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產(chǎn)品詳細(xì)介紹  無(wú)菌接種箱   一、接種箱的作用   接種箱的作用是在無(wú)菌的條件下，進(jìn)行細(xì)菌，食用菌等菌種的接種。   二、接種箱的構(gòu)造   本產(chǎn)品采用全鋼結(jié)構(gòu)，外表噴塑，臺(tái)面為三聚氫氨板或理化板結(jié)構(gòu)。前觀察窗為70度的開(kāi)啟角度為方便操作，接種箱前為兩個(gè)15公分的操作口，接種箱配有紫外線殺菌燈日光 燈和臭氧發(fā)生器。為方便散熱和換氣底部留有透氣孔。   三、接種箱的使用   使用前先有百分之五的甲醛或百分之七十的酒精進(jìn)行消毒，然后打開(kāi)殺菌燈即紫外線殺菌管和 臭氧發(fā)生器進(jìn)行60分鐘的滅菌消毒。完成后再將照明開(kāi)關(guān)打開(kāi)，即可進(jìn)行菌種的接種。 技術(shù)指標(biāo)： 型         號(hào)   外形尺寸 操作區(qū)尺寸 電壓 日光燈 紫外線 臭氧發(fā)生器 WJ—ZJX（單面） 1000×530×600 1000×490×580 220V 20W×1 20W×1 100-200mg/h WJ—ZJX (雙面) 1000×900×600 1000×860×580 220V 20W×2 20W×2 100-200mg/h    

TDA（芯片熱設(shè)計(jì)自動(dòng)化）軟件是清華航院曹炳陽(yáng)教授團(tuán)隊(duì)全自主研發(fā)的國(guó)際首個(gè)芯片跨尺度熱仿真與設(shè)計(jì)系統(tǒng)。TDA軟件可實(shí)現(xiàn)芯片從納米至宏觀尺寸的熱設(shè)計(jì)與仿真，支持芯片微納結(jié)構(gòu)內(nèi)部熱輸運(yùn)過(guò)程的模擬研究，直接提高芯片熱仿真精度與結(jié)溫預(yù)測(cè)準(zhǔn)確度，進(jìn)而提高芯片性能、壽命和可靠性。

本成果開(kāi)發(fā)了一套超結(jié)MOSFET器件的設(shè)計(jì)方法，并與上海華虹NEC(現(xiàn)上海華虹宏力)公司合作建立了基于深槽填充工藝的600~900 V級(jí)8英寸超結(jié)MOSFET工藝代工平臺(tái)，這是國(guó)內(nèi)第一個(gè)量產(chǎn)的超結(jié)工藝平臺(tái)。所制備的超結(jié)MOSFET擊穿電壓最高可達(dá)900V，比導(dǎo)通電阻低至5.3Ω.mm2（900V器件）。該成果作為重要組成部分獲得了2016年四川省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)（“功率高壓MOS器件關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用”張波、喬明、任敏 等）。

1.項(xiàng)目簡(jiǎn)介：《用超細(xì)APT制備納米鎢粉的研究》由我校余世鑫教授主持與江西省崇義章源鎢制品有限公司聯(lián)合研究，并由該公司工業(yè)試生產(chǎn)成功。該項(xiàng)目經(jīng)過(guò)課題組人員的共同努力和卓有成效的研究，取得了重大突破。2003年11月28日江西省科技廳組織專家鑒定組對(duì)該項(xiàng)目進(jìn)行了鑒定。2.技術(shù)特點(diǎn)：本項(xiàng)目采用精細(xì)化工技術(shù)，依據(jù)相轉(zhuǎn)移合成法的原理，采用獨(dú)特的離子交換高峰液的處理技術(shù)、固液分離技術(shù)和結(jié)晶晶形控制技術(shù)，生產(chǎn)出超細(xì)顆粒仲鎢酸銨(APT，費(fèi)氏粒度 1～10μm)。然后在通用的回轉(zhuǎn)管爐煅燒和四管爐還原，采用露點(diǎn)-70℃的高純氫氣和粉末鈍化技術(shù)，制得納米鎢粉。其生產(chǎn)表明，與等離子法、流態(tài)化還原法等相比，采用該技術(shù)生產(chǎn)納米鎢粉具有設(shè)備投資少、成本低、規(guī)模生產(chǎn)易控制、重現(xiàn)性好的特點(diǎn)。易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。該項(xiàng)目采用的工藝技術(shù)獨(dú)特、新穎、可行，屬國(guó)內(nèi)首創(chuàng)。

基于“介電體超晶格”制備技術(shù)，開(kāi)發(fā)了一套適合量產(chǎn)的超晶格材料制備工藝。超晶格材料在激光非線性波長(zhǎng)變換、量子糾纏源產(chǎn)生、聲學(xué)濾波換能等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。以超晶格材料為核心材料，開(kāi)發(fā)出紅光、綠光、藍(lán)光、準(zhǔn)白光、鈉黃光、皮秒鎖模以及中紅外等多種新型激光器。

為了滿足超三代移動(dòng)通信技術(shù)B3G項(xiàng)目對(duì)高速背板傳輸?shù)男枨螅?004年10月東南大學(xué)與深圳華為技術(shù)有限公司中央硬件部開(kāi)展合作，共同研制了符合PICMG3.0國(guó)際規(guī)范的AdvancedTCA全網(wǎng)格標(biāo)準(zhǔn)機(jī)箱與背板，實(shí)現(xiàn)了超過(guò)3.125Gbps的雙向傳輸速率。

近年來(lái)，超材料雖然取得了長(zhǎng)足發(fā)展，但仍存在一些瓶頸問(wèn)題：1)基于等效媒質(zhì)超材料的新物理現(xiàn)象和新應(yīng)用需要挖掘；2) SPP超材料一直是物理學(xué)家的領(lǐng)地，以驗(yàn)證新物理現(xiàn)象為主；3) 超材料對(duì)電磁波的凋控大多是靜態(tài)的，一旦制備成型其功能即被㈣化，+能實(shí)時(shí)地調(diào)控電磁波。為解決上述問(wèn)題，該項(xiàng)對(duì)微波超材料進(jìn)行了系統(tǒng)性研究。 在等效媒質(zhì)超材料方而，提出并制備了柱坐標(biāo)系下各向異性零折射率超材料，突破了h然界域小輻射單元（電偶極子和磁偶極子）雙定向輻射的限制，實(shí)現(xiàn)了完美的電磁波全向輻射及高效空間功率合成。提出?種三頻段超材料完美吸波器，可在三個(gè)設(shè)計(jì)頻段實(shí)現(xiàn)電磁波在大角度范圍內(nèi)、 對(duì)極化不敏感的近乎完美吸收?；谧儞Q光學(xué)原理，提出一種低損耗電磁幻覺(jué)器件，可按照需求有0的地操控0標(biāo)對(duì)電磁波的雷達(dá)散射特征。提出并制備了寬帶、低損耗的全介質(zhì)超材料放人透鏡，打破衍射極限的限制，實(shí)現(xiàn)了超分辨率的微波成像。該研究促進(jìn)了等效媒質(zhì)超材料的發(fā)展。

研究小組首先利用激光分子束外延技術(shù)生長(zhǎng)了具有原子級(jí)別平整度的反鐵磁Cr2O3薄膜，是電荷的絕緣體。采用非局域自旋輸運(yùn)的技術(shù)，用熱方法在鉑電極和Cr2O3薄膜界面注入自旋流、產(chǎn)生自旋壓，在另外一個(gè)鉑電極處利用鉑的自旋霍爾效應(yīng)測(cè)量自旋流的輸運(yùn)（圖A）。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示在低溫下自旋輸信號(hào)出現(xiàn)飽和現(xiàn)象，對(duì)應(yīng)著自旋導(dǎo)的飽和，也就是零自旋阻效應(yīng)；即自旋超流基態(tài)的最重要基本性質(zhì)之一（圖B）。在此基礎(chǔ)上，該研究小組又系統(tǒng)研究了不同自旋輸運(yùn)距離下自旋超流的輸運(yùn)現(xiàn)象，證明了自旋在該自旋超流基態(tài)可以進(jìn)行長(zhǎng)距離的輸運(yùn)，并且其隨輸運(yùn)距離的關(guān)系與自旋超流態(tài)輸運(yùn)理論預(yù)言一致（圖C）。該工作是是自旋超導(dǎo)態(tài)領(lǐng)域研究的一項(xiàng)重大突破，勢(shì)必推動(dòng)自旋超導(dǎo)態(tài)的快速發(fā)展，為研究基于自旋玻色子的玻色愛(ài)因斯坦凝聚的基礎(chǔ)物理研究提供了實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，并為新型量子自旋器件，如自旋流約瑟夫森結(jié)等，奠定了實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。圖：自旋超流基態(tài)的重要實(shí)驗(yàn)證據(jù)。（A）非局域自旋輸運(yùn)測(cè)量示意圖。用熱方法在左邊鉑電極和Cr2O3薄膜界面注入自旋流，在右邊鉑電極處利用鉑的自旋霍爾效應(yīng)測(cè)量自旋流的輸運(yùn)。（B）自低溫下自旋輸信號(hào)出現(xiàn)飽和現(xiàn)象，反映出自旋超流基態(tài)的零自旋阻效應(yīng)。（C）自旋信號(hào)隨其隨輸運(yùn)距離的關(guān)系與自旋超流態(tài)輸運(yùn)理論預(yù)言一致。

石墨烯因 其 優(yōu)異 的性質(zhì)而 被 譽(yù)為 “ 材料之王 ” ， 在諸多 領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景， 但 距離 真正實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化 還存在諸多 問(wèn)題和挑戰(zhàn) 。制備決定 未來(lái)， 高品質(zhì) 石墨烯薄膜的 可控 制備 一直是學(xué)術(shù)界和業(yè)界關(guān)注的 重點(diǎn) 。 化學(xué) 氣相沉積法（ CVD ） 以 其優(yōu)良 的 可控性和可放大性被 公認(rèn) 為最具前景的石墨烯 薄膜 制備方法， 經(jīng)過(guò) 近十年的發(fā)展， 雖然 在單晶尺寸上 取得 了諸多突破性進(jìn)展， 但 CVD 石墨烯的性能 和 理想 水平 仍然有不 小 的差距 ， 這一問(wèn)題已經(jīng)困擾石墨烯領(lǐng)域很久 。 該研究首次 揭示了 CVD石墨烯 的本征污染問(wèn)題，提出氣相反應(yīng)調(diào)控的方法，分別使用泡沫銅輔助催化和含銅碳源實(shí)現(xiàn)了超潔凈石墨烯的制備（ Nat ure   Commun .  2019 ,  10 , 1912 ； J. Am. Chem. Soc.   2019 ,  141 , 7670 ）。 對(duì)于已存在 本征污染的石墨烯薄膜，他們 巧妙地 使用 二氧化碳 對(duì)其進(jìn)行刻蝕 ，而不引入額外缺陷，從而成功 制備出大面積的超潔凈石墨烯薄膜，該 方法與普通CVD工藝完全兼容 （ Angew . Chem.  2019 ,10.1002/ange.201905672 ）。 同時(shí) ，他們探究 了本征污染物與石墨烯之間的相互作用，發(fā)展了基于活性炭的界面力調(diào)控方法，成功實(shí)現(xiàn)了石墨烯的表面清潔（ Adv.  Mater.  2019 , e1902978 ） 。

目前，磷酸二氫銨超細(xì)滅火劑是市面實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)及應(yīng)用的少數(shù)冷氣溶膠滅火劑，但也存在原材料成本過(guò)高，吸水性強(qiáng)，導(dǎo)致其生產(chǎn)過(guò)程復(fù)雜，產(chǎn)品成本很高。因而很難大規(guī)模推廣和使用。氫氧化鎂 [Mg(OH) 2 ] 是一類高效阻燃劑，在約 350 o C 溫度下發(fā)生熱分解反應(yīng)，分解吸收熱為 84.1 kJ/mol ，高吸收熱值可顯著降低燃燒物的表面溫度。分解生成的 MgO 固體在燃燒物表面形成一層固體保護(hù)層，防止復(fù)燃；釋放出的水蒸氣不但可稀釋燃燒物表面附近 O 2 ，還吸收一定熱量，降低燃燒物表面溫度。研究結(jié)果表明超細(xì)氫氧化鎂粉體熄滅油池火是物理和化學(xué)滅火機(jī)理綜合作用結(jié)果，其滅火時(shí)間明顯短于普通磷酸銨鹽干粉。超細(xì) Mg(OH) 2 是一種高效滅火劑，生產(chǎn)原料來(lái)源豐富，制備工藝成本較低，對(duì)生產(chǎn)設(shè)備無(wú)腐蝕，與傳統(tǒng)干粉基料相比更加符合 “ 綠色 ” 環(huán)保要求，具有很廣闊的應(yīng)用前景。