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一種溶酶體定位熒光探針硒代嗎啉?氟硼二吡咯及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明提供一種熒光分子Se?BODIPY，該熒光分子Se?BODIPY包含氟硼二吡咯熒光團和硒代嗎啉溶酶體定位基。本發(fā)明還提供了該熒光分子Se?BODIPY的制備方法和應(yīng)用。該熒光分子可以作為溶酶體定位熒光探針。本發(fā)明的溶酶體定位熒光探針是由8?氯甲基?1,3,5,7?四甲基?氟硼二吡咯和硒代嗎啉反應(yīng)制得的熒光分子，通過過氧化氫誘導(dǎo)的硒代嗎啉氧化反應(yīng)，由光誘導(dǎo)電子轉(zhuǎn)移機制靈敏調(diào)控探針分子的熒光發(fā)射性能，其靈敏度高、選擇性強、生物相容性好，能快速進入溶酶體，可作為性能優(yōu)異的溶酶體定位熒光探針，在熒光成像、生物熒光分析、熒光標(biāo)記、內(nèi)源性或外源性過氧化氫檢測及凋亡細胞黏度檢測方面具有重要應(yīng)用。

熱電材料是能夠?qū)崿F(xiàn)熱能與電能直接相互轉(zhuǎn)換的新能源材料，在熱電制冷和廢熱發(fā)電等方面有著廣泛的應(yīng)用前景，對于提高現(xiàn)有能源利用率和緩解能源危機有重要作用。然而熱電材料大規(guī)模商業(yè)應(yīng)用面對著成本高效率低的瓶頸，因此，開發(fā)利用原料豐富、廉價、低毒的熱電材料越來越受到研究者的關(guān)注。SnSe作為近年來熱電材料中的研究熱點，保持著目前熱電材料中最高品質(zhì)因子 (ZT)的世界記錄。其優(yōu)異的熱電性能主要來源于其超高的功率因子和超低的晶格熱導(dǎo)率。它的低導(dǎo)熱性已經(jīng)成功解釋（何佳清等課題組有報道），然而高的功率因子等電性能都間接地進行解釋，沒有直接和強有力的實驗證據(jù)。角分辨光電子能譜儀(ARPES)是研究其電屬性最好的實驗方法，它是一種可以直接測量單晶樣品能帶結(jié)構(gòu)的高端儀器。 在本論文中，陸強聲等利用我校測試中心的ARPES儀器對無摻雜和空穴摻雜的SnSe單晶在不同溫度 (80 – 600 K)下的能帶結(jié)構(gòu)作了系統(tǒng)性的測量。根據(jù)測量和數(shù)據(jù)分析的結(jié)果，他們認(rèn)為該體系價帶頂?shù)目昭ㄓ行з|(zhì)量比理論值要大，并且溫度越低，有效質(zhì)量越大。由這一結(jié)論出發(fā)，結(jié)合簡單的單帶輸運模型，他們發(fā)現(xiàn)這種有效質(zhì)量的異常增加可以定量解釋該體系在測量溫度下的電屬性。因此，論文為解釋硒化錫熱電材料的電學(xué)行為提供了一種新的思路。

伊辛超導(dǎo)是指超導(dǎo)庫珀對的自旋被有效的塞曼磁場固定住，由此表現(xiàn)出極強的的面內(nèi)臨界磁場（遠超其泡利順磁極限）。通過分子束外延法在雙層石墨烯終止的6H-SiC(0001)襯底上成功制備出大面積（毫米以上）原子級平整的高質(zhì)量單層過渡族金屬硫化物NbSe2薄膜（僅0.6 nm厚），在此基礎(chǔ)上對其覆蓋非晶態(tài)Se保護層，進而對非原位的電輸運物性展開了系統(tǒng)研究。研究發(fā)現(xiàn)：單層NbSe2薄膜表現(xiàn)出超過6 K的起始超導(dǎo)臨界轉(zhuǎn)變溫度和高達2.40 K的零電阻溫度，超過了早期機械剝離獲得的單層NbSe2以及分子束外延生長的單層NbSe2的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度。同時，強磁場和極低溫下的輸運測量結(jié)果直接證實了平行特征臨界場Bc//(T = 0)是順磁極限場的5倍以上，符合Zeeman保護的伊辛超導(dǎo)機制（前期NbSe2薄片中的伊辛超導(dǎo)證據(jù)需要實驗數(shù)據(jù)的理論擬合在更低溫更高磁場下的外推）。此外，極低溫垂直磁場下的電輸運測量表明，單層NbSe2薄膜在接近絕對零度時的量子臨界點表現(xiàn)出量子格里菲斯奇異性。