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成果創新點 該材料實現了系列突破： 1. 產率高、三廢少，可實現投料 98%以上的產出； 2. 制備工藝先進、能耗低、產量大，便于大規模生產； 3. 水溶性高，最高可實現 70%左右的水溶性，性能遠 高于市場同類產品； 技術成熟度 成果開發進行到關鍵技術研發階段 市場前景 超高的水溶性及優異的光學性質，既能吸收紫外線， 又能反射、散射紫外線，還能透過可見光，是性

內容介紹： 首創了一種有機-無機納米復合材料的制備技術，操作工藝簡單、無 污染，納米粒子分散均勻，所制備的材料耐熱性好、機械強度高、摩擦 系數低、耐磨性好。 該技術達到國際先進水平，獲發明專利1項。性能指標：

以投影光刻機、超精密光學系統、超穩定運動工件臺以及激光干涉測量儀等為代表的超精密設備對其加工環境要求及其苛刻，對環境中的溫度、壓力、濕度、潔凈度都必須加以超穩定的超穩定控制。 一、項目分類 關鍵核心技術突破 二、成果簡介 以投影光刻機、超精密光學系統、超穩定運動工件臺以及激光干涉測量儀等為代表的超精密設備對其加工環境要求及其苛刻，對環境中的溫度、壓力、濕度、潔凈度都必須加以超穩定的超穩定控制。以光刻機為例：在光刻機工件臺實際工作過程中，溫度的空間不均勻性或者隨時間漂移性都會嚴重影響光刻機的定位精度和套刻精度。具體表現有：工件臺關鍵部件會由于空間溫度的漂移而產生形變進而導致運動誤差，而以激光干涉儀為代表的超穩定測量儀器的波長會受溫度、壓力影響，波長的漂移勢必會造成測量結果的誤差進而最終影響光刻精度。除此之外，空氣中的污染顆粒和化學腐蝕物也均會對工件臺的運動性能造成顯著影響。無論對于精密加工裝備還是測量設備來說，當精度達到納米級時，由環境參數波動引起的誤差因素就成為限制其精度的一大障礙，在這個時候很有必要引入一套環境控制系統來保證這些精密設備的苛刻工作環境需求。

該材料實現了系列突破： 1. 產率高、三廢少，可實現投料 98%以上的產出； 2. 制備工藝先進、能耗低、產量大，便于大規模生產； 3. 水溶性高，最高可實現 70%左右的水溶性，性能遠高于市場同類產品； 

該技術是繼上世紀九十年代初我校建立的可在春節和元旦上市 的“無加溫冬季草莓早熟半早熟栽培技術”之后的草莓栽培技術又一重要突破。 利用引進甜查理鮮食草莓品種、卡瑪魯沙等出口草莓品種以及鉆石等珍稀草莓 品種，在建立的系統化高產栽培技術基礎上，通過工廠化育苗技術和全新的育青島農業大學科技成果介紹 2017 －25－ 苗方法，以無公害栽培方式，促進草莓花芽提早分化、超早成熟。 生產條件及經濟效益預測：培育的草莓比現有草莓提前一至兩個月成熟， 可于 10 至 11 月上市銷售，畝產可達 4000kg。10-1

縱向偏振激光束作為一種特殊光束，它的主要偏振態與光束的傳播方向一致， 這與傳統的麥克斯韋方程所描述的光的偏振態與它的傳播方向垂直相矛盾;該光 束的尺寸可以小于系統 0.5 波長衍射極限分辨率，達到 0.36 波長，如果用于掃 描成像，可以實現 38%的分辨率提高，對于藍色 405 納米的激光，分辨率可以小 于90納米。

產品詳細介紹

本發明公開了一種深部巷道軟弱煤巖松動圈厚度的計算方法及應用該方法的測量裝置，該算法包括以下步驟：(1)定義測點的初始位置距巷道表面的距離為r，測點的位移為u，所述測點在深部巷道軟弱煤巖鉆孔中并位于松動圈范圍內，構建如下u隨r變化的表達式：其中，u0、k1和k2為系數；(2)測量兩個以上測點的u隨r變化的過程，計算得出k1和k2的值；(3)將得出的k1和k2的值帶入如下公式，計算得出深部巷道軟弱煤巖松動圈厚度L的值：L＝?k2ln(20k2/k1)。本發明計算方法簡單、合理，容易實施，而且計算準確度高

產品詳細介紹  JHT—DDC單人單面超凈化工作臺（垂直）   這是一種供單人操作的通用型局部凈化設備，氣流形式為垂直層流，它可造就局部高清潔度空氣環境，是科研制藥、醫療衛生、電子光學儀器等行業最為理想的專用設備。 特點： 1、操作區為全不銹鋼 2、外型美觀結構合理 3、采用自定們上下推拉門系統 4、風量可調，雙側電源插座   技術指標：   型號   JHT--DDC 外形尺寸 900×800×1630 工作臺尺寸 870×650×570 潔凈等級 100級@≥0.5ｕm(美聯邦209E) 平均風速 0.3—0.5m/s(可調) 噪音 ≤65dB(A) 振動 ≤3ｕm 照明 ≥300LX 電源 220V 50HZ 消耗功率 ≤360W 紫外線 30W×1 照明 30W×1 備注 不銹鋼臺面，雙側電源，上下推拉門  

簡介：本發明提供一種超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術領域。本發明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發明的優點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現了Cr-N基膜成分多元化和結構多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的