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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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鋁基復(fù)合材料
金屬基復(fù)合材料問(wèn)世不足三年，但由于其制備工藝簡(jiǎn)單，價(jià)格便宜，具有高比強(qiáng)、高比剛及高耐磨性等優(yōu)良性能，在國(guó)外已廣泛用于航空、航天、汽車(chē)、軍工等領(lǐng)域。我校于80年代開(kāi)始進(jìn)行鋁基復(fù)合材料的制備、性能及應(yīng)用研究，已獲得許多重要成果，現(xiàn)已可用穩(wěn)定工藝制備管材、棒材及形狀較為復(fù)雜的零部件，如汽車(chē)連桿、汽缸套、油田抽油機(jī)缸套、汽車(chē)摩擦片、皮帶輪等機(jī)器構(gòu)件，還可用于開(kāi)發(fā)各
西安交通大學(xué)
2021-01-12
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垂直結(jié)構(gòu)?GaN?基?LED
可以量產(chǎn)/n在垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的工藝流程中，其剝離下來(lái)的藍(lán)寶石襯底可以回收后重復(fù)利用多次，藍(lán)寶石襯底單芯片和2英寸整片剝離成品率大于95%。目前，垂直結(jié)構(gòu)LED發(fā)光效率可以達(dá)到121.57m/W@350mA隨著技術(shù)的不段進(jìn)步，近幾年最受人們關(guān)注的是固態(tài)通用照明領(lǐng)域的高亮度大功率LED應(yīng)用，然而這種應(yīng)用卻受到藍(lán)寶石異質(zhì)襯底所帶來(lái)的一系列技術(shù)問(wèn)題的限制。除去了藍(lán)寶石襯底的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片具有優(yōu)良的光電熱方面的性能，能滿足固態(tài)通用照明對(duì)其性能的要求，采用垂直結(jié)構(gòu)LED方案是固態(tài)通用照明技術(shù)發(fā)展的 必然
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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水泥基自修復(fù)材料
北京工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
布基白塑幕
產(chǎn)品詳細(xì)介紹 采用高反射系數(shù)的塑料制成，屬線反射銀幕，幕面潔白均勻，光線反射柔和，視覺(jué)不易疲勞，價(jià)格低廉，適用于普通電化教學(xué)、電影放映等
江蘇省通州市長(zhǎng)江銀幕廠
2021-08-23
技術(shù)需求：1.壓電陶瓷高居里溫度材料的研發(fā)； 2.壓電陶瓷低溫?zé)Y(jié)；
1.壓電陶瓷高居里溫度材料的研發(fā)；2.壓電陶瓷低溫?zé)Y(jié)；
淄博宇海電子陶瓷有限公司
2021-08-30
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安徽大學(xué)在氮化鎵功率器件研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展
本工作中，基于安徽大學(xué)微納加工平臺(tái)以及香港科技大學(xué)納米系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)制造中心聯(lián)合制造出了兩款氮化鎵功率器件，分別實(shí)現(xiàn)了電壓驅(qū)動(dòng)/電流驅(qū)動(dòng)的柵極結(jié)構(gòu)，為后續(xù)的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和研發(fā)提供了器件技術(shù)支持；工作中也同時(shí)提出了兩種結(jié)構(gòu)在高溫下的穩(wěn)定性模型，為進(jìn)一步提升氮化鎵器件的性能以及可靠性打下了基礎(chǔ)。
安徽大學(xué)
2022-06-13
安徽大學(xué)在氮化鎵功率器件研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展
近日，我校物質(zhì)科學(xué)與信息技術(shù)研究院唐曦教授課題組與電氣工程與自動(dòng)化學(xué)院胡存剛教授、曹文平教授課題組在氮化鎵功率器件領(lǐng)域取得最新研究進(jìn)展，在氮化鎵GaNHEMT方向取得突破。
安徽大學(xué)
2022-06-01
基于石墨烯、氮化硼等二維材料的防腐應(yīng)用
石墨烯由于其獨(dú)特的二維納米結(jié)構(gòu)，且具有高強(qiáng)度、高熱穩(wěn)定性、高化學(xué)穩(wěn)定性以及優(yōu)良的導(dǎo)熱性等特性，在防腐涂料領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。石墨烯、氮化硼等二維材料由于其特殊的結(jié)構(gòu)使其具有不透過(guò)性，作為金屬基底與腐蝕環(huán)境的阻隔層而保護(hù)基底不被自然環(huán)境所腐蝕。通過(guò)化學(xué)氣相沉積法及塊體剝離法可分別制備直接生長(zhǎng)于金屬表面的大面積石墨烯、氮化硼薄膜，或粉狀的石墨烯、氮化硼納米片。通過(guò)化學(xué)氣相沉淀法，二維材料可以在任意形狀的金屬基底的所有暴露面上生長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)金屬表面的全面保護(hù)。
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
奧華液基薄層細(xì)胞制片機(jī)染色機(jī)64通道
主要特點(diǎn)1、微電腦自動(dòng)控制，中文界面，液晶顯示，觸摸屏操作，簡(jiǎn)捷、直觀、方便。全程電腦自動(dòng)控制，無(wú)需人工干預(yù)。2、每張標(biāo)本獨(dú)立沉降制片、獨(dú)立固定、獨(dú)立染色。獨(dú)立分化、獨(dú)立返藍(lán)、獨(dú)立傾倒廢液,標(biāo)本與耗材(一次性移液針筒、沉降倉(cāng)等)一一對(duì)應(yīng)，不交叉使用，不反復(fù)使用，保證單獨(dú)制片染色，無(wú)標(biāo)本間交叉污染。3、一次性移液針筒抽取染色液、鹽酸酒精，無(wú)堵塞管道、腐蝕管道風(fēng)險(xiǎn)，染色液無(wú)浪費(fèi)。4、隨著季節(jié)溫度變化，儀器自動(dòng)檢測(cè)溫度并自動(dòng)調(diào)整染色時(shí)間，保證最佳染色效果。(此功能可選擇)5、有效細(xì)胞單層、均勻地平鋪到載玻片圓形區(qū)域上，制成細(xì)胞成分豐富、背景清晰、顏色鮮艷、形態(tài)完整、分布均勻的細(xì)胞涂片。6、上皮細(xì)胞、化生細(xì)胞、頸管細(xì)胞及微生物等清晰，既可直接查癌及癌前病變，也可查炎癥，HPV感染、滴蟲(chóng)、霉菌等微生物。7、配有凈化排氣裝置，環(huán)保密封罩活性炭過(guò)濾，吸附有害氣體，保證儀器內(nèi)外空氣潔凈，保護(hù)操作者健康。8、單次制片染色1-64任意數(shù)值只標(biāo)本；9、巴氏、HE兩種染色方式，一鍵切換。10、婦科、非婦科1、非婦科2三種工作模式，一鍵切換。
孝感奧華醫(yī)療科技有限公司
2025-01-20
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寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件技術(shù)
寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅(SiC)材料是第三代半導(dǎo)體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率等突出優(yōu)點(diǎn)，能滿足下一代電力電子裝備對(duì)功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應(yīng)用于混合動(dòng)力車(chē)輛、電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能發(fā)電、列車(chē)牽引設(shè)備、高壓直流輸電設(shè)備以及艦艇、飛機(jī)等軍事設(shè)備的功率電子系統(tǒng)領(lǐng)域。與傳統(tǒng)硅功率器件相比，目前已實(shí)用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統(tǒng)，大幅度降低系統(tǒng)體積和重量，因此SiC功率器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團(tuán)隊(duì)在SiC功率器件擊穿機(jī)理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗(yàn)，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計(jì)與研制方案。目前基于國(guó)內(nèi)工藝平臺(tái)制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區(qū)面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測(cè)試曲線(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向?qū)y(cè)試曲線(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向?qū)y(cè)試曲線(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線
電子科技大學(xué)
2021-04-10