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產(chǎn)品詳細(xì)介紹

"本發(fā)明公開(kāi)一種有效抵抗電力線窄帶和脈沖噪聲的置換碼構(gòu)造 方法與碼字序列發(fā)生器。置換碼構(gòu)造方法是指碼長(zhǎng)為 n 最小距離為 n-1 的置換碼(n,n-1)PC 代數(shù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方法，所述碼字序列發(fā)生器是指碼長(zhǎng) n 為素?cái)?shù)、碼集合勢(shì)為 Pn,d＝n(n-1)的置換碼發(fā)生器原理電路。所述 (n,n-1)PC 在 n！個(gè)置換的特定 n-RPGCF 排序規(guī)則約束下，由 n-1 個(gè) tn 軌道構(gòu)成，每個(gè) tn 軌道的首置換構(gòu)成軌道首陣列，該陣列的每一個(gè)置 換由等差數(shù)列的不同公差和不同分段排序方式來(lái)設(shè)計(jì)，通過(guò)對(duì)該陣列 ·1024·中每一個(gè)置換使用 tn 操作 n-1 次，即生成(n,n-1)PC。所述碼字序列發(fā) 生器給每個(gè)元素分配 m 位，每個(gè)碼字占用 n×m 個(gè)存儲(chǔ)單元，其循環(huán) 移位寄存器組由 m 組 n 個(gè)觸發(fā)器構(gòu)成，執(zhí)行 m 位并行 n 位串行的左移 輸入、循環(huán)右移、左移輸出和循環(huán)左移一系列操作，完成從軌道首陣 列到 n(n-1)個(gè)置換碼字的生成過(guò)程。

記憶力下降可嚴(yán)重影響人的生活質(zhì)量，因此市場(chǎng)急需有效的改善 記憶的藥品或保健品，但無(wú)奈的是這方面的產(chǎn)品還很少。因此，開(kāi)發(fā) 有效的適應(yīng)于改善記憶的藥品或保健品非常必要。中藥的多靶點(diǎn)特性 在改善記憶方面具有顯著的優(yōu)勢(shì)。本項(xiàng)目開(kāi)發(fā)的生脈復(fù)方不僅保留了 生脈復(fù)方改善記憶的功效，并且比未經(jīng)提取的生脈復(fù)方原藥效果更 好，可在制備改善記憶的藥品或保健品中應(yīng)用。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

研究生論文盲審管理系統(tǒng)，為學(xué)院教務(wù)管理層提供高效的論文盲審分配機(jī)制；協(xié)助跟進(jìn)論文盲審進(jìn)度及狀態(tài)，及時(shí)有效督促盲審工作開(kāi)展。專家?guī)旖ㄔO(shè)為論文評(píng)審提供了學(xué)院專屬專家資源庫(kù)。

在梯形雙噻吩酰亞胺小分子的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)并成功合成了一系列具有半梯形結(jié)構(gòu)的全受體類型均聚物PBTIn（n = 1-5），并深入研究了這些材料的構(gòu)性關(guān)系。實(shí)驗(yàn)表明，均聚物的聚合方法選擇至關(guān)重要，通過(guò)Stille和Yamamoto偶聯(lián)方法對(duì)比發(fā)現(xiàn)，Stille聚合能夠得到高分子量、低缺陷態(tài)、高性能的高分子半導(dǎo)體；采用全受體結(jié)構(gòu)能夠有效拉低前沿軌道能級(jí)，基于這些均聚物材料的有機(jī)薄膜晶體管都表現(xiàn)出良好的單極性n-型性能，晶體管器件的關(guān)電流僅為10 ?9 -10 ?10 A，電流開(kāi)關(guān)比高達(dá)10 6 ；晶體管遷移率性能與構(gòu)建單元長(zhǎng)度反向關(guān)聯(lián)，PBTI1的最高電子遷移率為3.71 cm 2  V -1  s -1 ，該遷移率是全受體均聚物材料中的最高紀(jì)錄，比PBTI5的電子遷移率高出兩個(gè)數(shù)量級(jí)。? 通過(guò)深入表征發(fā)現(xiàn)，這一系列全受體類型均聚物表現(xiàn)出來(lái)的晶體管遷移率趨勢(shì)與其半導(dǎo)體薄膜結(jié)構(gòu)有序度直接相關(guān)。拉曼光譜表明，梯形構(gòu)建單元共軛長(zhǎng)度的增加帶來(lái)較大的單體間扭轉(zhuǎn)角，影響聚合物骨架的平面性。同步輻射X射線衍射表明，梯形構(gòu)建單元的增長(zhǎng)使得聚合物薄膜中π-π堆積方向的結(jié)晶性降低，不利于電子的分子間傳輸。這些結(jié)果表示，較長(zhǎng)的單體結(jié)構(gòu)會(huì)對(duì)聚合物薄膜形貌和載流子傳輸造成負(fù)面影響，因此發(fā)展更長(zhǎng)的梯形構(gòu)建單元對(duì)全受體類型均聚物遷移率的提升不會(huì)帶來(lái)幫助。該研究表明全受體結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)高性能單極性n-型聚合物材料的有效途徑，同時(shí)為n-型梯形小分子和聚合物的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和發(fā)展提供重要參考依據(jù)。