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本實用新型公開了一種適應多規格芯片的表面貼裝機拾取裝置，包括 Z 向進給模塊、傳動模塊、氣路模塊、花鍵軸模塊和吸嘴模塊，其中 Z 向進給模塊用于帶動背板上下運動；氣路模塊中的真空發生器用于產生真空，并通過氣管、快接接頭和花鍵軸聯接，在花鍵軸內部產生真空環境；傳動模塊用于保證吸取的芯片在貼裝時姿態的精準度；花鍵軸模塊用于傳遞旋轉運動和提供緩沖作用；吸嘴模塊則通過吸嘴頭與吸嘴桿內嵌的密封墊產生不同的配合，控制不同組合的通氣孔的開閉，進而使吸嘴頭產生不同尺寸的真空域。通過本實用新型，應能夠僅采用一種吸嘴即

本實用新型公開了一種倒裝 LED 芯片在線檢測的收光積分球，該收光測試組件包括積分球組件和光學測試組件，其中積分球組件包括積分球模塊、積分球夾具、積分球升降裝置；其中積分球模塊包括積分球、積分球 90°轉接頭，積分球的開口設置有石英玻璃，其設置方式是采用石英玻璃夾具套設在積分球的收光口處，其中石英玻璃夾具呈圓筒狀，其內側在略高于收光口的上方設置有凸臺，用于放置固定石英玻璃。按照本實用新型設計的收光測試組件，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片測試探針下壓時的不穩定問題，能顯著提高積分球的收光效率，具有高

本發明公開了一種固態盤內部閃存芯片閾值電壓感知優化方法， 主要用于多層單元閃存芯片使用低密度奇偶校驗碼糾錯時的一種優化 方法。該系統結構主要由 LDPC 編碼模塊、閃存芯片存儲模塊、非均 勻閾值電壓感知模塊、對數似然比計算模塊和 LDPC 譯碼模塊組成。 LDPC 編碼模塊主要對原始數據利用 LDPC 生成矩陣編碼生成碼字； 閃存芯片存儲模塊主要存儲數據；非均勻閾值電壓感知模塊主要對閃 存芯片進行非均勻閾值電壓感知；

本發明公開了一種基于電控液晶紅外匯聚平面微柱鏡的紅外波束控制芯片。包括電控液晶紅外匯聚平面微柱鏡陣列；電控液晶紅外匯聚平面微柱鏡陣列包括液晶材料層，依次設置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向層、第一電隔離層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向層、第二電隔離層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；公共電極層由一層勻質導電膜構成；圖形化電極層由布有 m×n 元陣

本發明公開了一種液晶基電調空間分辨率全色成像探測芯片，包括陶瓷外殼、金屬支撐和散熱板、驅控和圖像預處理模塊、面陣全色成像探測器、以及面陣電控液晶微透鏡，驅控和圖像預處理模塊、面陣全色成像探測器、以及面陣電控液晶微透鏡設置于陶瓷外殼內，陶瓷外殼后部固定設置于金屬支撐和散熱板頂部，驅控和圖像預處理模塊固定設置于陶瓷外殼后部與金屬支撐和散熱板連接處，面陣全色成像探測器平行設置于驅控和圖像預處理模塊頂部，面陣電控液晶微

本發明公開了一種適應多規格芯片的表面貼裝機拾取裝置，包 括 Z 向進給模塊、傳動模塊、氣路模塊、花鍵軸模塊和吸嘴模塊，其 中 Z 向進給模塊用于帶動背板上下運動；氣路模塊中的真空發生器用 于產生真空，并通過氣管、快接接頭和花鍵軸聯接，在花鍵軸內部產 生真空環境；傳動模塊用于保證吸取的芯片在貼裝時姿態的精準度； 花鍵軸模塊用于傳遞旋轉運動和提供緩沖作用；吸嘴模塊則通過吸嘴 頭與吸嘴桿內嵌的密封墊產生不同的配合，控制不同組合的通氣孔的 開閉，進而使吸嘴頭產生不同尺寸的真空域。通過本發明，應能夠僅 采用一

本發明公開了一種用于無源超高頻 RFID 標簽芯片解調電路， 包括整流電路、取包絡電路、低通濾波電路、均值產生電路、比較器、 整形電路、使能控制電路、偏置電路。整流電路由主級和輔助級構成， 采用閾值補償實現，取包絡電路在使能控制電路控制下提取包絡，低 通濾波電路直接采用 RC 結構，均值產生電路由運算放大器、二極管 和電容構成，利用峰值檢測的原理實現，比較器采用開環的運算放大 器實現，整形電路由兩個級聯的反相器構成，

本發明公開了一種液晶基單眼復眼一體化成像探測芯片，包括陶瓷外殼、金屬支撐和散熱板、以及單眼復眼一體化成像探測架構，陶瓷外殼后部固置于金屬支撐和散熱板頂部，單眼復眼一體化成像探測架構設置于陶瓷外殼內，并包括同軸順序設置的驅控與圖像預處理模塊、面陣可見光探測器以及面陣電控液晶成像微透鏡，面陣電控液晶成像微透鏡用于從陶瓷外殼頂部開口接收可見光，并將該可見光聚焦到面陣可見光探測器，驅控與圖像預處理模塊通過通訊與控制信號

本發明公開了一種 LED 倒裝芯片的圓片級封裝結構、方法及產品，包括 LED 倒裝芯片、硅基板、透鏡、印刷電路板和熱沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的長度與芯片的長度相同；硅基板的反面加工有兩組通孔，兩通孔與凹腔相連通；在凹腔和兩通孔的表面沉積有絕緣層；凹腔表面的絕緣層上沉積有散熱金屬層和反光金屬層；兩通孔內填充有金屬體，通孔內的金屬體與凹腔表面的散熱金屬層相接；凹腔內底部的兩金屬層存在一開口，用于將該金屬層隔離為兩部分；硅基板的反面沉積有絕緣層，該絕緣層表面布線用于電極連接的金屬層；凹

5月28日，作為2023年中關村論壇國際技術交易大會板塊重點活動之一，世界知名高校技術轉移發展大會于中關村軟件園國際會議中心成功舉辦。教育部科學技術與信息化司司長雷朝滋在致辭中表示，我們將持續推進高校技術轉移體系和能力的建設，推動高校科技成果加快轉化為現實生產力，更好服務經濟社會高質量發展。  教育部科學技術與信息化司司長 雷朝滋 在“2023中關村論壇”世界知名高校技術轉移發展大會上的致辭  尊敬的各位來賓，女士們、先生們、朋友們： 大家上午好！很高興參加世界知名高校技術轉移發展大會，與各位共同交流高校科技成果轉移轉化工作。我謹代表教育部科學技術與信息化司向與會各位嘉賓表示誠摯的歡迎。 5月25日，習近平主席專門向中關村論壇發來賀信，充分體現了中國政府對科技創新和國際合作的高度重視。創新是引領發展的第一動力。新時代十年，中國把科技創新擺在國家現代化建設全局的核心地位，推動科技事業發展取得顯著成就，進入創新型國家行列。世界知識產權組織全球創新指數排名顯示，2022年中國名列第11位，連續10年穩步提升。 高校作為科技第一生產力、人才第一資源、創新第一動力的重要結合點，是國家創新體系的重要組成部分，是科技成果的重要供給側。近年來，中國高校堅持面向世界科技前沿、面向經濟主戰場、面向國家重大需求、面向人民生命健康，不斷加強創新體系建設，加速匯聚創新資源，積極開展國際科技交流合作，科技創新綜合實力實現躍升，取得一批重大科技突破，培養了一大批高質量創新人才，為經濟社會高質量發展提供了有力支撐。據統計，2021年度高校專利授權數量超過30萬項，通過轉讓、許可等方式轉化專利的合同金額達88.9億元。 在新的起點上，中國政府提出“教育、科技、人才是全面建設社會主義現代化國家的基礎性、戰略性支撐”。面臨新的要求和任務，我們認為與世界高水平大學相比，中國高校科技創新支撐服務產業發展的整體水平仍存在不小的差距，科技創新賦能經濟社會發展的潛力還有待進一步發揮。 為此，教育部出臺《關于加強高校有組織科研 推動高水平自立自強的若干意見》，與科技部、國家知識產權局等部門合作，聯合出臺了《關于提升高等學校專利質量 促進轉化運用的若干意見》，完善高校知識產權全流程管理體系，推行專利申請前評估和職務科技成果披露制度；加強高校有組織科研，推動企業主導的產學研深度融合，加強高質量科技成果創造，加快實現產業化；聯合開展高校專業化國家技術轉移機構建設，持續提升高校成果轉化和技術轉移專業化水平；聯合推進國家大學科技園建設，探索布局未來產業科技園，推動高校科技成果與產業更好對接，培育新的經濟增長點。 今后，我們將持續推進高校技術轉移體系和能力的建設，推動高校科技成果加快轉化為現實生產力，更好服務經濟社會高質量發展。 一是深化產學研協同創新。支持高校瞄準經濟社會發展需要特別是產業的需要，強化與龍頭企業、中小企業的產學研合作，加強科學研究系統布局，推動科技創新與應用需求更加緊密結合，加快創新鏈產業鏈深度融合，實現科技創新與市場需求的緊密聯系，加強高質量科技成果創造，支撐推動產業高質量發展。 二是提升技術轉移效率。積極借鑒國外高校技術轉移先進經驗做法，探索高校科技成果轉化的新模式新機制，大膽創新技術轉移機制、大力強化專業化技術轉移機構和人才隊伍建設，加快促進高校科技創新成果向現實生產力轉移轉化。 三是加強國際交流合作。希望通過此次大會，搭建起技術轉移交流合作的橋梁，持續深入推動促進國內外高校開展交流合作，相互借鑒、相互促進，積極吸納更多國內外技術成果在中國市場轉移轉化，也推動中國高校的科技成果為更多國家和人民所享、所用，共同造福人類。 最后，預祝大會取得圓滿成功！也歡迎更多的國內外高校積極參與世界知名高校技術轉移發展大會，加強交流，共享經驗，共同發展。謝謝大家！