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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺
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有機染（顏）料清潔生產(chǎn)及濃鹽水處理關(guān)鍵技術(shù)
染（顏）料及醫(yī)藥中間體是國民經(jīng)濟和國計民生密切相關(guān)的重要產(chǎn)業(yè)，我國染（顏）料生產(chǎn)能力、產(chǎn)量及出口量已遠(yuǎn)超其他國家。然而生產(chǎn)技術(shù)的相對滯后、生產(chǎn)效率低下及污染嚴(yán)重等問題已成為嚴(yán)重影響行業(yè)發(fā)展、危害人體健康和生態(tài)安全的瓶頸問題。我國“十一五”至“十三五”發(fā)展規(guī)劃、天津市中長期發(fā)展規(guī)劃以及2015年國務(wù)院最新發(fā)布的《水污染防治行動計劃》均把染（顏）料行業(yè)清潔生產(chǎn)以及加快行業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整，向綠色化、高端化發(fā)展提升到國家經(jīng)濟發(fā)展戰(zhàn)略高度。在這一背景下，本項目組以天津城建大學(xué)和天津大學(xué)研發(fā)、天津煒杰科技有限公司和山
天津城建大學(xué)
2021-01-12
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高溫固體散料自均衡熱量蓄存及余熱分級提取技術(shù)
工業(yè)中大部分高溫固體散料是寬粒徑分布（0.1-20mm）的混合物料，微細(xì)粉體填充在塊料的空隙，冷卻氣體既吹不起散料，也穿不透散料，難以直接從散料取走熱量；移動床內(nèi)間接換熱過程中管間距過大換熱不充分，管間距過小顆粒易堵塞，熱回收效率低；高溫散料的粒度覆蓋范圍寬、產(chǎn)率及溫變跨度大，余熱回收難度大、效率低，技術(shù)不成熟。針對現(xiàn)有的余熱回收工藝適用性差、回收效率低，對于含微細(xì)粉體且粒度分布寬、產(chǎn)率及溫變跨度大的余熱散料難以有效回收的現(xiàn)狀，設(shè)計開發(fā)適應(yīng)粒度、產(chǎn)率和溫度寬范圍變化的高溫散料均勻布料裝置和自均衡連續(xù)出料裝置；研發(fā)以散料側(cè)多頻喘動及流體側(cè)強化換熱為特征的間壁式換熱技術(shù)；提出適用于粒度、溫度和產(chǎn)率寬閾度變化的熱質(zhì)自均衡蓄存技術(shù)與熱量分級提取方法，形成組合式散料蓄存與余熱分級提取工藝。
北京科技大學(xué)
2021-04-13
應(yīng)力吸收層瀝青混合料貫入試驗數(shù)值分析與試驗評價
采用灰關(guān)聯(lián)分析法，提出了瀝青高溫黏度和軟化點是影響應(yīng)力吸收層瀝青混合料高溫抗剪變形能力的兩個主要因素。 明確了粗細(xì)集料分布均勻的應(yīng)力吸收層混合料級配范圍；提出了破壞荷載、破壞模量等評價應(yīng)力吸收層瀝青混合料抗剪性能的主要指標(biāo)；可進行應(yīng)力吸收層瀝青混合料的級配設(shè)計和應(yīng)力吸收層復(fù)合式路面結(jié)構(gòu)高溫抗剪性能的評價。
天津城建大學(xué)
2021-01-12
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粉煤灰等固體廢棄物的塑料填料/母料技術(shù)
上海交通大學(xué)
2021-04-13
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超聲引發(fā)溶液聚合制備納米鐵聚合物復(fù)合材 料
本發(fā)明涉及超聲引發(fā)溶液聚合制備納米鐵聚合物復(fù)合材料的方法。將三氯化鐵、甲基丙烯酸甲酯、苯乙烯、甲苯和偶氮二異丁腈混合均勻，在氮氣保護條件下超聲輻射，得到反應(yīng)后溶液；向反應(yīng)后溶液中加入無水甲醇進行沉淀，過濾得到沉淀物，將沉淀物洗滌、真空烘干并研磨得納米鐵聚合物復(fù)合材料，聚合物復(fù)合材料為灰黑色固體粉末。本發(fā)明在使用氮氣保護、不加入還原劑的條件下，超聲輻射，鐵離子被還原成納米鐵顆粒，同時 MMA、St原位聚合，一步直接合成了納米鐵聚合物復(fù)合材料，這是一種相對綠色、節(jié)能又環(huán)保的方法。
安徽理工大學(xué)
2021-04-13
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一種基于光學(xué)天線的片上無線光通信系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種基于光學(xué)天線的片上無線光通信系統(tǒng)，現(xiàn)有關(guān)于光學(xué)頻段天線的發(fā)明與研究多是基于諸如透鏡、反射鏡等傳統(tǒng)光學(xué)器件，這些設(shè)計只適用于較大的光學(xué)范圍。本發(fā)明利用金屬光學(xué)天線自身的定向輻射特性，采用片上系統(tǒng)集成的方式，將光學(xué)天線發(fā)射基站、反射單元、光學(xué)天線中繼單元以及光學(xué)天線接收終端構(gòu)成基于光學(xué)天線的片上無線光通信系統(tǒng)。該系統(tǒng)能夠大大降低通信網(wǎng)絡(luò)中器件的串?dāng)_與功耗，同時使得系統(tǒng)空間響應(yīng)大大減小達到亞波長量級，進而提高整個光纖通信網(wǎng)絡(luò)的傳輸帶寬與響應(yīng)速度。
浙江大學(xué)
2021-04-11
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借助石墨烯實現(xiàn)Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長
北京大學(xué)物理學(xué)院寬禁帶半導(dǎo)體研究中心沈波和楊學(xué)林課題組與俞大鵬、劉開輝課題組合作，成功實現(xiàn)了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長，相關(guān)工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導(dǎo)體具有帶隙大、擊穿電場高、飽和電子漂移速度大等優(yōu)異，能夠滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高頻、高功率等性能的要求，對國家的高技術(shù)發(fā)展和國防建設(shè)具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導(dǎo)體材料和器件主要在異質(zhì)襯底上外延生長。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優(yōu)點，Si襯底上外延GaN成為近年來學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界高度關(guān)注的熱點領(lǐng)域。 目前用于GaN外延生長的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結(jié)構(gòu)為三重排列，可為六方結(jié)構(gòu)的GaN外延提供六重對稱表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術(shù)的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對于實現(xiàn)GaN器件和Si器件的集成至關(guān)重要。但Si(100)表面原子為四重對稱，外延生長時無法有效匹配；同時Si(100)表面存在二聚重構(gòu)體，導(dǎo)致GaN面內(nèi)同時存在兩種不同取向的晶疇。迄今國際上還未能實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長 沈波和楊學(xué)林課題組創(chuàng)造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實現(xiàn)了單晶GaN薄膜的外延生長，并系統(tǒng)研究了石墨烯上GaN外延的成核機理和外延機制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學(xué)基礎(chǔ)，而且對當(dāng)前國際上關(guān)注的非晶襯底上氮化物半導(dǎo)體外延生長和GaN基柔性器件研制具有重要的指導(dǎo)價值。
北京大學(xué)
2021-04-11
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提高金屬零件上耐蝕性能的高溫鎰系磷化技術(shù)
該項目針對 30CrMnMoTiA, 30CrNi3A、25Cr2Ni4WA 和 Nil9Co9Mo5 四種含銘、線合金鋼難磷 化及磷化膜耐蝕性能低的實際生產(chǎn)難題，深入研究磷化膜的形成過程和磷化機理, 探討含銘、線合金鋼難磷化的內(nèi)在原因；通過工藝優(yōu)化，開發(fā)出了解決上面4 種合金難磷化問題的高溫鎰系黑色磷化新技術(shù)，開發(fā)了新工藝，應(yīng)用于某廠，建 成了年處理各類零件1200萬件的磷化生產(chǎn)線一條，使廢品率由原來的8~10%降 低為現(xiàn)在的0.5%以內(nèi)。每年產(chǎn)生直接經(jīng)濟效益近600萬元，節(jié)約成本150萬元。
重慶大學(xué)
2021-04-11
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植物乳桿菌產(chǎn)細(xì)菌素研究及其在發(fā)酵香腸上的應(yīng)用
一、成果簡介 該課題受北京市自然科學(xué)基金項目“植物乳桿菌素對肉源李斯特氏病原菌作用機理研究”的資助，鑒于化學(xué)防腐劑在食品防腐應(yīng)用中的不安全性，重點開展了新型生物防腐劑乳酸菌細(xì)菌素產(chǎn)生菌株的篩選，活性細(xì)菌素的分離純化，細(xì)菌素及其產(chǎn)生菌株的應(yīng)用研究。二、技術(shù)指標(biāo) 從傳統(tǒng)宣威火腿中分離篩選出一株高產(chǎn)
中國農(nóng)業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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一種在 SOI 硅片上制備微機械懸空結(jié)構(gòu)的方法
本發(fā)明公開了一種在 SOI 硅片上制備微機械懸空結(jié)構(gòu)的方法。對懸空結(jié)構(gòu)及其固定結(jié)構(gòu)采用不同的槽寬設(shè)計，其中，固定結(jié)構(gòu)的槽寬明顯大于懸空結(jié)構(gòu)，寬槽底部經(jīng)刻蝕首先到達或更加接近 SiO2 層，再通過各向同性干法刻蝕使窄槽底部相互連通并與窄槽下方的 Si 層分離，將窄槽間的梁釋放，形成具有平整底面的懸空結(jié)構(gòu)，同時去除固定結(jié)構(gòu)與懸空結(jié)構(gòu)連接區(qū)底部的 Si 以及固定結(jié)構(gòu)與其它結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域底部的 Si，使得固定結(jié)構(gòu)與窄槽下方的 Si 層及其它結(jié)構(gòu)隔離，從而使不同的固定結(jié)構(gòu)間相互絕緣。本發(fā)明的方法簡單有效，能廣
華中科技大學(xué)
2021-04-14