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（專利號：ZL 201310681247.X） 簡介：本發(fā)明公開了一種抗拉強度560～590MPa熱軋輪輞用鋼及其制造方法，屬于軋鋼技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用一種熱軋后的分段式冷卻工藝，精確控制組織中鐵素體、貝氏體和馬氏體的尺寸及體積分數(shù)，通過組織中的貝氏體和馬氏體相提高鋼材的抗拉強度，通過控制鐵素體晶粒尺寸、體積分數(shù)，及采用多段空冷降低鋼帶殘余應(yīng)力，提高鋼材延伸率。本發(fā)明熱軋輪輞用鋼抗拉強度56

本發(fā)明公開了一種測氫用固體電解質(zhì)管的制備與成形方法。該 方法采用 CaCO3、ZrO2、In2O3 原料，按照摩爾比：CaCO3：ZrO2： In2O3＝1：0.8～0.95：0.025～0.1 稱取出原材料，進行濕磨混料，混 合粉料壓制成直徑 20～30mm，厚度為2～5mm的圓片在1000～1400℃ 下煅燒得到 CaZr1-xInxO3-α(0.05≤x≤0.2，原子比)，再將圓片壓碎成 粉末，加入到熔融的石蠟、油酸和蜂蠟混合物中，用電磁攪拌器進行 攪拌，通過熱壓注方法成形為管狀，再在高溫下進行排蠟，之后在 1450～1550℃下進行最終的燒結(jié)，獲得 CaZr1-xInxO3-α(0.05≤x≤0.2) 電解質(zhì)管。本電解質(zhì)管表面光滑、結(jié)構(gòu)致密，具有較好的化學穩(wěn)定性 和抗熱沖擊性能，能夠應(yīng)用于變溫環(huán)境下的鋁、鎂合金熔體氫含量的 連續(xù)、準確測定。

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產(chǎn)品詳細介紹2.0電腦有源音箱的無線麥克風改造珠海博納科技越來越多的教室配置了多媒體教學設(shè)備，電腦、投影儀、音箱成為標配的教學設(shè)備。 越來越多的學校為教師提供了無線麥克風作為輔助教學設(shè)備，深受廣大教師喜愛。客戶在與我們交流時提到如下問題：能否在現(xiàn)有音響設(shè)備的基礎(chǔ)上使用無線麥克風？我們已經(jīng)開發(fā)出了用于用于改造普通老舊有源音箱用的2.4G無線收發(fā)麥克風產(chǎn)品，但對于這種配合電腦用的2.0音箱沒有辦法。因為電腦用的2.0音箱沒有其他音頻輸入接口，麥克風信號無法接入。若添置無線麥克風，需要相應(yīng)的無線接收器、功放設(shè)備、音箱配套使用，增加較多的附加設(shè)備。最簡單的也是帶無線麥克風接收功能的有源音箱。這樣，黑板上方的墻上又增加了一對音箱。既有的有源音箱已經(jīng)是學校的固定資產(chǎn)，全部換為新的2.4G無線有源音箱勢必造成國有資產(chǎn)的浪費，增加了不必要的經(jīng)費。所以客戶最希望能夠提供一種便捷、經(jīng)濟的無線改造產(chǎn)品，使原來普通的有源音箱改造成為帶無線麥克風功能的擴音設(shè)備。針對客戶上述需求，我們研發(fā)了改造設(shè)備。簡圖如下： 由圖中可見，改造很簡單。只需配置一套我們研制的改造用2.4G無線麥克風和接收器就可完成改造。改造后可達到如下效果：1. 利用客戶原有的音箱進行麥克風擴音，無需增購新的擴音設(shè)備。2. 在播放電腦等多媒體音頻的同時進行麥克風擴音。改造用接收器接收器尺寸：210*135*38mm。 接收器的連接：安裝改造的方法很簡單，無需專業(yè)人士指導，更不需要對原有的有源音箱做任何拆卸改造。從圖中可以看出與一般無線麥克風接收器相比，多了一個電腦音頻輸入孔以及一個音頻輸出孔。改造后的音頻輸入輸出就接入在這兩個孔上，用Φ3.5的音頻連接線（隨機器提供）將電腦的音頻輸入到本接收器粉紅色音頻輸入孔內(nèi)，將原來2.0音箱的Φ3.5音頻插頭插入到本接收器綠色音頻接入孔內(nèi)。麥克風的使用：接通2.0音箱的電源，打開本接收器的電源開關(guān)，可見面板藍色的RF指示燈在閃爍，表示等待麥克風對頻使用，麥克風在3米范圍內(nèi)打開電源開關(guān)便可自動與接收器連接，可在有源音箱內(nèi)聽到“嗶嗶”的連接提示音。便可使用麥克風進行擴音。聲音的傳輸：電腦等多媒體的聲音可以通過本機傳給音箱，麥克風的聲音被本接收器接收后也傳給音箱。即可單獨傳電腦的聲音、不開電腦室也可單獨使用麥克風進行教學擴音。當然可以同時使用，例如：配樂詩朗誦等。音量的調(diào)節(jié)：電腦多媒體音量大小的調(diào)節(jié)，在電腦或多媒體播放軟件上完成。麥克風音量大小的調(diào)節(jié)，在接收器背面的音量調(diào)節(jié)孔完成，出廠時設(shè)為最大，不要輕易調(diào)節(jié)。在學校使用的情況下，我們將音量固定在與2.0音箱相匹配的數(shù)值。避免孩子們的好奇心引起的誤調(diào)整，影響正常教學使用。無線麥克風 圖中我們?yōu)榭蛻魷蕚淞?種麥克風供用戶選擇，結(jié)合不同的用途可選擇不同的麥克風可實現(xiàn)多種無線擴音的用途。 上述三款麥克風對同一個接收器可以通用，即可以使用麥克風功能，但遙控電腦PPT翻頁功能需要配合HID接口的設(shè)備。

氨綸熔融紡絲具有工藝流程簡單，設(shè)備投資少、生產(chǎn)效率高、生產(chǎn)過程不使用溶劑、環(huán)境污染少等優(yōu)點而成為最為經(jīng)濟和對環(huán)境最為友善的氨綸生產(chǎn)新技術(shù)。由于熔紡氨綸與干紡氨綸結(jié)構(gòu)上的差異，使熔紡氨綸的耐熱性與回彈性較差。為了克服上述缺點，國內(nèi)外普遍采用添加預(yù)聚體的方法，然而預(yù)聚體的NCO基團十分活潑，在存放過程中易與空氣中的水分發(fā)生副反應(yīng)，使預(yù)聚體失效。 本項目是以帶有活潑氫的酚、酸、醇、酯、胺等化合物作為封端劑，與預(yù)聚體中的NCO基團進行反應(yīng)，使兩端NCO基團得到暫時的保護，反應(yīng)形成一種在常溫下穩(wěn)定的亞氨酯，從而改善了纖維的耐熱性及回彈性，同時由于亞氨酯在常溫下非常穩(wěn)定，存放期可大大地延長，因此這種新穎的封閉型預(yù)聚體比常規(guī)預(yù)聚體法更有效。已獲得國家發(fā)明專利。

簡介：本發(fā)明公開了一種含鎳銅的高強緊固件用鋼及其熱處理方法，包括如下質(zhì)量百分比的組分：C：0.38～0.45％；Si：0.17～0.30％；Mn：0.60～0.80％；P≤0.010％；S≤0.010％；Cr：0.90～1.20％；Mo：0.15～0.22％；Ni：0.05～0.15％；Cu：0.10～0.20％；余量為Fe和不可避免的雜質(zhì)。本發(fā)明經(jīng)過油淬和高溫回火后得到的組織均為回火索氏體組織，性能如下：抗拉強度Rm＝1100～1135MPa，屈服強度Rel＝980～1015MPa，伸長率A＝14.5～17.2％，25℃，V型缺口沖擊功AKv＝70～90J，-20℃，V型缺口沖擊功AKv＝55～85J。本發(fā)明具有穩(wěn)定的沖擊性能和較高的強度，可用來制作10.9級耐延遲斷裂高強度緊固件。

隨著光伏產(chǎn)業(yè)的高速的發(fā)展，硅錠切割產(chǎn)生的切割廢料也將出現(xiàn)井噴式的增長。僅2012年一年，我國就用了23萬噸的多晶硅，產(chǎn)生了近25萬噸的粒度≤5mm的二次切割廢料(SiC和Si)，回收廠家院內(nèi)廢料堆積如山，粉塵飛揚，環(huán)境惡劣。而粒度≤5mm的二次切割廢料(SiC和Si)中的SiC和晶體Si粉都是通過高能耗、高成本制備出來的，所以如能將這些廢料得以回收利用，不僅減少了環(huán)境污染，也會產(chǎn)生出巨大的經(jīng)濟效益。特別是如能將二次廢料中價值最高的晶體硅粉得以回收并再用于制造太陽能多晶硅，這對我國減少多晶硅的進口是有重要意義的，所以說，從晶體硅切割廢料中回收多晶硅是今后一個重要的發(fā)展方向。 （1）本項目可從多晶硅切割廢料中提取出太陽能級多晶硅，其技術(shù)含量高、生產(chǎn)成本低、能耗小。生產(chǎn)的多晶硅可以替代國外進口產(chǎn)品，減少我國多晶硅的進口量，這對降低光伏能源成本，實現(xiàn)光伏能源的普及有重要意義。 (2) 本項目同時生產(chǎn)的副產(chǎn)品碳化硅制品的最大特點耐高溫和耐磨性等性能遠好于同類產(chǎn)品，且價格遠優(yōu)于國內(nèi)同類產(chǎn)品，因此該副產(chǎn)品有著廣闊的市場前景，市場競爭力強。該副產(chǎn)品作為耐火材料可廣泛應(yīng)用于冶金、陶瓷、能源、化工等行業(yè)。如鋼鐵廠高爐的爐窯內(nèi)襯和鋼包內(nèi)襯、電解鋁廠鋁電解槽的側(cè)部、火法煉鋅的罐體的內(nèi)襯等；如陶瓷行業(yè)所用窯爐內(nèi)所用的窯板和棚板等。 (3) 產(chǎn)品附加值高：由于本項目所用原料主要是來源于光伏行業(yè)產(chǎn)生的切割廢料，原料的來源豐富且價格便宜，產(chǎn)品的科技含量高，生產(chǎn)成本低，故產(chǎn)品的附加值高。本項目擁有CN103086378A, CN101941699A, CN102275925A, CN102241399A, CN101724902A, CN101671022B等多項專利。

伴隨著我國半導體行業(yè)的迅速崛起，硅電極作為光刻設(shè)備上承載硅基圓的重要輔材，其需求日趨增加。同時，基圓尺寸的不斷增加使得硅電極逐漸由單晶硅電極轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч桦姌O，然而多晶硅制備過程中不可避免存在C、N雜質(zhì)的污染，導致其基體中存在大量彌散分布的SiC、Si3N4硬質(zhì)顆粒夾雜，嚴重影響了多晶硅電極的使用性能。 傳統(tǒng)制備技術(shù)下，設(shè)備熱場結(jié)構(gòu)單一，熔體流動性差，導致SiC、Si3N4雜質(zhì)循環(huán)溶解—析出，難以有效分離。本項目團隊前期利用電子束精煉技術(shù)去除硅中的蒸發(fā)性雜質(zhì)（P、 O、N）；利用電子束誘導實現(xiàn)多晶硅的定向凝固，進而分離硅中的金屬雜質(zhì)；基于電子束冷床效應(yīng)分離硅中的SiC、Si3N4硬質(zhì)顆粒，并揭示硬質(zhì)顆粒與硅基體間的位相關(guān)系；基于上述研究開發(fā)出了多晶硅電極的制備工藝，可應(yīng)用于刻蝕等半導體制造等領(lǐng)域。 本項目預(yù)期可以為半導體行業(yè)中硅電極生產(chǎn)制造企業(yè)提供穩(wěn)定的技術(shù)支持，具有很好的生產(chǎn)示范性，實現(xiàn)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。該技術(shù)能夠有效地降低生產(chǎn)過程中的能耗，是一種低成本、環(huán)境友好的生產(chǎn)方法，屬于節(jié)能、環(huán)保的綠色制造技術(shù)。該技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用和推廣，可大幅增加就業(yè)崗位，提高企業(yè)的市場競爭力，保護環(huán)境。