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本發(fā)明公開(kāi)了一種具有共振隧穿結(jié)構(gòu)電子阻擋層的發(fā)光二極管，包括：由下而上依次設(shè)置的襯底、ｎ型氮化物層、多量子阱層、電子阻擋層、ｐ型氮化物層、ｐ型氮化物歐姆接觸層，所述ｎ型氮化物層上設(shè)置的ｎ型電極和所述ｐ型氮化物層上設(shè)置的ｐ型電極；其中電子阻擋層由由下而上依次設(shè)置的ｐ型摻雜氮化物勢(shì)壘層，非摻雜氮化物勢(shì)阱層、利用共振隧穿效應(yīng)增大空穴透過(guò)率的非摻雜勢(shì)壘層聯(lián)合

本發(fā)明公開(kāi)了一種具有雙摻雜多量子阱結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管，包括：由下至上依次設(shè)置的襯底，AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區(qū)、AlzGa1?zN電子阻擋層，其中z>y>x，p型AlGaN層和透明導(dǎo)電層，在n型AlGaN層和透明導(dǎo)電層上分別設(shè)置的n型歐姆電極和p型

本發(fā)明公開(kāi)了一種激光打印機(jī)高質(zhì)量文字輸出的二位半色調(diào)方法，以用戶(hù)輸入的待打印文件作為輸 出源文件，與調(diào)幅閾值矩陣做第一次對(duì)比，生成只有兩種曝光狀態(tài)的半色調(diào)文件。第二次對(duì)比前先取特 征邊緣點(diǎn)，然后待打印文件相應(yīng)位置的灰度值與灰度等級(jí)的中值做第二次對(duì)比，生成四種曝光狀態(tài)的半 色調(diào)文件。最后根據(jù)半色調(diào)文件控制半曝光激光打印機(jī)進(jìn)行輸出。本發(fā)明有效地改善在輸出時(shí)文字邊緣 的顯示效果，二位半色調(diào)方法調(diào)整效果顯著。 

本團(tuán)隊(duì)采用新型結(jié)構(gòu)導(dǎo)向技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)亞微米和納米二氧化硅中空微球的溶膠凝膠法和沉淀法高濃度制備，能夠滿足大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)的需要，并能對(duì)其納米殼層結(jié)構(gòu)進(jìn)行精準(zhǔn)調(diào)控，為相關(guān)功能材料的性能設(shè)計(jì)提供合成技術(shù)基礎(chǔ)?，F(xiàn)有二氧化硅中空微球制備技術(shù)的投資成本高、設(shè)備生產(chǎn)率低、控制難度大，無(wú)法在工業(yè)規(guī)模上對(duì)其特有的納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行精準(zhǔn)調(diào)控，嚴(yán)重限制了中空微球在高端產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用。本團(tuán)隊(duì)基于全新的中空結(jié)構(gòu)導(dǎo)向技術(shù)，在間歇反應(yīng)釜中通過(guò)溶膠凝膠法和沉淀法實(shí)現(xiàn)中空微球的高密度、大批量生產(chǎn)，具有設(shè)備生產(chǎn)率高、微球結(jié)構(gòu)規(guī)整、壁厚可控、容易復(fù)合改性等優(yōu)點(diǎn)，突破了中空微球規(guī)模化生產(chǎn)的技術(shù)瓶頸。通過(guò)改變導(dǎo)向劑分子結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)工藝微調(diào)，可在 50-400 納米范圍內(nèi)對(duì)中空微球的壁厚進(jìn)行精準(zhǔn)調(diào)控，使其對(duì)不同波長(zhǎng)的光信號(hào)產(chǎn)生各種響應(yīng)，并能通過(guò)控制中空和多孔結(jié)構(gòu)調(diào)節(jié)比表面積、導(dǎo)熱系數(shù)、阻尼特征、機(jī)械強(qiáng)度等性能，滿足不同功能材料領(lǐng)域的要求。該技術(shù)還可以實(shí)現(xiàn)脂溶性物質(zhì)或納米顆粒與二氧化硅的復(fù)合，制備出具有功能多樣性的復(fù)合中空微球， 如將氧化錫銻（ATO）與二氧化硅中空微球復(fù)合，可制備兼具紫外光、可見(jiàn)光、近紅外反射和隔熱功能的復(fù)合中空微球保溫填料。 

獲廣元市第七屆教育科研優(yōu)秀成果《廣元市地震災(zāi)區(qū)教師信息技術(shù)能力現(xiàn)狀調(diào)查與分析》二等獎(jiǎng)。

我校郭光燦院士團(tuán)隊(duì)在二維范德瓦爾斯材料固態(tài)自旋色心領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。該團(tuán)隊(duì)李傳鋒、唐建順研究組與匈牙利魏格納物理研究中心AdamGali教授等人合作，實(shí)驗(yàn)研究并理論解釋了六方氮化硼（hexagonalboronnitride，hBN）中帶負(fù)電硼空位（VB-）色心受磁場(chǎng)調(diào)制的自旋相干動(dòng)力學(xué)行為，揭示了hBN中VB-色心電子自旋與核自旋之間的相干耦合和弛豫機(jī)制，對(duì)發(fā)展基于二維范德瓦爾斯材料的相干自旋系統(tǒng)及低維量子器件具有重要意義。

本發(fā)明公開(kāi)了一種提高二氧化鈦光激發(fā)氣敏性能的方法及裝置， 該方法是在光氣敏傳感器工作過(guò)程中，通過(guò)對(duì)材料薄膜進(jìn)行加熱調(diào)控 （50℃-70℃），使氣敏材料表面物理吸附水減少，從而對(duì)環(huán)境濕度不 敏感；其次，表面保留的化學(xué)吸附水在紫外光照下產(chǎn)生的自由羥基， 以及由低溫加熱下產(chǎn)生少量熱激發(fā)誘導(dǎo)的光、熱聯(lián)合激發(fā)的協(xié)同效應(yīng)， 可大幅度提高其響應(yīng)恢復(fù)速度。裝置包括材料基片、光激發(fā)源、光激 發(fā)控制模塊、溫度控制模塊、信號(hào)調(diào)理模塊、計(jì)算

（專(zhuān)利號(hào)：ZL 201410557617.3） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開(kāi)了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的二硫化鉬(MoS2)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該納米粉末材料為核殼結(jié)構(gòu)，內(nèi)核為MoS2納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述MoS2內(nèi)核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發(fā)明采用等離子電弧放電法，將鉬粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽(yáng)極材料，采用石墨作為陰極

該方法首次利用自組裝的技術(shù)合成出大孔具有光學(xué)性能的二氧化硅材料，突破了用表面活性劑為模板很難合成出大孔徑材料的瓶頸，并且由于材料本身規(guī)則的孔結(jié)構(gòu)結(jié)合二氧化硅本身的折射率產(chǎn)生肉眼可見(jiàn)的顏色，該合成方法技術(shù)成熟，重復(fù)性好，具有可操作性，該材料在光學(xué)器皿元件上有潛在的應(yīng)用價(jià)值。

本發(fā)明公開(kāi)了一種１，１?二吡唑甲烷雙核錳聚合物，還提供了該化合物的制備方法及催化應(yīng)用。本發(fā)明具有工藝簡(jiǎn)單、成本低廉、化學(xué)組分易于控制、重復(fù)性好并且產(chǎn)量高，催化效果優(yōu)良等優(yōu)點(diǎn)。