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已有樣品/n通過石墨烯缺陷工程控制活性電極離子向阻變功能層中注入的路徑尺寸和數量，集中化/離散化陽離子基阻變器件中導電通路的分布來調控其穩定性,此工作是該領域首次在相同結構阻變器件中實現電流-保持特性的雙向調控，這種通用的基于二維材料阻擋概念的離子遷移調控方法，也能夠移植應用到離子電池，離子傳感等研究領域。

項目簡介本成果提出新型微結構光纖器件，提出基于非對稱耦合理論的實現模式轉換、波分 復用等功能器件。已申請發明專利 6 項，其中已授權發明專利 3 項（ZL200810021652.8、 ZL200810021651.3、ZL200910032535.6）。 性能指標 （1）模式轉換效率可達 80%以上，帶寬在 100 nm 以上。 （2）實現 1310、1550 nm 波長復用、解復用，消光比低于-25 dB。 適用范圍、市場前景 適用范圍：高速光通信關鍵器件，組成高速、大容量光 通信

徐永兵課題組于2014年啟動了國家重大儀器研究計劃（飛秒級時間分辨并自旋分辨電子能譜探測系統，項目編號61427812）。此項目就是旨在建立國內第一套極深紫外的光源系統。目前已經成功地在實驗室中，實現了波長為120~24 nm左右的脈沖光源，脈沖重復頻率為1kHz，單個脈沖為30fs。單個光子能量最大到50 eV左右，亮度為1 ′ 1011光子/s。從光

本發明公開了一種低導通電阻 VDMOS 器件及制備方法，在傳統的 VDMOS 器件結構中引入一塊與 源區摻雜雜質相同的摻雜區。該摻雜區位于柵氧層正下方且與基區和柵氧層緊密接觸。相應地，新摻雜 區上方的柵極采用中空結構。本發明 VDMOS 器件可有效降低溝道導通電阻和頸區電阻，從而降低 VDMOS 器件的導通電阻；同時，采用中空結構的柵極既可避免新摻雜區對擊穿電壓的影響，也可降低 柵極與漏極間結電容，提高 VDMOS 的開關速度。本發明方法工藝簡

高效有機磷光發光材料及OLED器件，2012年12月獲四川省科技進步三等獎，技術指標達到國際先進水平；申請發明專利12項（5項授權）。項目中所制備的銥配合物磷光電致發光材料在四川虹視顯示技術有限公司的3款OLED器件（1.1英寸、分辨率為96×64；1.8英寸、分辨率為128×64；2.2英寸、分辨率為160×128）樣品中使用，該項目研究成果，填補了我國在新型平板顯示器件---高效有機磷光電致發光材料及OLED器件方面的材料制備和器件化工藝的空白。 

本發明提供了一種基于仿射攝動的區間不確定性結構能量響應預示方法，建立各子系統的確定性結構的統計能量控制方程，進而引入區間因素，獲取區間不確定性結構的區間統計能量控制方程，設定不確定性參數的區間參數，基于仿射攝動算法得到各區間變量的仿射區間表達式，設定各變量的攝動分析表達式，進而基于區間仿射算法的運算法則，推導得到考慮區間不確定性結構的子系統區間能量表達式，給定初始邊界參數和求解頻率后，計算得到區間不確定性結構的區間能量響應。通過本發明方法使得區間不確定性結構區間能量響應的區間寬度大大縮小、區間能量響應的預示精度大大提高，從而可以更加精確地評估區間不確定性結構的高頻動力學特性，具有重要的工程應用價值。

在海洋環境、酸雨污染、高溫高濕等的環境條件下，紫銅、黃銅及其合金的加工器件在中間工序存放和使用過程中會造成點蝕，進而擴展為大面積腐蝕，而作為連接部件會加劇縫隙腐蝕引發應力腐蝕斷裂。該項目成功研制了耐腐蝕耐磨防腐蝕環保涂料，大大延長銅類尤其是紫銅的自然存放期，對銅器件生產和運輸過程中起到了很好的保護作用；由于耐蝕性優異，也可作為長期防護涂層。該技術獲得的涂層在厚度為5μ條件下測試相關主要技術指標如下：   外觀    無色透明   可保留銅的金屬光澤；可調整任意顏色   粘度    25秒      《涂料粘度測定法》（涂-4杯）（GB/T 1723-1993）    附著力  0級      《色漆和清漆漆膜的劃格試驗》（GB/T9286-1998）    耐鹽霧   200h       《色漆和清漆耐中性鹽霧的測定》（GB/T1771-1991）   耐沖擊  50Kg·cm   《漆膜耐沖擊測定法》GB/T1732-1993   耐磨擦  0.005千克 《漆膜耐磨性測定法》（GB/T1768-1989）   硬度    4H        《涂膜硬度鉛筆測定法》（GB/T6739-1996）   相容性  與彈藥相容 《真空安定性試驗-壓力傳感器法》（GJB772A-97 501.2） 該技術適合噴涂、刷涂、輥涂等工藝，不含任何有害稀釋劑，為環保產品。該產品用量少、性能和使用工藝優于防銹油；其另一特色在于必要時很容易去除，比防銹油的去除要容易的多。

本發明公開一種薄膜型LED器件及其制造方法，本發明器件包括：薄片型線路基板，免金線倒裝結構LED芯 片以及一層透光保護膜。本器件LED芯片為倒裝結構，芯片電極通過共晶焊接方式固定于薄片型基板，實現免金線鍵合的電氣互聯，一層透光保護膜覆蓋于芯片和 基板表面。本發明公開的LED器件電極位于器件底部，易于實現表面貼裝技術。本發明公開器件厚度在0.25-0.6mm之間，具有厚度薄，體積小，發光角 度大，光效高，可靠性高，制造工藝簡單，生產效率高，成本低等諸多優點，適合大功率及普通功率LED封裝，可廣泛應用于照明、顯示等領域。截至目前，已累計創造產值超過33.66億元，新增利潤2.60億元。2017年，以本專利技術為核心的科技成果“半導體發光器件跨尺度光功能結構設計與制造關鍵技術”獲得廣東省人民政府頒發的廣東省科技進步一等獎，并且本專利獲得中國專利優秀獎。

本項目將提供一款高品質的非晶 ZnTiSnO 微型半導體氣體傳感器，為一種具有納米材料特征的薄膜型氣體傳感器，用于可燃性氣體（特別是乙醇）的檢測。該半導體氣體傳感器具有下述優點：靈敏度高、選擇性好、響應快、穩定性好、抗干擾性強、可室溫工作、易于微型化、與微電子系統兼容，而且制作工藝簡單、組裝成本低、價格低廉。 （1）半導體氣體傳感器件的核心材料為氣敏層，即非晶ZnTiSnO 薄膜，該材料質量如何直接決定了器件的性能。通過前期預研究，我們設計并合成了具有表面微納結構的絨面 a-ZnTiSnO 薄膜，如何進一步優化工藝參數，更加提升 a-ZnTiSnO 薄膜高質量，實現精確可控生長，依然是本項目擬解決的關鍵技術。 （2）氣體傳感器的實用性在于器件參數的確立，因而，通過系統研究，建立非晶 ZnTiSnO 氣體傳感器各氣敏性能與氣體參數之間的定量關系曲線，特別是室溫工作條件下的定量關系，是本項目擬解決的關鍵技術。 （3）為使氣體傳感器獲得廣泛應用，器件良好的穩定性至關重要。通過工藝優化、器件設計和封裝保護等措施，實現非晶ZnTiSnO 氣體傳感器的高穩定性和抗干擾性，使器件具有長的使用壽命，也是本項目擬解決的關鍵技術。制備出高質量非晶 ZnTiSnO 薄膜，具有均勻且均一的表面微納結構，絨度大于35%；薄膜與襯底附著力大于 21N。非晶 ZnTiSnO氣體傳感器性能指標：氣敏層尺寸 10~300μm，易于集成化；對可燃性氣體有高選擇性，其中對乙醇的敏感度最高；室溫工作條件下，對 100ppm 乙醇的響應度不低于 30；響應時間小于 1.8s，恢復時間小于 1.5s；穩定性好，有效使用壽命不低于3 年。 理論與實驗相結合，揭示出 a-ZnTiSnO 氣體傳感器室溫氣敏性能和穩定性機理，建立理論模型，闡明器件的耐候性規律。研制出具有實用價值的高品質 a-ZnTiSnO 半導體氣體傳感器，建立一套非晶 ZnTiSnO 材料生長和器件制備的完整工藝，關鍵技術擁有自主知識產權。 應用范圍：  納米氧化銅產品廣泛應用于各類抗菌、抗紫外線、空氣凈化產品中，如抗菌保鮮膜、抗菌塑料、抗菌纖維、抗菌整理液、抗菌陶瓷、抗菌地板、抗菌紡織品、防嗮化妝品、室內甲醛治理等產品中。 納米CuO應用前景 催化劑：主要用于國防領域，作為復合固體推進劑的重要成分，用來調節推進劑燃耗性能。 傳感器：納米氧化銅對外界環境的溫度，光，濕氣等十分敏感，并且可以提高傳感器的響應速度，靈敏度和選擇性。 在超導，陶瓷，電極活性材料等領域作為一種重要的無機材料有廣泛的應用。 用作玻璃，瓷器的著色劑，光學玻璃磨光劑，有機合成的催化劑，油類的脫硫劑，氫化劑。 用于制造人造寶石及其它銅氧化物，用于人造絲的制造，以及氣體分析和測定有機化合物等。 用于飼料中，提高銅的表觀消化率。 用于抗菌劑，納米氧化銅具有清潔，高效，能耗低，污染小，被廣泛用于醫藥，紡織等領域。 用于粒子助力制冷器節能，提高熱傳遞效率。 降低冷凍機油的粘度。 提高煙氣脫硝性能。 應用范圍： 橡膠工業中硫化活性劑，石油化工行業催化及添加劑，是汽車輪胎、飛機輪胎、工業電纜行業材料以及氧化鋅陶瓷； 涂料油漆、透明橡膠、乳膠和塑料行業用，可增加產品強度和致密性、粘合性、光潔度； 抗菌抑菌和除臭材料、醫藥衛生用殺菌材料、玻璃陶瓷殺菌自潔材料、醫藥行業殺菌敷料； 電子工業和儀表工業、制造電器件、無線電、無線熒光燈、圖像記錄儀、變阻儀、熒光體； 軍事工業：紅外吸收材料。   五、納米氧化鋅分散液 項目 Item 標準 Standard 氧化鋅(W/%) ZnO 4% 外觀 Exterior 乳白略顯黃色易流動液體 Milky white slightly yellow liquid PH 7.2   分散液氧化鋅含量可以根據需要在30%以下定制

已有樣品/nSTT-MRAM 是一種極具應用潛力的下一代新型存儲器解決方案。由于采用了大量的新材料、新結構，加工制備難度極大。當前，美韓日三國在該項技術上全面領先，很有可能在繼硬盤、DRAM 及閃存等存儲芯片之后再次實現對我國100%的壟斷。微電子所集成電路先導工藝研發中心研究員趙超與北京航空航天大學教授趙巍勝的聯合團隊通過3 年的艱苦攻關，在STT-MRAM 關鍵工藝技術研究上實現了重要突破，在國內首次采用可兼容CMOS 工藝成