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1、學(xué)習(xí)霍爾效應(yīng)原理，測(cè)繪霍爾元件的VH-1s，VH-ls,VH-lM曲線 2、測(cè)量單個(gè)通電圓線圈軸線上(X方向)各點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度; 3、測(cè)量亥姆霍茲線圈軸線上各點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度，比較和驗(yàn)證磁場(chǎng)疊加原理; 4、測(cè)測(cè)量?jī)蓚€(gè)通電圓線圈不同間距時(shí)的線圈軸線上各點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度; 5、測(cè)量亥姆霍茲線圈Y方向和Z方向上B的分布。

XM-N6高級(jí)計(jì)劃生育教育模型 ? 一、功能特點(diǎn)： ■ XM-N6高級(jí)計(jì)劃生育教育模型采用高分子材料制成，外形逼真，腹壁柔軟有彈性，操作真實(shí)。 ■ 解剖結(jié)構(gòu)包括子宮和附件等，模型部分透明的子宮有助于觀察宮內(nèi)避孕器放置與取出全過程，操作時(shí)可觀察操作步驟是否正確。 ■ 陰道可擴(kuò)張，可使用陰道窺器模擬訓(xùn)練和演示女性宮內(nèi)避孕器的放置與取出技術(shù)。 ■ 使用操作杠桿模擬子宮3個(gè)不同的位置：前傾位、水平位和后傾位。 ■ 可使用模擬腹壁（布套）練習(xí)雙合診技術(shù)，放置和取出陰道隔膜、宮內(nèi)避孕器和泡沫海綿避孕器。 ■ 可進(jìn)行計(jì)劃生育教育和技能操作訓(xùn)練及考核。 ■ 可反復(fù)進(jìn)行練習(xí)。 ? 二、標(biāo)準(zhǔn)配置： ■ 計(jì)劃生育教育模型：1個(gè) ■ 模擬腹壁（布套）：1個(gè) ■ 宮內(nèi)節(jié)育器：1個(gè) ■ 說明書：1冊(cè) ?????? ■ 保修卡合格證：1張

本發(fā)明公開了一種激光觸發(fā)真空開關(guān)及其觸發(fā)系統(tǒng)裝置。激光 觸發(fā)真空開關(guān)包括密閉殼體、第一電極主件、第二電極主件。第一電 極主件包括燃弧電極、第一電極法蘭、第一電極平臺(tái)、聚焦鏡。第二 電極主件包括燃弧電極、第二電極法蘭、第二電極平臺(tái)、靶電極。觸 發(fā)系統(tǒng)裝置主要包括計(jì)算機(jī)、轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電路板、激光器和激光觸 發(fā)真空開關(guān)。激光觸發(fā)真空開關(guān)的工作電壓高達(dá) 30kV，工作電流高達(dá) 500kA，不存在以往電脈沖觸發(fā)高壓隔離困難、觸發(fā)穩(wěn)定性差、使用壽 命短等問題，能有效降低激光觸發(fā)能量，改善開關(guān)器件的延時(shí)與抖動(dòng)。觸

本項(xiàng)目研究了超材料的電磁特性、基于超材料的反向切倫科夫輻射、基于納米材料冷陰極的場(chǎng)發(fā)射特性以及它們?cè)诟咝省⒏吖β屎透哳l率的真空電子器件中的應(yīng)用。相關(guān)SCI論文共計(jì)153篇，SCIE數(shù)據(jù)庫中的他引次數(shù)為1058次，代表性論文被《自然-納米技術(shù)》、《物理評(píng)論快報(bào)》、《先進(jìn)材料》等國(guó)際頂級(jí)期刊上發(fā)表的SCI論文他引157次。這些學(xué)術(shù)成果解決了真空電子器件所面臨的核心科學(xué)問題，在國(guó)際真空電子學(xué)領(lǐng)域產(chǎn)生了重大的影響。

本發(fā)明公開了一種觸發(fā)型多棒極真空觸發(fā)開關(guān)，包括密閉殼體； 密閉殼體由絕緣外殼及設(shè)置在絕緣外殼兩端的陰極法蘭和陽極法蘭構(gòu) 成；密閉殼體的兩端分別設(shè)有陰極和陽極，陰極和陽極結(jié)構(gòu)相同，均 包括電極底柱、電極平臺(tái)和設(shè)置于電極平臺(tái)上的多個(gè)棒狀電極，陰極 的棒狀電極與陽極的棒狀電極相向延伸且相互交錯(cuò)排列，相鄰棒狀電 極的間隙寬度相等，且該間隙寬度與棒狀電極頂端到相對(duì)的電極平臺(tái) 的間隙寬度相等；陰極和陽極中分別設(shè)有陰極觸發(fā)結(jié)構(gòu)和陽極觸發(fā)結(jié) 構(gòu)。該開關(guān)可以保證無論主間隙的電壓為何種極性，都能夠穩(wěn)定觸發(fā)， 能滿足電力

一種微機(jī)電系統(tǒng)的圓片級(jí)真空封裝方法，屬于微機(jī)電系統(tǒng)的封裝方法，解決現(xiàn)有封裝方法存在的問題，使得微型真空腔長(zhǎng)時(shí)間保持真空，滿足十年以上使用壽命的要求。本發(fā)明包括：刻蝕步驟：在蓋板圓片上對(duì)應(yīng)硅基片 MEMS 器件的位置刻蝕相應(yīng)空間尺寸的凹坑，再環(huán)繞凹坑刻蝕環(huán)形凹槽；吸氣劑淀積步驟：在所述凹坑和凹槽內(nèi)淀積吸氣劑薄膜；鍵合步驟：在真空環(huán)境下將蓋板圓片和硅基片緊密鍵合。本發(fā)明解決了現(xiàn)有封裝方法存在的真空保持時(shí)間短、密封質(zhì)量低、可靠性差、成本高的問題，可以長(zhǎng)時(shí)間保持微型腔體內(nèi)的真空度，極大的推動(dòng)圓片級(jí) MEMS

本項(xiàng)目采用真空熔鑄方法，解決了 Cu-Cr 合金鑄造產(chǎn)生的成分偏析及組織不 均勻問題，得到的顯微組織細(xì)化、成分均勻化，尤其是合金中 Cr 粒子的細(xì)化問 題，大幅度提高耐電壓強(qiáng)度，同時(shí)又能保持銅的高導(dǎo)電性，觸頭的小型化才有實(shí) 現(xiàn)的可能。本方法還能回收利用生產(chǎn)廢料，因此生產(chǎn)工藝更為環(huán)保。而且生產(chǎn)成 本大大降低，性能還有所提高。本項(xiàng)目制備的觸頭材料,性能與國(guó)內(nèi)外同類產(chǎn)品 相比,在導(dǎo)電性,均勻性,組織細(xì)化等多方面全面領(lǐng)先。

實(shí)驗(yàn)原理   金屬中存在大量的自由電子，但電子在金屬內(nèi)部所具有的能量低于在外部所具有的能量，因而電子逸出金屬時(shí)需要給電子提供一定的能量，這份能量稱為電子逸出功。研究電子逸出是一項(xiàng)很有意義的工作，很多電子器件都與電子發(fā)射有關(guān)，因此研究這種材料的物理性質(zhì)，對(duì)提高材料的性能是十分重要的。另外本實(shí)驗(yàn)還可以利用磁控法測(cè)量電子荷質(zhì)比，研究真空中電子能量遵從費(fèi)米-狄拉克分布。   儀器概述 本實(shí)驗(yàn)裝置的核心部件是一只理想（真空）二極管和套在理想二極管外的通電螺線管線圈。本實(shí)驗(yàn)通過測(cè)量金屬鎢的電子逸出功，將鎢絲作為“理想”二極管陰極材料，陽極做成與陰極共軸的圓柱，把陰極發(fā)射面限制在溫度均勻的一定長(zhǎng)度內(nèi)而又可以近似的把電極看成是無限長(zhǎng)的無邊緣效應(yīng)的理想狀態(tài)。金屬電子逸出功(功函數(shù))的測(cè)定實(shí)驗(yàn)，綜合性地應(yīng)用了里查遜直線測(cè)定法、外延測(cè)量法、補(bǔ)償測(cè)量法和磁控法等基本方法。在數(shù)據(jù)處理方面有比較好的技巧性訓(xùn)練。因此，這是一個(gè)比較有意義的實(shí)驗(yàn)。   儀器特點(diǎn) 獨(dú)立的理想真空二極管座：理想真空二極管插在獨(dú)立的管座之上，并且配有透明的亞克力保護(hù)罩，既可以直觀的觀察真空二極管的工作狀態(tài)，還可以有效地保護(hù)玻璃器件。獨(dú)立的管座上刻有清晰的實(shí)驗(yàn)原理圖，可以使得學(xué)生更好的理解整個(gè)實(shí)驗(yàn)原理。   精確的陽極電流測(cè)量模塊：陽極電流測(cè)量模塊采用微安級(jí)電流放大器，采用四位半數(shù)顯表，測(cè)量范圍可達(dá)0.1uA~20mA，可以準(zhǔn)確、精細(xì)、穩(wěn)定地測(cè)量到微弱的陽極電流。 穩(wěn)定的陽極電壓輸出模塊：陽極電壓輸出采用線性電源，輸出幅度達(dá)到0~160.0V，可以穩(wěn)定、高效地提供真空二極管的陽極電壓。 便捷的數(shù)據(jù)采集接口：每個(gè)實(shí)驗(yàn)電源都配置模擬數(shù)據(jù)采集接口，可以連接電壓傳感器和PASCO數(shù)據(jù)采集軟件，可以實(shí)時(shí)地采集大量的數(shù)據(jù)來分析測(cè)試結(jié)果，方便、快捷、高效地完成實(shí)驗(yàn)內(nèi)容。   實(shí)驗(yàn)內(nèi)容及典型數(shù)據(jù) 實(shí)驗(yàn)一：金屬電子逸出功的測(cè)定 表1：在不同陽極電壓和燈絲溫度下的陽極電流及其對(duì)數(shù)值，作　lgIa～√Ua 圖，得到不同溫度下的截距　lgI 填入表2。     表2: 在不同溫度T時(shí)所算得的　lg( I / T2) 和　1/T　的值 根據(jù)表2作 lg( I / T2) ～1/T 圖，求直線斜率 m 直線斜率：m = -22802 逸出電勢(shì): φ = 4.53 (V) 逸出功（功函數(shù)）eφ = 4.53 eV 與逸出功（功函數(shù)）公認(rèn)值　eφ=4.54eV　相比的相對(duì)誤差：Er = 0.33%   實(shí)驗(yàn)二：電子在徑向電場(chǎng)和軸向磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)（磁控法測(cè)量電子荷質(zhì)比）   實(shí)驗(yàn)三：費(fèi)米-狄拉克分布的研究     實(shí)驗(yàn)四：理想真空二極管的伏安特性   部件清單 金屬電子逸出功實(shí)驗(yàn)儀   BEM-5715    可調(diào)直流 (恒壓恒流) 電源I，12V/1A   BEM-5055    理想真空二極管盒   BEM-5716    螺線管線圈   BC-105236    連接導(dǎo)線，2mm護(hù)套香蕉插頭，紅   BC-105238   【2】 連接導(dǎo)線，2mm護(hù)套香蕉插頭，黑   BC-105239   【2】 連接導(dǎo)線，4mm香蕉插頭，紅   BC-105084    連接導(dǎo)線，4mm香蕉插頭，黑   BC-105083    連接導(dǎo)線,4mm護(hù)套香蕉插頭1m, 紅   BC-105074    連接導(dǎo)線,4mm護(hù)套香蕉插頭1m, 黑   BC-105073    電源線   BC-105075    用戶手冊(cè)   CD-M-BEX-8510B  

隨著目前國(guó)際反恐形勢(shì)的日益嚴(yán)峻，大到戰(zhàn)場(chǎng)上恐怖組織的生化襲擊，小到日常生活中大量行李信件內(nèi)夾帶的各類危險(xiǎn)品，給國(guó)防安檢等帶來了前所未有的巨大挑戰(zhàn)。因此，軍工企業(yè)對(duì)于非接觸式無損檢測(cè)手段的開發(fā)和利用是企業(yè)內(nèi)部品質(zhì)把控的重要一環(huán)，同時(shí)也是國(guó)家經(jīng)濟(jì)高速發(fā)展的重要保障。現(xiàn)有技術(shù)手段存在的主要問題是檢測(cè)時(shí)間長(zhǎng)且準(zhǔn)確率不高。相比之下，太赫茲波譜作為一種非接觸式無損檢測(cè)手段，可與危險(xiǎn)品成分中的C\HO\N有機(jī)大分子發(fā)生相互作用，通過共振吸收譜探知危險(xiǎn)品的種類與劑量。“TDS-I型太赫茲手持式危險(xiǎn)品檢測(cè)儀”在傳統(tǒng)太赫茲時(shí)域波譜系統(tǒng)基礎(chǔ)上，使用特種保偏光纖與精密光纖器件替代常規(guī)自由空間光路的全部透/反射鏡片，形成了全光纖一體化結(jié)構(gòu)，極大簡(jiǎn)化了儀器光路，增加了系統(tǒng)的集成性與穩(wěn)定性；使用超高速光延遲掃描振子，搭配超高速數(shù)據(jù)采集鎖放電路模塊，實(shí)現(xiàn)了0.1sec/scan的超高速太赫茲信號(hào)采集，真正的實(shí)時(shí)在線樣品檢測(cè)；太赫茲信號(hào)重復(fù)性好、穩(wěn)定性高，信噪比大于65dB，譜寬大于3.5THz；上位機(jī)軟件使用LABVIEW設(shè)計(jì)，界面簡(jiǎn)潔友好，便于終端用戶熟悉和操作；儀器外觀秉承簡(jiǎn)約設(shè)計(jì)風(fēng)格。可以實(shí)現(xiàn)爆炸物、生物制劑等危險(xiǎn)品的臨場(chǎng)快速在線檢測(cè)，是一款軍民融合的高科技含量產(chǎn)品。

利用Cas12i和Cas12j在水稻、玉米、大豆、擬南芥和豬等農(nóng)業(yè)生物中驗(yàn)證了基因編輯的靶向剪切活性，達(dá)到產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的基本要求，為我國(guó)基因編輯產(chǎn)業(yè)化安全提供了重要保障。 一、項(xiàng)目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、成果簡(jiǎn)介 基因編輯技術(shù)的核心是底盤核酸酶（Cas9、Cas12a、Cas12b），核酸酶的原始核心專利被美國(guó)等少數(shù)國(guó)家所壟斷。這些底盤核酸酶的多個(gè)核心專利已經(jīng)在包括中國(guó)在內(nèi)的許多國(guó)家獲得授權(quán)。因此，我國(guó)農(nóng)業(yè)生物基因編輯技術(shù)在產(chǎn)業(yè)化方面有受制于人的風(fēng)險(xiǎn)，必須研發(fā)出具有我國(guó)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核酸酶，打破國(guó)際專利壟斷。中國(guó)農(nóng)業(yè)大學(xué)國(guó)家玉米改良中心積極開展具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新型底盤核酸酶發(fā)掘。2017年以來，研發(fā)團(tuán)隊(duì)從微生物宏基因組中發(fā)掘了一系列核酸酶，申報(bào)了14項(xiàng)國(guó)家發(fā)明專利。其中，Cas12i（專利號(hào)ZL201980014560.3）和Cas12j（專利號(hào)ZL 201980014005.0）兩個(gè)基因編輯核酸酶已于2021年獲得中國(guó)及中國(guó)香港地區(qū)的發(fā)明專利授權(quán)，并向美國(guó)、日本、歐盟等14個(gè)國(guó)家或地區(qū)提交專利申請(qǐng)。已經(jīng)利用Cas12i和Cas12j在水稻、玉米、大豆、擬南芥和豬等農(nóng)業(yè)生物中驗(yàn)證了基因編輯的靶向剪切活性，達(dá)到產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的基本要求，為我國(guó)基因編輯產(chǎn)業(yè)化安全提供了重要保障。目前，兩個(gè)專利已經(jīng)以排他性的方式許可給山東舜豐生物科技有限公司。