威給予很高的評(píng)價(jià)，同時(shí)被科技部評(píng)為“2017 年度中國科學(xué)十大進(jìn)展”并在央視新聞聯(lián)播報(bào)道。 超高強(qiáng)鋼； 先進(jìn)高熵合金； 塊體非晶合金； 非晶納米晶軟磁合金； 非晶態(tài)耐磨耐蝕合金； 非晶與高熵合金釬焊材料； 高熵合金生物材料； 高強(qiáng)耐蝕鎂合金。

輕量化和綠色制造是實(shí)現(xiàn)航空航天和交通運(yùn)輸?shù)阮I(lǐng)域節(jié)能減排的重要手段，鋁合金是其輕量化首選，但傳統(tǒng)鋁合金服役性能不能滿足高端制造業(yè)發(fā)展的要求，制造過程也存在高污染、高能耗、質(zhì)量不穩(wěn)定等問題。以新思路、新原理、新材料、新工藝克服關(guān)鍵共性難題，突破鋁合金力學(xué)性能瓶頸、取代落后工藝是必然選擇。 本項(xiàng)目以多相熔體原子團(tuán)簇演變調(diào)控為突破口，發(fā)明系列納米晶種材料，提出納米晶種技術(shù)，已成為大幅提升鋁合金的綜合性能和加工工藝性能的創(chuàng)新手段。 傳統(tǒng)鑄造鋁硅合金生產(chǎn)中通常添加磷鹽、赤磷或磷銅合金調(diào)控共晶及過共晶Al-Si合金中的初晶硅相的尺寸、形貌及分布，但存在磷量不可控、變質(zhì)效果及產(chǎn)品質(zhì)量不穩(wěn)定、P2O5污染嚴(yán)重的問題。生產(chǎn)中通常采用傳統(tǒng)Al-Ti-B及Al-Ti-C細(xì)化劑鋁合金基體的α-Al枝晶，但是因Si“中毒”及Zr “中毒”，對(duì)含Si或含Zr鋁合金幾乎失去細(xì)晶強(qiáng)化作用。基于以上難題，山東大學(xué)發(fā)明了用于調(diào)控初晶硅相的Al-P系納米晶種材料及用于鋁合金晶粒細(xì)化的強(qiáng)效AlTiC-B系納米晶種材料。 Al-P系納米晶種：①節(jié)能減排：與傳統(tǒng)工藝相比，避免了P2O5有毒氣體排放，簡(jiǎn)化工序，節(jié)能降耗。②產(chǎn)品質(zhì)量提升：實(shí)現(xiàn)了初晶硅尺度及構(gòu)型高效調(diào)控，鋁活塞鑄件抗拉強(qiáng)度提升0%，體積穩(wěn)定性和可靠性顯著提高。③高純化：可將鋁熔體中Ca、Na、Sr含量分別由22 ppm、14ppm、14 ppm降低至1 ppm以下。 AlTiC-B系納米晶種：①解決了Si、Zr細(xì)化“中毒”等難題，有效調(diào)控基體相。②提升了Al-Cu系鋁熔體的流動(dòng)性，解決了熱裂、澆不足等行業(yè)難題。③提升了鑄件性能：與傳統(tǒng)Al-Ti-B相比，使A356合金屈服強(qiáng)度提高15%，延伸率提高37%；使2024合金抗拉強(qiáng)度由398MPa提升至550MPa，延伸率由9.8%提升至15.5%。 獲獎(jiǎng)情況:2016年度山東省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)，納米晶種合金系列產(chǎn)品與耐熱高強(qiáng)輕金屬材料的創(chuàng)制及應(yīng)用2009年度山東省技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)，硅-磷和鋁-磷合金研制與發(fā)動(dòng)機(jī)活塞材料強(qiáng)化新技術(shù)2005年度山東省科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)，富磷富碳中間合金的研究與應(yīng)用2004年度教育部技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)，高效Al-P中間合金及其變質(zhì)處理

一種納米晶氮碳化鈦陶瓷超細(xì)粉的高溫碳氮化反應(yīng)制備法,以納米氧化鈦和納米碳黑為原料,工藝步驟依次為配料、混料、干燥、裝料、高溫碳氮化、球磨、過篩。此法工藝簡(jiǎn)單,成本較低,較一般碳熱還原法節(jié)約能源,容易實(shí)現(xiàn)規(guī)模化工業(yè)生產(chǎn)。通過控制反應(yīng)溫度、保溫時(shí)間、氮?dú)鈮毫?或流量)、碳鈦配比等工藝因素可以合成各種氮含量的氮碳化鈦納米晶超細(xì)粉。用此法制備的氮碳化鈦粉末為球形,分散性較好,平均粒度為100～200NM,平均晶粒度為20～50NM,純度達(dá)99%以上。