鍺硅納米低維結(jié)構(gòu)的可控制備方法及產(chǎn)品
本發(fā)明公開(kāi)了一種鍺硅納米低維結(jié)構(gòu)可控制備方法及產(chǎn)品,該 方法具體為:(a)清洗硅襯底;(b)在硅襯底上外延生長(zhǎng)鍺硅合金形成外 延襯底;(c)涂敷電子抗蝕劑,通過(guò)電子束光刻技術(shù)在電子抗蝕劑上曝 光所需的鍺硅納米低維結(jié)構(gòu)圖形;(d)采用干法刻蝕將鍺硅納米低維結(jié) 構(gòu)圖形轉(zhuǎn)移到外延襯底上得到樣品;(e)去除樣品上的電子抗蝕劑;(f) 高溫環(huán)境下進(jìn)行氧化和退火,使得氧氣優(yōu)先與硅反應(yīng)形成氧化硅而鍺 被析出;(g)在氮?dú)浠旌蠚夥障?
華中科技大學(xué)
2021-04-14