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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺
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一種燃料電池膜電極熱壓頭上表面貼片的糾偏補(bǔ)償方法
本發(fā)明公開了一種燃料電池膜電極熱壓頭上表面貼片的糾偏補(bǔ)償方法。傳統(tǒng)的機(jī)器視覺采圖后擺動氣缸翻轉(zhuǎn)，然后貼片，不能保證GDL 的貼裝精度，另外，由于 GDL 料盒比 GDL 本身尺寸稍大，不能保證每次真空拾取機(jī)構(gòu)吸取 GDL 的中心軸線都與旋轉(zhuǎn)軸的中心軸線重合，因此翻轉(zhuǎn)后也會有誤差。本發(fā)明主要解決這兩個誤差的計算和補(bǔ)償方法，實現(xiàn)熱壓頭上表面的準(zhǔn)確貼片。本發(fā)明基于現(xiàn)有的 GDL 熱壓裝備實現(xiàn)，首先對相機(jī)進(jìn)行標(biāo)定，標(biāo)定兩個相機(jī)各自的像素坐標(biāo)系和世界坐標(biāo)系的關(guān)系，分別根據(jù)是由安裝誤差引起的貼片糾偏或者是由軸線
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種納米氫氧化鈷-石墨烯復(fù)合膜、其制備方法及應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種納米氫氧化鈷-石墨烯復(fù)合膜、其制備方法及 應(yīng)用。所述復(fù)合膜，包括納米石墨烯底層和納米氫氧化鈷表層，所述 納米石墨烯底層厚度在 4000nm 至 6000nm 之間，所述納米氫氧化鈷表 層厚度在 50nm 至 100nm 之間，所述納米氫氧化鈷表層均勻沉積在所 述納米石墨烯底層上。其制備方法，包括以下步驟：將氧化石墨烯均 勻分散于水中，涂敷在片狀導(dǎo)電基底上，干燥得到納米氧化石墨烯膜； 組建三電極體系采用
華中科技大學(xué)
2021-04-14
適用于對移動中的柔性膜執(zhí)行標(biāo)識的多自由度打標(biāo)裝置
本發(fā)明屬于柔性膜質(zhì)量檢測設(shè)備相關(guān)領(lǐng)域，并公開了一種適用 于對移動中的柔性膜執(zhí)行標(biāo)識的多自由度打標(biāo)裝置，包括支撐組件、 傳動組件、動力組件、打標(biāo)針組件和記號筆組件，其中支撐組件可實 現(xiàn)打標(biāo)裝置的機(jī)械連接，同時還具有導(dǎo)向和位置調(diào)節(jié)的功能；動力組 件為打標(biāo)裝置提供可控的動力，傳動組件可適于在運動中多自由度地 驅(qū)動打標(biāo)針組件和記號筆組件，并提供高精度的打標(biāo)操作；打標(biāo)針組 件和記號筆組件分別可在柔性膜上打出針孔和顏色標(biāo)記，并檢測標(biāo)記 是否成功完成。通過本發(fā)明，在高速運動過程中也能夠高精度、穩(wěn)定 可靠地執(zhí)行打標(biāo)操作，而且反應(yīng)靈敏度高，因而尤其適用于 RFID 標(biāo) 簽之類對表面標(biāo)識質(zhì)量高的運用場合。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
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一種高效選擇性捕獲三價鉻離子的復(fù)合膜及其制備方法
本發(fā)明涉及一種高效選擇性捕獲三價鉻離子的復(fù)合膜及其制備方法。所述復(fù)合膜由聚醚砜（PES）基膜、鋅離子與生物分子自組裝層以及ZIF?8金屬有機(jī)框架層組成。其制備方法包括：通過鄰苯三酚與氨基酸協(xié)同改性PES基膜表面，形成穩(wěn)定的負(fù)電荷層；利用靜電作用將鋅離子與生物分子自組裝于改性膜表面，并以此為基底原位生長ZIF?8層。該復(fù)合膜通過ZIF?8的孔隙限域效應(yīng)及表面官能團(tuán)配位作用，實現(xiàn)對Cr3+的高效捕獲，吸附容量提升，截留率超過99%，且在復(fù)雜共存離子體系中表現(xiàn)出優(yōu)異的選擇性吸附性能。
南京工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
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高穩(wěn)定金屬膜電阻器用磁控濺射中高阻靶材及制備技術(shù)
成果與項目的背景及主要用途：
Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性好等優(yōu)點，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來說，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù)(TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術(shù)指標(biāo)之一，較大的 TCR 在溫度變化時會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。
技術(shù)原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級為千歐, 刻槽后數(shù)量級為兆歐)且穩(wěn)定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜穩(wěn)定性高。通過在金屬 C r 中引入半導(dǎo)體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。技術(shù)指標(biāo)如下：溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。
應(yīng)用領(lǐng)域：
集成電路、電子元器件
合作方式及條件：具體面議
天津大學(xué)
2021-04-11
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化工學(xué)院曹景沛課題組在生物質(zhì)溫和加氫轉(zhuǎn)化領(lǐng)域取得系列進(jìn)展
課題組結(jié)合水熱法和浸漬法，成功制備了具有大比表面積、大平均孔徑和更多外孔的雙功能金屬/酸Ru/SHZSM-5-100（Ru/SHZ5-100）催化劑。制備的Ru/SHZ5-100催化劑在更加溫和的條件下對木質(zhì)素衍生的二苯醚表現(xiàn)出最佳的加氫脫氧性能。
中國礦業(yè)大學(xué)
2022-06-01
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高d33無鉛壓電陶瓷-聚合物-鹽壓電復(fù)合材料及其制備方法
本發(fā)明涉及一種具有高d33無鉛壓電陶瓷與聚合物和鹽壓電復(fù)合材料及其制備方法,屬于壓電復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域。按(1-x)(LiaNabK1-a-b)(Nb1-cSbc)O3-xABO3-yM組分配料,采用傳統(tǒng)陶瓷制備工藝制備好鈮酸鈉鉀基無鉛壓電陶瓷粉料;再將陶瓷粉料與聚合物聚偏氟乙烯和鹽按設(shè)計比例混合,接著將混合粉料經(jīng)冷壓成型后加溫處理,再在其表面濺射金電極,硅油浴中極化后測試其壓電復(fù)合材料樣品的壓電性能d33;最后將樣品放置在空氣中,再測試其樣品壓電性能d33。結(jié)果表明,加鹽的鈮酸鈉鉀基無鉛壓電陶瓷-聚合物壓電復(fù)合材料的d33比未加鹽的d33有大幅度提高。
四川大學(xué)
2021-04-11
一種鋰、鈰、鉭共摻鈮酸鉍鈣基壓電陶瓷材料及其制備方法
本發(fā)明公開了一種鋰、鈰、鉭共摻鈮酸鉍鈣基壓電陶瓷材料及其制備方法，其特點是該壓電陶瓷材料由通式Ca1-x(Li, Ce)x/2Bi2Nb2-yTayO9表示，0.02≤x≤0.15，0.01≤y≤0.3，其中X表示A位鋰、鈰元素的摩爾分?jǐn)?shù)，Y表示B位鉭元素的摩爾分?jǐn)?shù)。采用固相法制備A位鋰、鈰(Li，Ce)，B位鉭(Ta)不同摻雜量的鈮酸鉍鈣(CBN)陶瓷粉體材料；再通過造粒、壓片、排膠、燒結(jié)、被銀、極化的工藝制備鋰、鈰、鉭共摻雜CBN基壓電陶瓷材料。結(jié)果表明在較低的燒結(jié)溫度（～1100）℃下制備得到的鋰、鈰、鉭共摻雜CBN基壓電陶瓷材料，其晶粒比較致密、晶粒均勻，提高了燒結(jié)活性及陶瓷的致密性，使得燒結(jié)效果更好；壓電性能大大提高，并降低其介電損耗。
四川大學(xué)
2021-04-11
“互聯(lián)網(wǎng)+”大學(xué)生創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽間接帶動就業(yè)超400萬人
中國國際“互聯(lián)網(wǎng)+”大學(xué)生創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽參賽項目累計落地創(chuàng)辦企業(yè)超過7萬個，創(chuàng)造就業(yè)崗位超過60萬個，間接帶動就業(yè)超過400萬人。
新華社
2020-11-11
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一種迭代空間模糊聚類的大腦磁共振圖像超體素生成方法
本發(fā)明公開了一種迭代空間模糊聚類的大腦磁共振圖像超體素生成方法，包括以下步驟：首先，由于人類大腦具有相同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從基于群體的大腦MRI模板獲得一組種子模板；其次，為了排除部分容積效應(yīng)的影響，提出了一種迭代空間模糊聚類算法，將體素分配給每個種子生成超體素。本發(fā)明能較好地應(yīng)用于大腦磁共振圖像，生成有效的大腦磁共振圖像超體素。
東南大學(xué)
2021-04-11