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本發(fā)明公開了一種用Bi/Mo/Fe/Ce四組分復(fù)合氧化物催化劑合成1,3-丁二烯的方法。本發(fā)明使用該四組分催化劑進行1-丁烯的氧化脫氫生產(chǎn)1,3-丁二烯的方法。更具體的說，采用鐵鹽、鉍鹽、鉬鹽、鈰鹽和去離子水按照一定摩爾比配置，堿液調(diào)節(jié)pH值，經(jīng)濃縮、過濾、干燥、焙燒、冷卻后，再通過研磨、篩分得到Bi/Mo/Fe/Ce的四組分復(fù)合氧化物催化劑。與由金屬組分構(gòu)成的常規(guī)多組分金屬氧化物催化劑不同的是，根據(jù)本發(fā)明，可以對金屬組分的比例進行系統(tǒng)研究就可以制得用于1,3-丁二烯制備工藝的高活性、高選擇性Bi/Mo/Fe/Ce四組分復(fù)合氧化物催化劑。

公示期2024年1月8日至2024年1月12日。

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨的標定。       DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨特的優(yōu)勢。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點： ※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標準曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度； ※ 遵循DT-640標準溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標準曲線：DT640 ※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達：75V； ※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用； ※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。 ???????

中國海洋大學(xué)服務(wù)器、圖形工作站、相機等設(shè)備采購項目（二次）競爭性磋商

利用有機發(fā)光二極管(OLEDs)中激發(fā)態(tài)的指紋式磁效應(yīng)曲線作為一種靈敏高效的探測工具，物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院熊祖洪課題組在有機半導(dǎo)體明星材料¾紅熒烯（Rubrene）中發(fā)現(xiàn)了一個有利于增強器件發(fā)光效率的激子演化通道，即激子的高能態(tài)反向系間竄越（High-Level Reverse Intersystem Crossing (HL-RISC)，T2®S­1®S0+hn）過程，并通過調(diào)控器件載流子濃度、工作溫度、客體摻雜濃度以及控制器件結(jié)構(gòu)對該HL-RISC通道的產(chǎn)生條件、正常與反常的物理行為表現(xiàn)以及如何實現(xiàn)高效率發(fā)光和低效率滾降等方面進行了詳細探究。 OLEDs在平板顯示和固態(tài)照明領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，盡管基于有機發(fā)光的手機顯示屏和電視已開始市場化，但進一步提升其發(fā)光效率和延長其使用壽命仍然是該領(lǐng)域的兩大研究方向。因理論上能夠?qū)崿F(xiàn)100%的內(nèi)量子效率，具有常規(guī)RISC (T1®S­1)通道的熱活化延遲熒光(Thermally-assisted delayed fluorescence, TADF)有機材料和具有HL-RISC (T2®S­1)過程的有機半導(dǎo)體是目前OLEDs領(lǐng)域的熱點研究體系，這是由于無論是RISC還是HL-RISC都可以將占激子總數(shù)3/4的不發(fā)光三重態(tài)T激子轉(zhuǎn)變成發(fā)光的單重態(tài)S激子，從而實現(xiàn)發(fā)光效率的成倍增強。顯然，研究這些激子及其前驅(qū)體(precursor, 如極化子對(polaron-pair))和TADF材料以及激基復(fù)合物材料中電荷轉(zhuǎn)移態(tài)(charge-transfer states)激子的形成機制及其演化規(guī)律對進一步認識OLEDs的器件物理和設(shè)計制造高效率OLEDs具有重要的科學(xué)意義和應(yīng)用價值。近年來，熊祖洪課題組一直致力于采用有機半導(dǎo)體光電子器件中多種微觀過程具有的指紋式磁效應(yīng)(包括magneto-conductance、magneto-electroluminescence、magneto-photoluminescence以及magneto-photocurrent)曲線，系統(tǒng)深入地研究了多種有機光電子體系的器件物理并取得了一系列研究成果。

伊辛超導(dǎo)是指超導(dǎo)庫珀對的自旋被有效的塞曼磁場固定住，由此表現(xiàn)出極強的的面內(nèi)臨界磁場（遠超其泡利順磁極限）。通過分子束外延法在雙層石墨烯終止的6H-SiC(0001)襯底上成功制備出大面積（毫米以上）原子級平整的高質(zhì)量單層過渡族金屬硫化物NbSe2薄膜（僅0.6 nm厚），在此基礎(chǔ)上對其覆蓋非晶態(tài)Se保護層，進而對非原位的電輸運物性展開了系統(tǒng)研究。研究發(fā)現(xiàn)：單層NbSe2薄膜表現(xiàn)出超過6 K的起始超導(dǎo)臨界轉(zhuǎn)變溫度和高達2.40 K的零電阻溫度，超過了早期機械剝離獲得的單層NbSe2以及分子束外延生長的單層NbSe2的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度。同時，強磁場和極低溫下的輸運測量結(jié)果直接證實了平行特征臨界場Bc//(T = 0)是順磁極限場的5倍以上，符合Zeeman保護的伊辛超導(dǎo)機制（前期NbSe2薄片中的伊辛超導(dǎo)證據(jù)需要實驗數(shù)據(jù)的理論擬合在更低溫更高磁場下的外推）。此外，極低溫垂直磁場下的電輸運測量表明，單層NbSe2薄膜在接近絕對零度時的量子臨界點表現(xiàn)出量子格里菲斯奇異性。

本發(fā)明構(gòu)建一種新型混合佐劑 DDA/PolyI:C。該混合佐劑組 (AMM+DDA/PolyI:C)和單獨佐劑組(AMM/DDA)分別加強免疫 小鼠兩次后，脾臟淋巴細胞經(jīng)抗原 AMM 刺激后，皆可產(chǎn)生分泌較僅 有融合蛋白 AMM 組高的 IFN-γ; 肺部荷菌量試驗表明佐劑實驗組加 強 BCG 免疫后，肺部荷菌量都較 PBS 組低;肺組織病理分析顯示混 合佐劑組 AMM+DDA/P

可以量產(chǎn)/n該項目突破了豬流行性腹瀉病毒培養(yǎng)條件苛刻的技術(shù)瓶頸，以目前流行的PEDV變異毒株和TGEV為基礎(chǔ)，研制了豬流行性腹瀉和豬傳染性胃腸炎二聯(lián)滅活疫苗。