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太陽能光伏發電及太陽能熱水器是目前太陽能利用最為成熟和廣泛的兩個技術領域，但是由于其產能形式單一，最終嚴重制約了其進一步的技術發展和市場推廣前景。 其中太陽能光伏發電存在光電轉化效率低（由于溫度效應，晶硅型光伏發電系統綜合光電轉化效率只能達到12%-13%），光伏組件成本高，導致其成本回收期長。同時光伏電池生產也存在高能耗高污染的問題。 如何提高單位面積光伏電池的發電量，減少電池用量是降低系統成本提高發電收益的重要手段。通過聚光可以有效提高光伏電池片表面的太陽能能流密度，并大大增加光伏電池的光電輸出功率，成倍減少電池片用量（用量為傳統技術的1/4），間接降低了光伏電池生產的總能耗和總污染，但是提高電池表面太陽能能流密度的同時，電池的溫度也急劇升高，嚴重影響電池的電輸出性能和使用壽命，只有通過水冷的方式來降低電池溫度，這就形成了該技術手段的另一種產能形式，太陽能熱水。即太陽能熱電聯供。

砷化鎵太陽能電池芯片。攻克了芯片外延生長、芯片設計及產業化制備和芯片封裝等核心技術，實現了產業化。 密集矩陣式高倍聚光模組：解決了密集矩陣式菲涅爾透鏡設計、分布式散熱技術、模組封裝技術，  實現了在低成本的前提下，保證跟蹤系統精度、抗風雪能力及長期可靠性等問題。

成果創新點 是一種介于蝶式和塔式系統之間的新型聚光太陽能集 熱技術，相當于將塔式系統搬遷到旋轉平臺上，效率比傳 統塔式系統高 20%，接近蝶式；系統所有反射鏡共用一臺方 位跟蹤裝置，而且平行排列，每排反射鏡共用一臺高度跟 蹤裝置，跟蹤裝置數量不到普通塔式系統 3%，從而大幅度 提高系統可靠性，也使成本下降 30%左右。 目前已成功開發由 96 面反射鏡組成的小型聚光集熱

是一種介于蝶式和塔式系統之間的新型聚光太陽能集熱技術，相當于將塔式系統搬遷到旋轉平臺上，效率比傳統塔式系統高 20%，接近蝶式；系統所有反射鏡共用一臺方位跟蹤裝置，而且平行排列，每排反射鏡共用一臺高度跟蹤裝置，跟蹤裝置數量不到普通塔式系統 3%，從而大幅度提高系統可靠性，也使成本下降 30%左右。 目前已成功開發由 96 面反射鏡組成的小型聚光集熱系統；研究和優化了反射面積為 2000 平米的工業化系統；改進了聚光太陽能光學系統性能計算精度；，第一次實現高精度計算聚光太陽能系統年性能；全面研究了各種聚光太陽能集熱技術性能，申請聚光太陽能技術專利十余項。

?  成果簡介：核心為多曲面復合線聚焦槽式太陽能中高溫集熱儲熱系統。?  項目來源：863計劃項目?  技術領域：能源環保?  應用范圍：太陽能中高溫集熱?  現狀特點：高效多曲面聚光，溫度達150度（以導熱油為介質），全日集熱效率47%。?  技術成熟度：小批量生產?  成果轉

光收發芯片是光收發模塊中的集成電路，并不包括激光芯片，是指光纖寬帶網絡物理層的主要基礎芯片，包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驅動器三種。它們被用于光纖傳輸的前端，來實現高速傳輸信號的光電、電光轉換，這些功能被集成在光纖收發模塊中。

圍繞自主通用處理器，研發操作系統及其之上的核心 API 軟件，支撐國家信息化建設，并致力于構建區別于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生態體系 。

產品詳細介紹 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發芯片(EP110) 　　EP110為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅動器，設計用于數據傳輸速率高達8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統以及10.3125Gbps數據傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環路(APC)控制，該控制環路通過連接至VCSEL驅動器的3線數字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP110集成一個微處理器，可以實現SFF8472協議的數字監控接口要求，可通過固件實現高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設置(調制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點調制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP110采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發芯片(EP112) 　　EP112為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅動器，設計用于數據傳輸速率高達8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統以及10.3125Gbps數據傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環路(APC)控制，該控制環路通過連接至VCSEL驅動器的3線數字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP112集成一個微處理器，可以實現SFF8472協議的數字監控接口要求，可通過固件實現高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設置(調制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點調制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP112采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至14Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收發芯片,工作在高達14Gbps的數據速率、非常適合以太網和光纖通道應用。在EP116的發射和接收路徑上集成了CDR功能，解決了大多數高速系統存在的信號失真問題。平均光功率由平均功率控制環路(APC)控制，該控制環路通過連接至VCSEL驅動器的3線數字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP116集成一個微處理器，可以實現SFF8472協議的數字監控接口要求，可通過固件實現高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性、去加重)和Tx設置(調制電流、偏置電流、極性、可編程去加重、眼圖交叉點調制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP116采用無鉛、6mm*6mm、48引腳QFN封裝。 　　特點： 　　3.3供電時，功耗僅為500mW 　　工作速率高達10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收靈敏度 　　Rx和Tx極性選擇 　　可調節觸發LOS報警電平 　　LOS極性選擇 　　能夠向100歐姆差分負載提供高達12mA的調制電流 　　偏置電流高達19mA 　　Rx輸出可選擇去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可調節調制輸出的眼圖交叉點 　　工作溫度: -40度 到 90度