|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
一種基于壓電陶瓷執行器的軸承預緊力自調節裝置
本發明涉及一種基于壓電陶瓷執行器的軸承預緊力自調節裝置，其包括：軸承密封件，安裝基座（6），調整環（8）和壓電陶瓷執行器（7），其中，所述壓電陶瓷執行器包括：安裝底座（702），壓電陶瓷堆定位圈（701），壓電陶瓷堆（708），輸出軸（707），彈性變形體（706），每個軸承沿圓周方向均勻布置若干個執行器，分別控制軸承上該若干位置的預緊力，工作過程中，對軸承圓周方向上幾個位置的預緊力進行測量，根據測量值分別控制相應位置的壓電陶瓷執行器，輸出合適的位移和力對軸承進行預緊。本裝置實現了軸承
華中科技大學
2021-04-14
一種應用于水聲換能器的壓電陶瓷材料及制備方法
本發明公開了一種應用于水聲換能器的壓電陶瓷材料及其制備 方 法 ， 該 壓 電 陶 瓷 材 料 的 化 學 通 式 表 示 如 下 ： Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)0.08Zr0.47Ti0.45O3+xwt ％ CeO2+ywt ％ Yb2O3+zwt ％ BiFeO3 ； 式 中 Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)0.08Zr0.47Ti
華中科技大學
2021-04-14
一種低溫共燒微波介質陶瓷基板材料及其制備方法
本發明公開了一種低溫共燒微波介質陶瓷基板材料及其制備方 法。該基板材料由 5ZnO·2B2O3 粉料和 Pb1.5Nb2O6.5 粉料混合燒結 而成，其中，Pb1.5Nb2O6.5 的摩爾百分比含量為 4.5～7.0mol％，基板 材料的主晶相為 3ZnO·B2O3，次晶相為 Pb1.5Nb2O6.5，介電常數εr ＝7.7～8.6，品質因數 Q×f＝9974～16674GHz，諧振頻率溫度系數τf ＝-14～+21ppm/℃，滿
華中科技大學
2021-04-14
一種在還原氣氛燒結的高頻高介陶瓷制備方法及其產品
本發明公開了一種抗還原高頻高介陶瓷介質及其制備方法。采 用固相反應法合成的 xBaO-yNd2O3-ySm2O3-zTiO2 為主晶相材料，加 入改性添加劑，改性添加劑選自 BaO、CuO、B2O3 或 BaO、B2O3、 MnO2、CuO，改性添加劑在介質材料的配方組成中所占的摩爾質量百 分比為 35.5～119.5mol％；經濕法球磨、干燥，從而獲得一種能夠以 鎳或鎳合金作為內電極，適合在還原氣氛中燒結的陶瓷介質材料、該
華中科技大學
2021-04-14
一種在還原氣氛燒結的高頻高介陶瓷制備方法及其產品
本發明公開了一種抗還原高頻高介陶瓷介質及其制備方法。采 用固相反應法合成的 xBaO-yNd2O3-ySm2O3-zTiO2 為主晶相材料，加 入改性添加劑，改性添加劑選自 BaO、CuO、B2O3 或 BaO、B2O3、 MnO2、CuO，改性添加劑在介質材料的配方組成中所占的摩爾質量百 分比為 35.5～119.5mol％；經濕法球磨、干燥，從而獲得一種能夠以 鎳或鎳合金作為內電極，適合在還原氣氛中燒結的陶瓷介質材料、該
華中科技大學
2021-04-14
電力電子模塊用關鍵絕緣材料 （導熱絕緣陶瓷覆銅DBC板）
在電力半導體模塊的發展中，隨著集成度的提高，體積減小，使得單位散熱面積上的功耗增加，散熱成為模塊制造中的一個關鍵問題，而傳統的模塊結構（焊接式和壓接式）已無法成功地解決散熱問題。因此對處于散熱底板和芯片之間的導熱絕緣材料提出了新要求。目前，國內外電力電子行業所用此種材料一般是陶瓷-金屬復合板結構，簡稱DBC板
西安交通大學
2021-01-12
一種提高Y2NiMnO6陶瓷多鐵性能
青島大學
2021-04-13
清華團隊提出多孔膜中催化劑取向生長策略，制備堿性電解水的有序化膜電極，將1m3氫氣電耗降至3.83度
清華大學王保國教授團隊從事膜分離和電化學工程的交叉領域科學研究，迄今已有近 20 年時間。他們從降低能耗角度出發，提出了“一體化”膜電極的概念，其核心是通過在多孔膜中，電催化劑原位取向生長策略，降低電子/氣體/離子的傳遞阻力，從而提高電解水產氫速率。
清華大學
2023-08-09
一種超雙親多孔膜材料及其制備方法和應用
一種超雙親多孔膜材料及其制備方法和應用，步驟如下：（1）室溫下，先將碳納米管粉體和表面活性劑分散于水中，形成均一混合溶液；（2）向上述混合溶液中加入水性三聚氰胺甲醛樹脂溶液，混勻制得所需反應液；（3）將上述反應液刷涂或噴涂在干凈的多孔基材上，80~120℃干燥固化10~30min，即可制得超雙親油水分離用多孔膜材料。本發明所述的多孔膜材料既保持了原有泡沫銅基底良好的機械性能，同時又具有很好的超雙親性，即可截留水讓油通過，也可截留油讓水通過，從而具有雙重分離效果。
東南大學
2021-04-11
大面積高質量金剛石自支撐膜的制備技術
本項目是國家863計劃”85” 和”95”重大項目的階段性研究成果(合作單位:河北省科學院)。 包含”大面積高功率DC Arc Plasma Jet CVD金剛石膜高速沉積設備”和”大面積高質量金剛石自支撐膜制備工藝”兩部分。其目標是向國內外市場提供大面積高質量廉價金剛石自支撐膜。技術基本成熟, 設備和工藝已在廣東、北京和天津的一些工廠和研究院所應用。目前已開發兩種不同功率級別, 100千瓦級和30千瓦級的設備, 工具級金剛石膜沉積速率: 40～50mm/h, 沉積面積: ?110mm (100千瓦級), 或?60mm (30千瓦級)。利用本項目技術生產的工具級金剛石膜可達到的指標: 面積: ????mm (100千瓦級), 或 ???mm (30千瓦級); 厚度: 最大2mm; 維氏硬度: 8000～11000 kg/mm2; 抗彎強度: > 300 MPa。光學級金剛石自支撐膜目前最大面積為?60mm, 厚度約0.6mm, 從紫外(0.22?m)到遠紅外(>20?m, 直至微波)透明, 8～12?m波段透過率～70%, 熱導率～19W/cm.k, 各項物理化學性能均與天然Ⅱa型寶石級金剛石單晶接近。 該項目適用于光學級金剛石自支撐膜: 工業CO2激光器窗口, 需要在極端惡劣工業環境(高溫、腐蝕、幅射、磨損、沖刷等)下工作的光學裝置窗口、軍事窗口等。也可用于中高檔耐用裝飾品制作。 熱沉級金剛石自支撐膜: 半導體二極管激光器熱沉、功率半導體器件(Power IC)的金剛石封裝、MCMs (大規模集成電路的三維立體組裝技術)用大面積金剛石熱沉、高功率微波器件熱沉。 工具級金剛石自支撐膜: 金剛石拉絲模模芯、金剛石自支撐膜釬焊工具、各種抗極度摩擦磨損工具和模具及儀器零件。
北京科技大學
2021-04-11