葡京娱乐场-富盈娱乐场开户_百家乐试玩_sz全讯网网址xb112 (中国)·官方网站

本實用新型公開了一種適應多規格芯片的表面貼裝機拾取裝置，包括 Z 向進給模塊、傳動模塊、氣路模塊、花鍵軸模塊和吸嘴模塊，其中 Z 向進給模塊用于帶動背板上下運動；氣路模塊中的真空發生器用于產生真空，并通過氣管、快接接頭和花鍵軸聯接，在花鍵軸內部產生真空環境；傳動模塊用于保證吸取的芯片在貼裝時姿態的精準度；花鍵軸模塊用于傳遞旋轉運動和提供緩沖作用；吸嘴模塊則通過吸嘴頭與吸嘴桿內嵌的密封墊產生不同的配合，控制不同組合的通氣孔的開閉，進而使吸嘴頭產生不同尺寸的真空域。通過本實用新型，應能夠僅采用一種吸嘴即

本實用新型公開了一種倒裝 LED 芯片在線檢測的收光積分球，該收光測試組件包括積分球組件和光學測試組件，其中積分球組件包括積分球模塊、積分球夾具、積分球升降裝置；其中積分球模塊包括積分球、積分球 90°轉接頭，積分球的開口設置有石英玻璃，其設置方式是采用石英玻璃夾具套設在積分球的收光口處，其中石英玻璃夾具呈圓筒狀，其內側在略高于收光口的上方設置有凸臺，用于放置固定石英玻璃。按照本實用新型設計的收光測試組件，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片測試探針下壓時的不穩定問題，能顯著提高積分球的收光效率，具有高

本發明公開了一種固態盤內部閃存芯片閾值電壓感知優化方法， 主要用于多層單元閃存芯片使用低密度奇偶校驗碼糾錯時的一種優化 方法。該系統結構主要由 LDPC 編碼模塊、閃存芯片存儲模塊、非均 勻閾值電壓感知模塊、對數似然比計算模塊和 LDPC 譯碼模塊組成。 LDPC 編碼模塊主要對原始數據利用 LDPC 生成矩陣編碼生成碼字； 閃存芯片存儲模塊主要存儲數據；非均勻閾值電壓感知模塊主要對閃 存芯片進行非均勻閾值電壓感知；

本發明公開了一種基于電控液晶紅外匯聚平面微柱鏡的紅外波束控制芯片。包括電控液晶紅外匯聚平面微柱鏡陣列；電控液晶紅外匯聚平面微柱鏡陣列包括液晶材料層，依次設置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向層、第一電隔離層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向層、第二電隔離層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；公共電極層由一層勻質導電膜構成；圖形化電極層由布有 m×n 元陣

本發明公開了一種液晶基電調空間分辨率全色成像探測芯片，包括陶瓷外殼、金屬支撐和散熱板、驅控和圖像預處理模塊、面陣全色成像探測器、以及面陣電控液晶微透鏡，驅控和圖像預處理模塊、面陣全色成像探測器、以及面陣電控液晶微透鏡設置于陶瓷外殼內，陶瓷外殼后部固定設置于金屬支撐和散熱板頂部，驅控和圖像預處理模塊固定設置于陶瓷外殼后部與金屬支撐和散熱板連接處，面陣全色成像探測器平行設置于驅控和圖像預處理模塊頂部，面陣電控液晶微

本發明公開了一種適應多規格芯片的表面貼裝機拾取裝置，包 括 Z 向進給模塊、傳動模塊、氣路模塊、花鍵軸模塊和吸嘴模塊，其 中 Z 向進給模塊用于帶動背板上下運動；氣路模塊中的真空發生器用 于產生真空，并通過氣管、快接接頭和花鍵軸聯接，在花鍵軸內部產 生真空環境；傳動模塊用于保證吸取的芯片在貼裝時姿態的精準度； 花鍵軸模塊用于傳遞旋轉運動和提供緩沖作用；吸嘴模塊則通過吸嘴 頭與吸嘴桿內嵌的密封墊產生不同的配合，控制不同組合的通氣孔的 開閉，進而使吸嘴頭產生不同尺寸的真空域。通過本發明，應能夠僅 采用一

本發明公開了一種用于無源超高頻 RFID 標簽芯片解調電路， 包括整流電路、取包絡電路、低通濾波電路、均值產生電路、比較器、 整形電路、使能控制電路、偏置電路。整流電路由主級和輔助級構成， 采用閾值補償實現，取包絡電路在使能控制電路控制下提取包絡，低 通濾波電路直接采用 RC 結構，均值產生電路由運算放大器、二極管 和電容構成，利用峰值檢測的原理實現，比較器采用開環的運算放大 器實現，整形電路由兩個級聯的反相器構成，

本發明公開了一種液晶基單眼復眼一體化成像探測芯片，包括陶瓷外殼、金屬支撐和散熱板、以及單眼復眼一體化成像探測架構，陶瓷外殼后部固置于金屬支撐和散熱板頂部，單眼復眼一體化成像探測架構設置于陶瓷外殼內，并包括同軸順序設置的驅控與圖像預處理模塊、面陣可見光探測器以及面陣電控液晶成像微透鏡，面陣電控液晶成像微透鏡用于從陶瓷外殼頂部開口接收可見光，并將該可見光聚焦到面陣可見光探測器，驅控與圖像預處理模塊通過通訊與控制信號

本發明屬于光電子芯片加工制造技術領域，公開了一種圖像壓縮光學芯片的實時在線制作檢測系統及方法。利用計算機對待壓縮圖像進行壓縮得到第一圖像，并掃描得到第一圖像灰度信息，根據第一圖像得到第一控制信息；超快激光器根據第一控制信息對光學芯片材料進行波導結構加工；激光器陣列根據第一圖像灰度信息產生對應功率的激光并通過光纖進入至光學芯片材料；利用光功率探測器陣列接收光學芯片材料輸出的激光并得到功率信息；計算機根據功率信息得到第二圖像灰度信息，重構得到第二圖像，根據第一圖像和第二圖像得到第二控制信息；超快激光器根據第二控制信息對光學芯片材料進行在線矯正加工。本發明能夠提高光學芯片的生產效率、降低制造成本。

現階段所設計的存算一體器件單元結構如圖 1 所示： 器件的基本結構由波導和功能層（由下到上分為加熱層、電極層、保護層、相變材料（硫系化合物）層）所構成。擬通過在當前流行的絕緣層上硅(SOI)光子平臺上集成四氮化三硅光波導的方式實現器件的光學讀取功能，即在非常厚的硅襯底層上生長一層絕緣層二氧化硅和波導層，然后在基片上通過光刻、顯影、刻蝕等工藝制備四氮化三硅波導。功能層主要用于實現器件的電學寫入功能。加熱器層的主要用途是與相變材料層形成電接觸，通過較小的接觸面積使接觸處的熱量集中，從而可以在較小的電壓或電流下使相變材料發生相變。因此需要加熱器層具備較好的導熱和導電性能，同時在近 C 波段具有較低的光損耗，可采用石墨烯。電極層可用于提供相變材料器件單元所需要的編程電脈沖。當前擬采用硒摻雜的相變材料合金（如 GSST）作為器件的核心功能層的相變材料。該材料在通信/非通信波段顯示了極低的光損耗和更高的品質因數，且相變前后在通信 C 波段具有足夠大的光學常數反差，可在更惡劣的高溫環境下進行操作，適用于硅基光子器件應用。 采用的主要技術手段包括： ① 依托于相變材料的電致和光致相變特性，通過電學編程、光學讀取的方法實現器件的存儲、算術運算和邏輯運算功能：  存儲功能的實現：擬利用相變材料晶態低透過率和非晶態高透過率分別代表二進制中的‘1’和‘0’，實現數據存儲（編程）功能。例如在電極兩端施加合適的電脈沖，所產生電流流經加熱層時，生成的熱量主要集中在加熱層和相變材料層接觸處，使得接觸處的相變材料發生相變，實現存儲功能。在完成上述編程操作后，從器件波導輸入端輸入讀取連續光。由于相變材料功能層對光強的吸收能力在編程和非編程區域間存在著顯著的差異，因此當輸入光經過波導后，其能量會因為相變材料編程區域的吸收而發生改變，進而顯著改變輸出光強能量。所以通過測量輸入輸出光強的能量之比（即透過率），可實現對先前編程區域的讀取。  算術和邏輯功能的實現：通過調整編程電脈沖的幅度和寬度可以動態調控相變材料的相變程度，使得器件的中間透過率值可用于代表不同的數值，實現多級存儲功能。所以擬采用輸入脈沖數量對應加數的方法實現標量加法計算。同時由于所設計器件的讀取連續光輸出功率可視為讀取連續光輸入功率和器件透過率的乘積，因此可采用將輸入功率和透過率作為被乘數和乘數的方法實現基本乘法運算。除此之外還可以將器件功能層的初始狀態設置為非晶相，把晶化脈沖幅值和不足以產生晶化的脈沖幅值分別作為輸入邏輯‘1’和‘0’；同時設定一個判定閾值并與編程后器件透過率的變化率進行對比，把高于和低于閾值的透過率變化率分別作為輸出邏輯 ‘1’和‘0’；通過合理選擇編程脈沖有望實現各種邏輯功能輸出。 ② 基于器件透射率可調特性驗證其實現神經突觸的可行性。并依托所設計人工突觸構建人工神經網絡芯片，實現圖像、語音和文本識別功能：  突觸可塑性是大腦記憶和學習的神經生物學基礎，也是人工類腦器件需要實現的首要功能。為實現突觸可塑性，擬把相變材料和波導之間的耦合區域視為仿生神經突觸，左右兩端電極分別代表突觸前和突觸后，分別施加在兩端電極上的電脈沖則作為突觸前和突觸后刺激。通過調節從左右兩端電極輸入耦合區域的電脈沖時間差對耦合區域的光透過率進行連續調控，進而依托于上述存算理論模型和實物器件仿真和實驗實現仿生神經突觸的脈沖時序依賴可塑性（Spike-Timing-Dependent-Plasticity, STDP)。  將不同波長的光脈沖序列輸入所設計的突觸單元, 經過相變材料的作用，脈沖強度發生變化，對應于乘法器。進而借助于微環結構，將不同波長的脈沖導入進同一波導中，該功能類似加法器。相加后的脈沖光強較小時，讀取光與微環發生共振，在輸出端口沒有光強輸出。當光強達到一定的閾值后，讀取信號不再和微環發生共振，而是傳播到輸出端口。這一過程類似神經元脈沖信號的激發，實現了非線性激活函數的功能。利用上述的單個神經元結構，驗證其監督式機器學習和非監督式機器學習。對于監督式機器學習，權重的數值通過外部管理器設置；對于非監督式機器學習，不再需要外部管理器來設置權重值，而是通過輸出光脈沖進行反饋控制，調整權重值。在單個神經元結構的基礎上，更復雜的光學脈沖神經網絡結構，證明該結構的可擴展性。擬設計的神經網絡中的每一層結構包括三個功能單元，即收集器、分發器和神經突觸結構。收集器將上一層不同波長的光脈沖信號收集到同一根波導中，分發器將光脈沖分發給多個神經元，神經突觸結構則產生光脈沖信號，輸入給下一層結構。基于上述結構實現圖片、語音和文本的識別。 創新性分析：①首次研究了一款基于“電學編程、光學讀取”模式的光電混合存算一體化器件。與傳統電學存算一體化器件相比,擬研發的器件可以進行長距離的信息傳輸，具有傳輸帶寬高、信號間延遲低、損耗低、抗干擾、集成密度高等優點。②采用硒(Se)摻雜的相變材料作為存算一體化器件的核心功能材料。與采用其他相變材料的存算一體器件相比，以硒參雜的相變材料作為功能材料的存算一體器件有望展現出極低的光損耗。③提出了一種基于“電學脈沖刺激、光學權重調節”的人工神經突觸。該突觸器件有望成為未來通用型人工神經突觸，填補了光電混合型人工突觸的技術空白。 先進性分析：①所提出的光電混合工作模式使得該存算一體化器件不但具有傳統集成電路的高密度特性，且兼具光通信技術的寬頻帶、低延遲、抗干擾的優越性能。②所采用硒參雜的相變材料不但繼承了傳統材料具有的快速相變轉化速度、低功耗和穩定性強等特性，且本身在通信波段非晶態透明的同時還保持了相變前后足夠大的光學性能差異的特點。③所設計的突觸繼承了人工電子突觸和全光突觸的優點，具有高集成度、低功耗、超快響應時間、穩定性強等優點。 獨占性分析：根據已取得成果正在撰寫專利，以獲得該關鍵技術的獨有權。