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本發明公開了一種納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜、其制備方法及 應用。所述復合膜，包括納米石墨烯底層和納米氫氧化鈷表層，所述 納米石墨烯底層厚度在 4000nm 至 6000nm 之間，所述納米氫氧化鈷表 層厚度在 50nm 至 100nm 之間，所述納米氫氧化鈷表層均勻沉積在所 述納米石墨烯底層上。其制備方法，包括以下步驟：將氧化石墨烯均 勻分散于水中，涂敷在片狀導電基底上，干燥得到納米氧化石墨烯膜； 組建三電極體系采用

本發明屬于柔性膜質量檢測設備相關領域，并公開了一種適用 于對移動中的柔性膜執行標識的多自由度打標裝置，包括支撐組件、 傳動組件、動力組件、打標針組件和記號筆組件，其中支撐組件可實 現打標裝置的機械連接，同時還具有導向和位置調節的功能；動力組 件為打標裝置提供可控的動力，傳動組件可適于在運動中多自由度地 驅動打標針組件和記號筆組件，并提供高精度的打標操作；打標針組 件和記號筆組件分別可在柔性膜上打出針孔和顏色標記，并檢測標記 是否成功完成。通過本發明，在高速運動過程中也能夠高精度、穩定 可靠地執行打標操作，而且反應靈敏度高，因而尤其適用于 RFID 標 簽之類對表面標識質量高的運用場合。 

本發明涉及一種高效選擇性捕獲三價鉻離子的復合膜及其制備方法。所述復合膜由聚醚砜（PES）基膜、鋅離子與生物分子自組裝層以及ZIF?8金屬有機框架層組成。其制備方法包括：通過鄰苯三酚與氨基酸協同改性PES基膜表面，形成穩定的負電荷層；利用靜電作用將鋅離子與生物分子自組裝于改性膜表面，并以此為基底原位生長ZIF?8層。該復合膜通過ZIF?8的孔隙限域效應及表面官能團配位作用，實現對Cr3+的高效捕獲，吸附容量提升，截留率超過99%，且在復雜共存離子體系中表現出優異的選擇性吸附性能。

成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數小、耐熱性和穩定性好等優點，在精密電子設備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來說，靶材是至關重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻溫度系數（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術指標之一，較大的 TCR 在溫度變化時會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩定性。目前國內外生產的金屬膜電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度系數小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數量級為千歐, 刻槽后數量級為兆歐)且穩定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜穩定性高。通過在金屬 C r 中引入半導體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調節電阻溫度系數。技術指標如下：溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應用領域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議

該項研究中，課題組以商品化可得的苯乙烯、芳基硼酸以及制備簡便的甲基硫代磺酸酯為原料成功制取了2,2-二芳基乙基砜類衍生物。采用甲基硫代磺酸酯作為砜基自由基的來源，除了具有原料制備簡便，無需柱層析分離純化，原子經濟性較好等優勢，還可以巧妙地抑制芳基磺酰基自由基與芳基硼酸之間的兩組分副反應，順利實現了2,2-二芳基乙基砜類化合物的高效制備。另外，該體系

本發明涉及一種聚偏氟乙烯基扣式與卷繞式超級電容器及其電極材料制備方法。該方法包括：（1）聚偏氟乙烯混合液制備；（2）聚偏氟乙烯復合膜制備；（3）對復合膜活化處理，制得扣式與卷繞式超級電容器的聚偏氟乙烯膜電極材料。以聚偏氟乙烯膜材料為扣式與卷繞式超級電容器的電極，制備成扣式超級電容器與卷繞式超級電容器。本發明制備的電極材料，不用直接添加活性物質，其成本低、充放電速度快、工藝簡單；制備的扣式與卷繞式超級電容器充放電性能好、循環壽命長；且電極材料可加工為任意大小，其厚度大約為85～120μm，符合器件小型化的要求及擴大其應用范圍。

該項目介紹一種含氮芥基黃酮衍生物在抑制人肺癌細胞（A549），人宮頸癌細胞（Hela）等的增殖、轉移過程中的應用，以及它們的制備方法。實驗表明，目標化合物的抗腫瘤活性高于現有臨床用藥5-氟尿嘧啶，美法侖。 項目特色：在目標化合物的制備過程中，對儀器設備要求不高，原料來源豐富，產品制備成本較低，有國家知識產權保護。 展望：進一步研究，可望開發成一類新型的，未見報道的高效抗腫瘤新藥。不同濃度的目標化合物對人宮頸癌細胞線粒體膜電位的影響圖不同濃度的目標化合物對人宮頸癌細胞生長形態的影響圖

該專利技術由廣東興發鋁業有限公司和華南理工大學共同開發，并在廣東興發鋁業有限公司進行產業化實施。解決了現有技術中顆粒增強鋁基復合材料的強度和塑性不能兼顧的問題，滿足了地鐵等軌道交通對強度、硬度和韌性的高要求。專利產品“地鐵剛性懸掛匯流排鋁合金型材”具有輕量化、強度高、韌性好、導電性能好、載流界面大、易安裝等優點，被認定為“廣東省高新技術產品”，在廣州地鐵、佛山地鐵、上海地鐵等軌道交通建設中得到廣泛的應用，得到應用單位的高度認可。截至2017年12月底，專利實施企業累計新增銷售額1.9895億元，累計新增利潤1795.3萬元，累計創匯達615.4萬元。獲得了中國專利優秀獎。

本發明公開了舟形藻的一種開放式培養方法及其專用培養基。本發明所提供的培養基為ZWN，其配方為：硝酸鉀，180-220mg；磷酸二氫鈉，18-22mg；硅酸鈉，270 -330mg；脲素，7-9mg；維生素B1，350-450μg；乙二胺四乙酸二鈉，5-7mg；氯化鐵，5-7mg；海水定容至1升。應用本發明所提供的培養基培養舟形藻，包括如下步驟：1)用海水配置培養基；2)在藻種密度為3×105細胞/毫升是，按舟形藻與培養基體積比為1:5-9的比例將舟形藻接種到培養基中，在19-25℃，光照強度3000 -6000Lux，光照時間8-12h/天條件下通氣培養。舟形藻在本發明所提供的ZWN培養基中生長速度快，生物量高；加入碘化鉀，能有效達到防治綠藻污染的目的，可以采用開放式的培養方式大規模獲得舟形藻及其目標產物，具有重要的應用價值。

超級電容器是一種新型綠色儲能器件，擁有比功率大、充放電效率高， 壽命長等優點，在低碳經濟時代展現出巨大應用前景，已經被廣泛應用于電 子產品、電動汽車、混合電動汽車、無線通訊設施、信號監控、太陽能及風 力發電等領域。開發具有高能量、高循環性和低成本的超級電容器是該領域 未來重要研究之一。電極材料作為超級電容器的核心組成部分，對其儲能 性能有著至關重要的影響，而具有高理論容量、低價格的過渡金屬基化合物 （Fe、Co、Ni）是實現高容量、低成本超級電容器首選的電極材料。以過渡金 屬基化合物為主要研究對象，對其組分及結構進行了調控，通過儲能性能測 試及儲能機理分析，為開發高性能、低成本的活性電極材料提供實驗依據。 這一研究的開展，給組裝超高能量密度的超級電容器并使其從實驗室走向我們 的日常生活帶來了新的前景。1. 先進性及產業化前景：提高性能、降低成本一直以來都是超級電容器發展的 主旋律，其中能量密度低是超級電容器發展面臨的主要問題，因此開發出具 有高能量、成本低的超級電容器迫在眉睫。就提高性能而言，超級電容器的 電極改進是重點，主要途徑是通過提高電壓窗口和提高電極材料的比電容。目前針對超級電容器電極材料的研究主要集中在：(1)改進現有的電極材料;(2)開發新型電極材料；(3)改進生產工藝，實現低成本化。目前在全球范 圍內達到工業化生產水平的超級電容器基本都是以雙電層為儲能機制的活性 碳基超級電容器，而以贋電容為儲能機制的超級電容器尚處于實驗室開發階 段，因此超級電容器還有很大的發展空間。2. 對所在行業和關聯產業發展和轉型升級的影響：根據超級電容器的容量大小 和功率密度，可以將其用作后備電源、替換電源和主電源。當主電源發生故障 而不能正常使用時，超級電容器便起到后備補充作用，它具有壽命長、充放電快 和環境適應性強等優點。當用作替換電源時，主要應用于對環境變化有特殊要 求的場合，例如白天太陽能提供電源并對超級電容器充電，晩上則由超級電 容器提供電源。作為主電源時，主要利用超級電容的大功率密度，一般是一tin個或幾個超級電容器通過一定的方式連接起來持續釋放幾毫秒至幾秒的大電 流，放電之后，再由低功率的電源對其充電。3.   市場分析：根據IDTechEX數據統計，2014年超級電容器全球市場規模為11 億美元，預計到2018年，超級電容器全球市場規模將達到32億美元，年復合 增長率為31%,并預測將會以此速度預計到2018年，超級電容器全球市場規模 將達到32億美元，年復合增長率為31%,并預測將會以此速度繼續增長。我國 將“超級電容器關鍵材料的研究和制備技術"列入到《國家中長期科學和技 術發展綱要(2006-2020年)》，作為能源領域中的前沿技術之一。有數據顯示， 2015年國內超電市場規模已經超過了 70億元，因此，在這樣的一個大背景下， 研究新材料以開發具有超高能量密度的超級電容器具有非常大的市場前景。