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本發明公開了一種酸性烤藍工藝制備高飽和磁通密度軟磁復合材料的方法。采用酸性烤藍工藝在軟磁合金粉末表面包覆由尺寸均勻的納米Fe3O4形成的包覆層，經粘結、壓制成型、熱處理工藝，制備新型的軟磁復合材料。本發明的優點是：采用酸性烤藍工藝制備Fe3O4方法簡單，并且容易控制Fe3O4層的厚度, 由于該反應是原位反應，因此制備的絕緣層致密，與磁粉的結合度高。與傳統的軟磁復合材料相比，由于絕緣層為亞鐵磁性的Fe3O4，有效減少了磁稀釋現象，從而可以得到具有高飽和磁通密度、高磁導率的軟磁復合材料。

本發明公開了一種堿性烤藍工藝制備高飽和磁通密度軟磁復合材料的方法。采用堿性烤藍工藝使磁粉表面氧化生成一層均勻的Fe3O4的絕緣層，然后經粘結、壓制成型、熱處理工藝，制備新型軟磁復合材料。本發明的優點是：采用堿性烤藍工藝制備的Fe3O4是在軟磁粉末的表面原位生長，因此絕緣包覆層與磁粉之間結合度高，并且包覆均勻致密；由于Fe3O4具有較高的電阻率，因此具有較好的絕緣效果；另一方面，用亞鐵磁性的Fe3O4作為絕緣包覆劑，克服了傳統非磁性物質作為包覆劑的磁稀釋現象，可以獲得更高的磁導率及磁通密度；堿性烤藍工藝操作簡單，成本較低，有利于實現工業化生產。

本發明公開了一種通過自底向上填充實現通孔互聯的方法，包括：（a）在基片的一個表面上加工制得盲孔；（b）在加工盲孔的基片表面上依次生長絕緣層、阻擋層和種子層；（c）向種子層表面上涂布光刻膠并填平盲孔，然后執行曝光及顯影處理，以使光刻膠僅在盲孔底部的種子層表面上殘留；（d）去除未覆蓋光刻膠的種子層，而盲孔底部的種子層不受影響；（e）去除殘留的光刻膠；（f）向盲孔中填充導電材料完成自底向上的生長；（g）減薄基片未加工盲孔的表面形成通孔，由此完成通孔互聯過程。本發明還公開了相應的通孔互聯結構產品。通過本發明

目前，國內各類學校電工、電子實驗設備大多是分體的，也有部分學校根據教學要求自制了各種形式的實驗臺或實驗箱，由于加工量少，受自身加工能力的限制，加工工藝粗糙，功能不全，滿足不了實驗要求，也容易發生人身及設備事故，且實驗元器件繁多難以購置、難以管理，很難開出實驗大綱規定的實驗。基于此，我廠吸取德國及國內同類產品的優點，結合我國高教、職教教學大綱要求而研制本產品。 本產品的特點： 　　實驗臺具有較完善的安全保護措施，較齊全的功能(詳見實驗臺結構簡介)。實驗桌中央配有通用電路板，電路板注塑而成，表面布有九孔成一組相互聯通的插孔，元件盒在其上任意拼插成實驗電路，元件盒盒體透明，直觀性好，盒蓋印有永不褪色元件符號，線條清晰美觀。盒體與盒蓋采用較科學的壓卡式結構，維修拆裝方便。元器件放置在實驗桌下邊左右柜內，大大提高了管理水平，規劃化程度，大大減輕了教師實驗準備工作。 適用范圍： 　　適用于高等、中等、職校及技校電工學、電工原理、電子技術等課程實驗。可完成交直流、振蕩、磁路電路，運算放大器、整流電路，交直流放大電路，數字邏輯電路等電路實驗。該設備是現有實驗室設備的更新換代或新建、擴建實驗室的理想產品。它的配備是學校上水平、上等級的重要標志。 實驗室設備的實驗臺及操作桌結構： 1、 實驗臺外殼尺寸：123×35×20cm 2、三相保險座 3、三相電源輸入指標 4、總開關：實驗臺電源總開關，帶漏電、過載保護 5、試驗按鈕：試驗漏電開關漏電功能 6、電源輸入指示1只 7、電源輸出指示3只(紅、綠、黃三色) 8、交流電壓表：指示輸出線電壓 9、電壓轉換開關：與電壓表配合使用，監示輸出線電壓的大小與對稱情況 10、接線座5只：A單元三相四線及地線輸出 11、電流表W相電流輸出指示 12、O/I開關：三相四線電源輸出控制(提高安全系數) 13、接線座2只：B單元交流低壓電源輸出 14、電表(2A)：B單元交流電流指示 15、旋鈕：B單元3-24V交流低壓選擇輸出 16、開關：C單元雙路直流穩壓電源開關 17、旋鈕：C單元雙路Ⅰ路穩流調節 18、旋鈕：C單元雙路Ⅱ路穩流調節 19、接線座2只：C單元Ⅰ路直流穩壓輸出 20、保險座：C單元雙路穩壓電源保險 21、電表4只：雙路穩壓電源電壓、電流指示 22、接線座：D單元直流5V穩壓輸出 23、電表：D單元電流0.5V輸出指示 24、開關1：控制各低壓交流電、信號源 25、開關2：控制E單元交直流調壓電源 26、電表：E單元交流電壓輸出指示 27、接線座4只：E單元交流、直流輸出口 28、旋鈕：E單元0～240V電壓調節 29、插座：G單元220V輸出插座 30、旋鈕：音頻功率放大器音量調節 31、接線座2只：音頻信號輸入 32、按鈕：單次脈使能開關 33、接線座3只：單次脈沖輸出口 35、旋鈕：正弦波輸出三級衰減幅度粗調 36、旋鈕：正弦波輸出口 37、接線座：正弦波輸出口 38、旋鈕：矩形波輸出幅度調節 39、接線座：三角波輸出口 40、旋鈕：函數信號發生器頻率細調 41、接線座：矩形波輸出口 42、旋鈕：函數信號發生器五級頻率粗調 43、電表：函數發生器輸出頻率指示 44、萬用表：500型 45、直流電機Ia、If指示：2只500mA直流電表 46、直流電源：0-220V輸出，直流電機工作電源。 47、直流電機調速環節：Ra、RF調節裝置 48、實驗桌面尺寸：160×70cm 59、通用電路板：規格35×90cm，元件盒在其上任意拼插進行實驗 50、儲存板：放置元件盒 51、左儲存柜：放置儲存板(帶門鎖) 52、抽屜：放置常用工具 53、右儲存柜：放置儲存板(帶門鎖) 54、示波器：型號不限(用戶自備) 55、工具 注：45、46、47三項功能僅在“電工、電子、電拖(帶直流電機 )實驗臺”上有。 實驗臺主要技術指標： 一、輸入工作電源：三相四線 二、輸出電源及信號 1、 A單元：三相四線 2、 B單元：交流3、6、9、12、15、18、24V 3、 C單元：雙路恒流穩壓電源(具有過載及短路保護功能)，二路輸出電壓都為0～30V，內置式繼電器自動換檔，由多圈電位器連續調節，使用方便，輸出最大電流為2A，具有預 設式限流保護功能。電壓穩定度：4.5V、250KHZ-550KHZ>3.5V，幅度連續可調　　　　　三角波：5HZ-550KHZ>１V 五、音頻功率放大器：輸入音頻電壓不低于10mv，輸出功率不小于1W，音量可調，內有喇叭，用于放大器電路擴音，也可作信號尋跡儀器使用。 六、智能型多功能交流測量電表：精度1.0級，能同時測量電路電流I、電壓U、功率Kw、電能Kwh和工作時間T，八位液晶顯示。 七、絕緣電阻：>5MΩ 八、漏電保護：漏電動作電流≤30mA?? 結構與配備 (一) 實驗桌:一臺二座，桌外形尺寸:160×70×80cm。桌中央配置通用電路板。每張桌配有一粒膠皮板，以保護通用電路板及桌面(如需要在其上放置電機、焊接等)。桌下部是元件儲存柜，放置元器件。 (二) 實驗臺:學生實驗桌及示教控制臺各配備一臺。 (三) 示教控制臺:1臺示教控制臺，分別控制12臺學生臺的電源，通用電路板演示屏立在實驗臺上，尺寸150×70cm，用于講解、演示。 (四) 器材配備: 26臺三相180W電動機，26只時間繼電器，26只熱繼電器，78只交流接觸器，156只交直流電表，13只萬用表，39只指示燈，42只行程開關，78只控制按鈕，13只倒順開關，26只變壓器，13只三相雙投閘刀，13只三相閘刀，13套實驗所需電阻、電位器、電感線圈、互感線圈、二極管、三極管、場效應管、集成、可控硅、邏輯電平開關、邏輯電平指示等元件盒（元件已裝在元件盒內），13套剝線鉗、螺絲刀、尖嘴鉗等工具。 (五) 用戶自備器材：示波器(型號不限)，晶體管毫伏表等。 實驗項目 電工實驗部分 1、電工測量儀表的使用 2、常用元件的識別與檢測 3、線性元件與非線性元件的伏安特性 4、電源的外特性 5、電位值、電壓值的測定 6、電流表和電壓表的擴程 7、基爾霍夫定律的驗證 8、驗征楞次定律 9、迭加原理與互易定理的驗證 10、戴維南定理與諾頓定理的驗征 11、電壓源與電流源的等效變換 12、受控源特性的研究 13、一階電路實驗 14、二階電路的過渡過程 15、研究LC元件在直流和交流電路中的特性 16、負載獲得最大功率的條件 17、交流電路參數的測量 18、正弦交流電路中RLC元件的特性 19、RL及RC串聯電路實驗 20、RLC串聯諧振電路 21、日光燈電路的連接及功率因數改善 22、三相負載的星、三角接法 23、三相電路及功率的測量 24、R-C選頻網絡的研究 25、二端口網絡研究 26、單相變壓器實驗 27、互感電路實驗 28、三相異步電動機的使用與起動 29、三相電動機繼電接觸控制的基本電路 30、三相電動機Y一△起動控制實驗 31、三相電動機的順序控制實驗 32、三相電動機能耗制動控制實驗 利用上述32項實驗的元器件也可完成下面電路實驗 33、最簡單的電路 34、電路中個電位與參考點的選擇 35、電阻的串連 36、電阻的并聯 37、電阻分壓器電路 38、電阻的混連 39、全電路歐姆定律 40、電橋的應用與平衡條件 41、節點電壓法 42、回路電壓法 43、支路電流法 44、RCL并聯電路 45、串連電路 46、變壓器結構及工作原理 47、基爾霍夫第一定律 48、基爾霍夫第二定律 49、日光燈電路原理 50、擴大電壓表量程 51、擴大電流表量程 52、RC電路的過度過程 53、RL過渡過程 54、電容的串聯電路 55、電容的并聯電路 56、電容器的充放電 57、電容器在交直流中的作用 58、條形磁鐵在線圈中的運動 59、電容的混聯 60、純電阻、電感、電容電路 61、磁耦合線圈的順串 62、磁耦合線圈的反串 63、歐姆表的工作原理 64、雙聯開關二地控制 65、用示波器觀察磁滯回線 66、磁路歐姆定律 67、兩線圈的互感及同名端 68、互感耦合 69、提高功率因數的方法 70、單相電路功率的測量 71、收錄機電源電路 72、濾波電路 73、電阻與溫度的關系:用伏安法測出燈絲在不同電壓下的阻值。 74、三相異步電機閘刀控制正轉實驗 75、具有過載保護的控制線路 76、按鈕控制的正反轉控制線路 77、接觸器控制星一三角降壓起動控制線路 電子實驗部分 1·晶體二極管的特性及檢測 2·晶體三極管輸入輸出特性 3·低頻小信號電壓放大器 4·直接耦合兩級放大器 5·RC耦合兩級放大器 6·負反饋對放大器性能的影響 7·變壓器耦合推挽功率放大器 8·互補對稱推挽功率放大器(OTL) 9·單相半波整流 10·單相全波整流 11·單相橋式整流 12·單相橋式整流濾波 13·單結晶體管特性 14·單結晶體管觸發電路 15·晶閘管簡單測試及可控整流電路 17·串聯型穩壓電壓 18·差動放大電路的研究 19·集成運放參數的測試 20·集成運放減法電路 21·集成運放加法電路 22·集成運放積分電路 23·集成運放微分電路　　　　　　 24·集成運放文氏正弦波振蕩器 25·電容三點式振蕩器 26·電感三點式振蕩器 27·集成穩壓電路 28·無穩態電路（多諧振蕩器） 29·施密特觸發器　　 30·集成與門邏輯功能測試 31·集成非門電路邏輯功能測試 32·集成或門電路邏輯功能測試? 33·集成與非門邏揖功能測試 34·CMOS門電路的測試 35·基本RS觸發器　　　　　　　　　　? 36·JK觸發器 37·D觸發器　　　　　　　　? 38·555時基電路的應用（方波發生器)? 39·二一十進制計數器 40·二一十進制8421譯碼器　　　　? 41·加法器 42·減法器 43·用集成與非門構成單穩態觸發器　　　　　　　　? 44·組合邏輯電路 利用上述44項實驗元器件也可完成下面實驗 45·P-N結單向導電特性 46·三權管ICBO的測量電路 47·三極管ICEO的測量電路 48·三極管電流放大 49·三極管的VA特性 50·帶負載的單級小信號電壓放大 51·電壓負反饋偏置電路 52·分壓式電流負反饋偏置電路 53·用熱敏電阻穩定工作點 54·用二極管穩定工作點 55·分析Ce對低頻特性的影響 56·共基極放大實驗電路 57·共集電極放大實驗電路 58·共源極基本放大電路 59·場效應管自給偏壓放大電路 60·場效應管分壓式自偏壓電路 61·場效應管共漏極電路 62·場效應管共柵極電路 63·單管阻容放大電路 64·基本直流放大電路 65·用電阻提高后級發射極電位 66·用穩壓管提高后級發射極電位 67·變壓器耦合放大電路 68·甲類功率放大電路 70·串聯電流負反饋 71·串聯電壓負反饋電路 72·并聯電壓負反饋電路 73·并聯電流負反饋電路 74·兩級放大電路中的負反饋 75·射極輸出電路 76·自舉射極輸出電路 77·用電容衰減高頻電壓 78·用負反饋消除自激振蕩 79·電池監視電路 80·場效應管、三極管組成放大電路 81·PNP-NPN直接耦合放大電路 82·共基共射放大電路 83·晶體管開關作用 84·液位光電控制 85·簡單的溫控電路 86·模擬光控簡易路燈自動開關電路 87·RC移相振蕩器 88·雙T選頻網絡 89·雙T選頻網絡組成的振蕩器 90·變壓器反饋式振蕩電路 91·場效應管變壓器反饋式振蕩電路 92·防盜報警電路 93·串聯型晶體振蕩電路 94·互補音頻振蕩訊響器 95·報警訊響器 96·音樂門鈴電路 97·電子報警器電路 98·差動放大電路的基本形式 99·電子門鈴電路 100·準互補對稱電路 101·三管OTL互補對稱電路 102·長尾式差動放大電路 103·差動輸入單端輸出 104·單端輸入雙端輸出 105·單端輸入單端輸出 106·雙電源式長尾差動放大電路 107·差動式放大器實驗電路 108·具有恒流源的差動放大電路措施 109·單端輸出差動放大電路的溫度分析 110·閃光器電路 111·運算放大器的基本接法 112·電流差動式運放用作交流比例放大 113·Vos的簡易測量方法 114·Aos的簡易測量方法 115·Aod的簡易測量方法 116·共模抑制比Cmrr的簡易測試 117·最大共模輸入電UIcm的簡易測試 118·Yopp的簡易測試 119·SR的測量方法 120·基本同相放大接法 121·運放構成的LC振蕩器 122·電熱杯調溫電路 123·引到反向端輸入調零措施 124·引到同向端輸入調零指施 125·為使電值不致過大的接法 126·利用三極管的基極電流實現對Ios的溫度補償 127·利用T型網絡提高等效反饋電阻 128·使互補管工作在甲乙類擴大輸出電流的措施 129·對電容負載進行校正時措施 130·反相輸入保護措施 131·同相輸入保護措施 132·利用穩壓管保護器件 133·電源極性錯接的保護 134·電源啟動瞬間過壓保護 135·二極管檢波電路 136·利用PN結的溫度系數測量溫度的電路原理 137·雙二極管限幅器 138·反相運放基本電路 139·可變比例放大 140·同相運放基本電路 141·電壓/電流變換電路 142·電流/電壓變換電路 143·電壓跟隨器 144·差動放大基本電路 145·運算放大器的差動輸 146·反相輸入求和運算 147·同相輸入求和運算 148·雙端輸入求和運算 149·基本積分電路 150·EG考濾泄漏阻對的積分運算電路　 151·提高積分時間常數的措施 152·快速積分電路 153·模擬一階微分方程電路 154·模擬二階微分方程電路 155·基本微分電路 156·實用微分電路 157·利用間接方法得到近似微分 158·基本對數運算電路 159·利用三極管的對數特性組成對數運算電路 160·反對數放大的基本電路 161·Vo正比于VxVy電路 162·簡單的過零此較電路 163·具有滯迥特性的比較電路 164·雙限比較電路 165·利用二級管作為上限檢測幅度選擇電路 166·雙限三態比較電路 167·下限檢幅選擇電路 168·基本采樣保護電路 169·RC無源網終的低通濾波電路 170·濾波電路接到組件的同相輸入端 171·濾波電路接到組件的反相輸入端 172·簡單二階RC濾波電路 173·典型RC有源濾波電路 174·兩階有源濾波電路 175·多路反饋二級有源濾波電路 176·典型二階高通有源濾波電路 177·基本帶通濾波電路 178·典型帶通濾波電路 179·用雙T網絡組成的帶阻濾波 180·輸出限幅的反相器 181·實用差值運算放大器 182·矩形波振蕩電路 183·阻容移相觸發電路 184·電熱褥調溫裝置 185·寬度可調的矩形波發生器 186·簡單的鋸齒波發生器 187·幅頻可調的鋸齒波發生器 188·單相橋式整流常用畫法電路 189·全波整流電路的最大反向峰值電壓 190·電容濾波電路 191·電容濾波帶電阻負載 192·全波整流電容濾波電路 193·RC濾波電路 194·多段RC濾波電路 195·基本的LC濾波電路 196·T型濾波電路 197·二倍壓整流電路 198·三倍壓整流電路 199·基本穩壓管穩壓電路 200·基本調整管穩壓電路 201·具有放大環節的穩壓電路 202·調整管穩流電路 203·電子濾波器 204·串聯穩壓電路 205·并聯穩壓電路 206·電子催眠器 207·三端集成穩壓電路 208·正電源輸出可調的集成穩壓電路 209·單相全波可控整流 210·硅穩壓管穩壓電路 211·單相半波可控整流 212·單相橋式半控整流 213·充電用硅整流器原理 214·感性負載對晶閘管的影響 215·晶閘管觸發導通試驗 216·反電動勢負載晶閘管電路 217·簡易電子調壓電路 218·測試單結管分壓比n 219·單結管振蕩電路 220·單結管觸發應用電路 221·二極管"與"門電路 222·三極管"或"門電路 223·與邏輯形象化 224·或邏輯形象化 225·非邏輯形象化 226·三極管"非"門 227·三極管"與非"門 228·三極管"或非"門 229·三扳管雙穩態電路 330·三極管單穩態電路 231·三極管多諧振蕩電路 232·置位觸發電路 233·射極耦合雙穩態 234·對稱式多諧振蕩器 235·環形多諧振蕩器 236·微分型單穩態電路 237·集成施密特電路 238·矩形波發生器 239·單脈沖電路 240·連續脈沖發生器 電力拖動實驗部分 1·閘刀開關正轉控制線路 2·接觸器點動正轉控制線路 3·具有自鎖的正轉控制線路 4·具有過載保護的正轉控制線路 5·倒順開關控制正反轉控制線路 6·接觸器聯鎖的正反轉控制線路 7·按鈕聯鎖的正反轉控制線路 8·按鈕接觸器復合聯鎖控制線路 9·自動往返行程控制線路 10·接觸器控制串聯電阻降壓 起動線路 11·時間繼電器控制串聯電阻降壓控制線路 12·手動Y/△降壓起動 13·接觸器控制Y/△降壓起動 14·時間繼電器控制Y/△降壓起動 15·QX3-13型Y/△自動起動控制線路 16·半波整流能耗制動控制線路 17·全波整流能耗制動控制線路 18·C620車床電氣控制線路 19·手動降壓起動 20·單相運行反接制動控制線路 21·電動葫蘆電氣控制線路 22·C6163車床電氣控制線路 23·控制電路聯鎖控制線路 24·主電路聯鎖控制線路

本發明公開了一種中紅外非線性光學晶體材料，其化學式為 RbIO2F2，上述材料的晶體空間群為 Pca21，晶胞參數為 a?=?8.567(4)??、b?=?6.151(3)?、c?=?8.652(4)??、α?=?β?=?γ?=?90?、Z?=?4。本發明 還提供了上述晶體材料的水熱法制備方法，本發明制得的中紅外非線性光學晶體材料具有較強的能相位 匹配的倍頻效應(SHG)，Kurtz 粉末倍頻測試結果表明其粉末倍頻效應為磷酸二氫鉀(KDP)的 4&n

本發明公開了一種中紅外非線性光學晶體材料，其化學式為 KBi4F13，上述材料的晶體空間群為 I-4， 晶胞參數為 a=9.2027(19)b=9.2027(19)c=6.2589(13)α=β=γ=90°、Z=2。本發明還提供了上述晶體材 料的水熱法制備方法，本發明制得的中紅外非線性光學晶體材料具有能相位匹配的倍頻效應(SHG)， Kurtz 粉末倍頻測試結果表明其粉末倍頻效應與磷酸二氫鉀(KDP)相當;粉末的激光傷閾值為 120MW/c

產品詳細介紹

一種對可改善鋁基復合材料潤濕性的Al-Si-Ti系三元活性釬料；其成分為：7~14%Si，0.1~1.2%Ti，余Al；施焊時，預置后適當加壓，再加熱至約610℃。對體積分數為30%的氧化鋁短纖維強化的純鋁基復合材料采用Al-12Si-0.5Ti釬料可獲得接頭有效系數達99%以上的優質接頭，遠遠優于現有各文獻報道的焊接效果。