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一種深
硅
刻蝕方法
本發明公開了一種深硅刻蝕方法,包括如下步驟:(1)在硅片表面制備圖形化的光刻膠掩膜;(2)對硅片進行深感應耦合等離子體干法刻蝕,包括多個刻蝕階段,每個刻蝕階段均在感應耦合等離子體機內,通過鈍化、轟擊和刻蝕三個步驟交替循環加工完成,隨著刻蝕深度的增加,各刻蝕階段中轟擊步驟的轟擊強度逐漸增強。本發明有效解決了現有技術中側壁垂直度及粗糙度難以控制以及大刻蝕深度難以實現的問題,在提高刻蝕效率的同時,提高了對光刻膠的選擇比,刻蝕槽側壁垂直度高,粗糙度小,刻蝕深度大。
華中科技大學
2021-04-14
低硼
硅
藥用玻璃管
主要生產藥用玻管、中性硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅管制口服液體瓶等產品。現擁有14條國際先進的拉管生產線,70余臺國際先進的制瓶機,年產各類安瓿/管制瓶32億支,藥用玻管(精品7.0)30000噸。
山東力諾特種玻璃股份有限公司
2021-08-27
硅
通孔結構及其制造方法
本發明公開了一種硅通孔結構的制造方法,包括以下步驟:將硅片的厚度減薄至 5 微米至 20 微米;去除硅片表面的所有絕緣層;在硅片的導電區表面和絕緣區表面制作摻雜掩膜,以對導電區和絕緣區分別進行粒子摻雜,絕緣區與導電區摻雜的粒子的極性相反;在粒子摻雜完成后去除摻雜掩膜;在導電區表面覆蓋金屬電極;在硅片的表面除金屬電極之外的區域覆蓋絕緣層。本發明的方法制造工藝簡單,可避免刻蝕、絕緣處理等工藝對硅片的破壞,并能夠提高制造硅通孔結構的成品率。本發明還公開了一種硅通孔結構。
華中科技大學
2021-04-11
KJ110-
J
2型井下用傳輸接口
KJ110-J2型井下用傳輸接口是KJ110N型礦井安全生產監控系統重要的數據通訊設備。主要用于與井下分站之間、與地面KJ110-J1地面用傳輸接口之間的數據和控制指令的傳輸。 該接口與地面通訊接口采用單模光纖通訊,數據通訊速率可達57600bit/s,設計有64KB高速數據緩沖區,設計有320×240點陣液晶顯示器,實時顯示系統通訊狀態和通訊線路故障診斷。主機通訊指示燈實時指示與地面通訊接口光纖數據通訊狀態,從機通訊12個指示燈分別指示6個支路對應井下分站的數據傳輸狀態,主從卡通訊指示燈指示主卡與6個從卡之間的通訊狀態;
西安科技大學
2021-04-11
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2021-08-23
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