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本發明公開了一種高靈敏的ZnO/AlN核鞘納米棒陣列紫外光探測器的制備方法，包括如下步驟：在藍寶石襯底上生長ZnO納米棒陣列；采用磁控濺射法在ZnO納米棒上濺射不同厚度的AlN鞘層薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ZnO/AlN核鞘納米棒陣列兩端制備具有歐姆接觸的金屬電極，構成完整的器件。本發明通過簡單的磁控濺射方法，控制濺射時間，在ZnO納米棒上生長不同厚度、表面光滑均一的AlN鞘層薄膜，制備的ZnO/AlN核鞘光探測器件不僅具有更好的紫外光響應，在360nm紫外光照射下，電壓為5V時，明暗電流比為5.5×103，提高了一個數量級，同時具有更快速的響應和恢復時間，分別是0.883和0.956s。

一 、科研領域及方向：自動控制和智能儀表。PLC、變頻器、伺服電器控制柜電控系統、自動控制系統設計、現場調試工作。二、服務范圍：為中小企業提供電氣自動化設計、制作、維修、調試等一條龍服務。 1、 為企業個人提供完整超值的電氣自動化工程技術一條龍服務。2、 各種品牌PLC、HMI編程；各種品牌變頻器、工控儀表調試；3、 貨正價低的各種品牌電氣元器件。4、 自工程投標、技術方案、電氣施工圖設計、元器件采購、電器柜制作、自動化編程調試、現場施工管理等整套工程負責到底。三、合作方式1、項目論證、可研等前期工作2、簽署合作合同3、全套技術施工圖、系統說明書、技術資料4、系統實施5、客戶驗收 6、提供3年免費技術支持（7×24h）。

本發明提供的具有高單縱模成品率的脊波導分布反饋(DFB)半 導體激光器，是由自下而上依次排列的 N 型電極(1)、襯底(2)、下包層 (3)、下分別限制層(4)、應變多量子阱有源層(5)、上分別限制層(6)、緩 沖層(7)、光柵層(8)、上包層(9)、第一脊條(10)、第二脊條(11)、第一 脊條上的 P 型電極(12)、第二脊條上的 P 型電極(13)組成。本發明通過 在單個半導體激光器管芯上制作端面反射率相位相差π/2 的兩個

近日，國際知名學術期刊Advanced Materials以“Progress and Perspectives of Single-atom Catalystsfor Gas Sensing”為題，在線報道了我校機械與動力工程學院在單原子氣體傳感領域的評論性綜述論文。

燃燒器結構從內到外依次包括中心天然氣輔助噴嘴通道，中心穩燃直流風通道，環形天然氣主噴嘴通道，內旋流高速空氣通道（旋流角25度），外軸向高速直流風通路。經過精確的空氣動力學設計，可以實現理想的火焰溫度、速度、強度和剛度，天然氣流量可在100---2700Nm3/h內調節，具有自主知識產權。 燃燒器提高了天然氣的噴射壓力（320---390m/s）和噴射速度（2000m3/h），以提高火焰強度和剛性。燃料壓力、流量實際調節比可達1：36。火焰的形狀、溫度、強度和剛性在整個火焰長度都能高效熱交換，不形成局部過熱，不出現峰值溫度。一方面有利于熟料結粒，熟料礦物晶相正常發育，防止燒成帶揚塵；另一方面有利于形成致密穩定的燒成帶窯皮，延長耐火磚使用壽命。 天然氣噴嘴由單一大直徑噴嘴改為較小直徑的多孔噴射平行流多噴嘴。可以加強與一次風和二次助燃風的摻混，強化燃燒，提高燃燒速度和效率，提高火焰的溫度，縮短根部黑頭長度。 燃燒器采用了火焰穩定器技術，防脫火效果顯著；采用了“攏焰罩”技術，有利于形成細長體剛性火焰，使窯體溫度分布合理，火焰峰值溫度降低。該燃燒器具備了低過剩空氣系數下完全燃燒的性能，因而可以在過剩空氣系數1.1下操作，可以節約的天然氣將可達到總量的10%。 主要性能指標：1. 燃料：天然氣（或中高熱值煤氣）；2. 天然氣壓力/流量：天然氣設計壓力50kPa，中心天然氣輔槍出力500Nm3/h，環形天然氣主槍出力1500Nm3/h，主、輔槍共同工作出力2000Nm3/h；3. 用途：用于回轉窯供熱（窯鋼板內徑：3.5m，耐火材料內徑3m）；4. 工藝溫度：1400℃，最高溫度：1600℃；5. 安裝位置：安裝在窯罩后部，火焰直接進回轉窯，伸進窯筒內的火管長度4.5m（窯罩端面至噴火口）；6. 助燃風溫度：一次風不超過總量的10%，來自凈風機,壓力25---50KPa，常溫，二次風:不小于總量的90%，來自冷卻機,溫度:～800℃； 其中： P氣：為燃燒器噴槍前天然氣表壓力，單位:KPa V輔：為中心輔噴槍的天然氣流量，單位:Nm3/h V主：為環形主噴槍的天然氣流量，單位:Nm3/h V總：為主、輔噴槍共同工作的天然氣流量，單位:Nm3/h

本發明屬于數據中心服務器液冷領域。本發明提供了一種應用噴霧冷卻和分離式熱管的可移動液冷服務器機柜系統，包括噴霧冷卻液冷模塊、分離式熱管風冷冷卻模塊；所述噴霧冷卻液冷模塊將噴霧冷卻與液冷循環相結合，噴霧冷卻通過工質快速蒸發將熱量快速從冷卻液中轉移至蒸發端換熱器中，實現冷卻液的快速冷卻，滿足高功率發熱電子元件的散熱需求；所述分離式熱管風冷冷卻模塊可迅速將蒸發端換熱器中的熱量轉移至冷凝端換熱器，排出服務器機柜，充分利用自然冷源，降低服務器運行能耗。本發明采用高效換熱方法，并將液冷系統集中于服務器機柜中，無需外接液冷系統，可實現數據中心服務器液冷系統的獨立運行，方便服務器的安裝和使用。

本發明涉及壓力傳感器技術領域，特指一種寬量程高精度集成雙膜電容式壓力傳感器及制作方法，包括玻璃襯底，玻璃襯底上設有淺槽一與淺槽二，淺槽一與淺槽二通過細槽連通，淺槽二中心位置設有淺槽通孔，淺槽通孔從淺槽二底面延至玻璃襯底底面，淺槽一上設有可測量低壓差的電容Ｃ１，淺槽二上設有可測量高壓差的電容Ｃ２，可測量低壓差的電容Ｃ１包括底電極板與薄壓力敏感膜，可測量高壓差的電容Ｃ２包括厚壓力敏感膜與頂電極板，淺槽通孔通過細槽與可測量低壓差的電容Ｃ１對應設置，淺槽通孔通過淺槽二與可測量高壓差的電容Ｃ２對應設置。本發明通過可測量低壓差的電容Ｃ１與可測量高壓差的電容Ｃ２分別實現了壓力在低壓段與高壓段的高精度測量。

使用超聲、微波輔助水熱合成的方法制備出不同相貌的ZnO、Cr ZnO、CoO ZnO等納米復合顆粒，通過復合和摻雜改性，分別構建p-n結和形成催化活性位點，提高氣敏性能。

產品詳細介紹AM300通用系列變頻器AM300通用系列變頻器性能概述?控制方式 開環矢量控制（SVC）、V/F控制、閉環矢量（VC）、開閉環轉矩控制、位置環控制?調速范圍 1：100 （SVC）、1：1000（VC）?穩速精度 ±0.5%（SVC）?軟硬件抑制強干擾和誤報故障，確保無跳閘運行?矢量化VF控制：自動轉矩提升；手動轉矩提升0.1% ~ 30.0%，可自定義VF曲線?自動限流：對運行期間電流自動限制，防止頻繁過流故障跳閘，實現無跳閘運行?矢量控制下低頻大轉矩穩定運行，無速度傳感器矢量控制下優異的控制性能?可選擇LED、LCD鍵盤，支持雙鍵盤同時操作?雙繼電器輸出、兩路0(4)~ 20 mA ,0(2) ~ 10V模擬量可選輸出?可靠的轉速追蹤功能，可自動識別旋轉電機速度和方向，用于旋轉風機直接啟動?完全自主知識產權，可按照客戶要求定制開發?電壓等級 220V、380V、690V、1140V?超大功率驅動技術，單機380V、680KW，并機1400KW?電網瞬間掉電不停機?轉矩控制運行：端子支持速度、轉矩控制模式切換?高可靠性：成熟可靠驅動、保護電路設計、抗干擾設計?閉環矢量控制、帶速度環、電流環、位置環、可做零伺服控制?自動載波調整：根據負載特性，自動調整載波頻率?自動電壓調整：當電網電壓變化時，能自動保持輸出電壓恒定?自動節能運行：根據負載情況，自動優化V/F曲線，實現節能運行

產品詳細介紹   HD-SDI數字高清音視頻矩陣主要特性    HD-SDI系列數字高清矩陣內部采用專用的1.5Gb/s高速開關芯片，圖像清晰無誤碼；輸入端采用了自適應均衡專用芯片，提高了輸入信號的適應能力；輸出帶驅動設計，有效增強了輸出能力。    機箱全部采用EMI的結構設計，有效的防止電磁輻射及電磁波的干擾，性能更加穩定。    內嵌智能控制，采用了獨特的處理方式，大大提高了設備的切換速度，實現了指令之間不需等待的快速控制；具備掉電狀態存儲保護、開機自動恢復記憶的功能。    除面板鍵盤和紅外遙控（選配）操作外，還提供RS232控制接口，方便用戶與各種集中控制設備（如MSEER、快思聰、AMX等）配合使用；通過隨機提供的軟件，可方便設定設備編號，便于多臺同型設備共聯控制。    HD-SDI系列數字高清矩陣主要應用于高清廣播電視工程、高清可視會議廳、大屏幕顯示工程、高清電視教學、指揮控制中心等高清應用場所。產品參數SDI/HD-SDI特性兼容碼流 ：143Mbps～1.5Gbps均衡能力 ：100m @1.5G（Belden 1694A）時鐘恢復 ：可選SDI/HD-SDI輸入信號輸入 ：SDI/HD-SDI信號接口形式 ：BNC阻    抗 ：75Ω反射損耗 ：>18dB 5MHz-1.5GHzSDI/HD-SDI輸出信號輸出 ：SDI/HD-SDI信號接    口 ：BNC輸出幅度 ：1500mv±5%直流偏移 ：0V±0.5V信號過沖 ：0V±0.5V信號抖動 ：< 0.2 UI per SMPTE阻    抗 ：75Ω音頻特性增率 ：0dB頻率響應 ：20Hz~20kHz總諧波失真+噪聲 ：0.05% @1kHz（額定電壓下）共模抑制比（CMRR）：（CMRR）>75dB@：20Hz~20kHz音頻輸入信號類型 ：立體聲，平衡/非平衡接口形式 ：5PIN接口阻抗 ：>10kΩ最大電平 ：>+21dBu音頻輸出信號類型 ：立體聲，平衡/非平衡接口形式 ：5PIN接口阻抗 ：>470kΩ最大電平 ：>+21dBu控制類型     停止位：1位，無奇偶校驗位串行控制口結構：2=TX，3=RX，5=GND規格     電源：100VAC ~ 240VAC, 50/60 Hz, 國際自適應電源     功率：≤40W     存儲環境溫度：-20°C ~ +150°C     工作環境溫度：-10°C ~ +55°C     相對濕度：20% ~ 95%     平均無故障時間：30，000小時