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芯片封裝用抗靜電復(fù)合材料
ABS 塑料是丙烯腈(A)、丁二烯(B)、苯乙烯(S)三種單體的三元共聚物，三種單體相對含量可任意變化，制成各種樹脂。ABS 塑料是一種原料易得、綜合性能良好、價格便宜、用途廣泛的“堅韌、質(zhì)硬、剛性”材料。在機械、電氣、紡織、汽車、飛機、輪船等制造工業(yè)及化工中獲得了廣泛的應(yīng)用。但是普通ABS塑料容易產(chǎn)生靜電，嚴重限制了ABS塑料在精密材料、計算機材料等領(lǐng)域的應(yīng)用。研究團隊面向半導(dǎo)體工業(yè)芯片封裝中抗靜電需求，制備具有優(yōu)良導(dǎo)電性能和機械強度的ABS/石墨烯復(fù)合抗靜電材
廈門大學(xué)
2021-01-12
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一種微流控芯片組件
本發(fā)明公開了一種微流控芯片組件，包括微流控芯片以及罩蓋在微流控芯片上的蓋片，所述微流控芯片上設(shè)有中心加樣口、圍繞中心加樣口的若干周側(cè)加樣口以及將若干周側(cè)加樣口分別與中心加樣口導(dǎo)通的流道；所述蓋片上設(shè)有與所述中心加樣口和周側(cè)加樣口對應(yīng)的通孔；所述微流控芯片與罩蓋轉(zhuǎn)動配合，所述蓋片具有保證微流控芯片上所有加樣口與所述通孔對應(yīng)導(dǎo)通的加樣工作位，以及封堵所有周側(cè)加樣口的封裝工作位；所述微流控芯片與蓋片之間設(shè)有撥片，該撥片用于在蓋片處于封裝工作位時遮蓋所述中心加樣口。本發(fā)明的微流控芯片組件整體結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，僅通過簡單的旋轉(zhuǎn)即可實現(xiàn)微流控芯片工作狀態(tài)的切換，封裝和打開非常方便，實用性較強。
浙江大學(xué)
2021-04-13
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紙芯片重金屬離子檢測集成裝置
成果介紹重金屬離子污染是影響人類生命健康及社會可持續(xù)發(fā)展的重大問題之一。方便、快捷低成本的重金屬離子檢測方法及裝置的研發(fā)仍然是分析化學(xué)及儀器分析領(lǐng)域的研究熱點之一。近年來開發(fā)的低成本紙基微流控芯片逐漸引起了科學(xué)家的廣泛關(guān)注，如何將紙基微流控芯片負載熒光染料后用于高通量篩查水質(zhì)中的重金屬離子，并且可以方便快捷的分析檢測結(jié)果仍然是一大難題。基于上述挑戰(zhàn)，本項目擬研制基于紙基微流控芯片重金屬離子檢測集成裝置，并建立相關(guān)分析方法及分析標準曲線。在檢測的過程中紙基微流控芯片可以顯示不同強度的熒光和顏色，然后利用智能手機通過集成裝置捕獲光學(xué)信號，最后通過建立的分析曲線快速分析樣品中重金屬離子的含量。從而實現(xiàn)重金屬離子高通量快速篩查與定量分析。技術(shù)創(chuàng)新點及參數(shù)本項目的技術(shù)優(yōu)勢在于使用紙基微流控芯片成本較低；負載熒光染料后分析快捷方便無需樣品預(yù)處理；熒光染料熒光強度及顏色變化明顯靈敏度高；使用微型集成裝置及智能手機捕獲光學(xué)信號可現(xiàn)場快速分析檢測；集成裝置可通過3D打印制作費用較低；檢測過程無需大型儀器操作簡單能耗低等。現(xiàn)場快速檢測是野外水質(zhì)重金屬離子污染檢測的需求之一，利用研發(fā)的集成裝置搭載微型電源即可完成野外現(xiàn)場的快速檢測，通過預(yù)先建立的分析標準曲線可定量檢測水體中的重金屬離子含量。另外如果開發(fā)分析軟件，建立手機內(nèi)部的分析應(yīng)用程序即可完成用手機獲取光學(xué)信號后直觀方便的讀出分析數(shù)據(jù)，可以快速方便的分析較大的樣品量。市場前景目前重金屬離子檢測主要依賴大型儀器分析，存在樣品預(yù)處理繁瑣、分析儀器操作復(fù)雜、檢測時間長和無法現(xiàn)場檢測等缺點。本項目研發(fā)的基于紙基微流控芯片重金屬離子檢測集成裝置可彌補上述缺點。實現(xiàn)方便、快捷、低能耗、低成本的高通量快速分析檢測的目標，并可實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化和應(yīng)用。這一裝置將為野外的水質(zhì)重金屬離子污染檢測提供方便快捷的檢測策略。
東南大學(xué)
2021-04-13
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全功能可配置NAND?Flash芯片測試設(shè)備
已有樣品/n該成果研發(fā)了一種全功能、可配置的NAND Flash芯片測試設(shè)備，專為測試開發(fā)，采用完全自主知識產(chǎn)權(quán)的NAND Flash控制器。支持基本讀寫命令和高級命令，可根據(jù)NAND Flash Datasheet自定義測試命令，并且支持覆蓋寫、編程干擾、保留時間、Read Retry等特殊測試。同時支持3D Nand Flash，支持SLC，MLC，TLC，支持同步和異步Flash，支持TSOP48，BGA63，BGA100，BGA132，BGA152封裝產(chǎn)品支持Micron、Samsung、T
華中科技大學(xué)
2021-01-12
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可編程系統(tǒng)芯片(SOPC)研究和應(yīng)用
復(fù)旦大學(xué)專用集成電路與系統(tǒng)國家重點實驗室在可編程系統(tǒng)芯片 (SOPC)的器件結(jié)構(gòu)和軟件算法領(lǐng)域經(jīng)過多年研究積累，基本形成 了系列 SOPC 器件和配套軟件平臺，并積極拓展產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。FDP 系列器件基于 0.18um 和
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12
基于波前調(diào)節(jié)的電控液晶激光整形芯片
本發(fā)明公開了一種基于波前調(diào)節(jié)的電控液晶激光整形芯片。該芯片包括圓柱形的液晶調(diào)相架構(gòu)；其包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)印D形化電極層、第一基片和第一增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向?qū)印⒐搽姌O層、第二基片和第二增透膜；公共電極層由一層勻質(zhì)導(dǎo)電膜構(gòu)成；圖形化電極層由圓形導(dǎo)電膜和同心設(shè)置在圓形導(dǎo)電膜外圍的至少一個圓環(huán)形導(dǎo)電膜構(gòu)成，圓形導(dǎo)電膜的圓心與液晶調(diào)相架構(gòu)的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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超寬光譜微弱光探測及成像芯片研制
受到技術(shù)出口限制等原因，目前，我國的紅外探測技術(shù)無論是在技術(shù)水平、產(chǎn)品性能、靈敏度、應(yīng)用范圍等方面還具有很大的局限。本項目采用新穎量子點納米材料，制備新型結(jié)構(gòu)高靈敏度光電探測器，以窄帶隙IV-VI族半導(dǎo)體納米材料為光敏感層，研發(fā)紅外上轉(zhuǎn)換光子探測器，實現(xiàn)對微弱入射光（特別是紅外光）進行探測及成像的芯片設(shè)計，并用于其他安監(jiān)和夜視應(yīng)用研究。實現(xiàn)從紫外到中波紅外（20µm）的一體化、超寬譜段的微弱光探測與成像。完成超寬光譜微弱光探測及成像芯片制備，實現(xiàn)紅外領(lǐng)域高精尖技術(shù)的自主可控及大面積的推廣應(yīng)用，真正實現(xiàn)紅外“中國芯”，意義重大、市場廣泛。
北京理工大學(xué)
2023-05-09
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智能芯片驅(qū)動 LED 集成化照明模組
基于分布式芯片驅(qū)動的 LED 集成化照明模組，將驅(qū)動與光源集成為一體化標準模組，克服了開關(guān)電源的電解電容壽命瓶頸、可靠性差、成本高等缺點，具有可靠性高、 壽命長、結(jié)構(gòu)簡單、模塊化設(shè)計、安裝方便、免維護、智能化、成本低等優(yōu)點。結(jié)合窄帶物聯(lián)網(wǎng)(NB-IoT)、Zigbee、 LoRa 等無線通訊技術(shù)，實現(xiàn)了大數(shù)據(jù)物聯(lián)網(wǎng)平臺的智慧城市照明系統(tǒng)，通過精細化運營管理，可達到 70%的節(jié)能減排效果。實現(xiàn)驅(qū)動芯片化、模組集成化、通訊無線化、軟件智慧化、系統(tǒng)物聯(lián)化。
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2021-04-14
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CMOS可視芯片及其衍生產(chǎn)品―電腦眼
由西安交大開元集團自主開發(fā)的CMOS可視芯片是目前國際先進、國內(nèi)領(lǐng)先的視覺芯片，具有集成度高、功能全、體積小、功耗低的特點。以CMOS可視芯片為核心部件的彩色電腦眼是新一代計算機圖像輸入器件，具有數(shù)碼相機、電子相冊、三維傳真、動態(tài)錄像EMAIL、網(wǎng)絡(luò)可視電話、視頻會議和智能遙控報警等多種功能。該項目已被列入國家高新年技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程。
西安交通大學(xué)
2021-01-12
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寬帶長距離傳輸光接收集成芯片
本項目針對國內(nèi)高端光電子器件嚴重依賴進口的現(xiàn)狀問題，自主研制Tb/s級以上 PDM-16QAM的硅基大規(guī)模陣列集成相干光接收芯片。根據(jù)本研究組在硅基集成光電子器件、偏振控制器件、光混頻器等方面的建模仿真、制備測試基礎(chǔ)，依托“先進電子材料與器件”校級平臺的先進半導(dǎo)體加工能力，制備了高偏振消光比的偏振分束器、偏振旋轉(zhuǎn)器，高相位精度的90度混頻器，大帶寬高響應(yīng)度的探測器陣列，高效硅基芯片-光纖耦合，以及可調(diào)光功率衰減器。 通過本項目的實施，在硅基光接收集成芯片、高端光電子器件及其大規(guī)模集成的關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域有所突破，建立關(guān)鍵工藝技術(shù)與器件標準庫，形成硅基光電子器件標準加工工藝流程，實現(xiàn)高端光電子器件的自主制備,改變了我國硅基光電子器件技術(shù)無償?shù)叵驀廪D(zhuǎn)移的歷史，縮短我國光子集成技術(shù)與國際先進水平的差距，提升我國光通信產(chǎn)業(yè)的競爭力。部分成果獲得2014年度上海市發(fā)明二等獎。
上海交通大學(xué)
2021-04-13