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西安交通大學(xué)科研人員在強場量子電動力學(xué)物理領(lǐng)域取得重要進展
近年來，超強激光技術(shù)的迅速發(fā)展，尤其是10-100PW超強激光時代的到來，為量子電動力學(xué)（QED）的理論驗證提供了前所未有的極端實驗條件。
西安交通大學(xué)
2022-05-09
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利用單一YAG: Ce3+熒光粉和紫外LED芯片匹配獲得白光的制備
最近以來，LED照明以其節(jié)能環(huán)保等優(yōu)點，獲得了大規(guī)模的應(yīng)用。 傳統(tǒng)的黃色熒光粉YAG：Ce3+在藍光LED芯片激發(fā)下發(fā)出黃色的光，通過藍光和黃光復(fù)合產(chǎn)生白光，但這種粉體不能應(yīng)用于高能量的紫外LED芯片產(chǎn)生白光，因為YAG：Ce3+的光譜中缺乏藍光波段。本項目通過特有的表面包覆和處理技術(shù)，使得YAG：Ce3+的外觀和普通YAG：Ce3+沒有區(qū)別，但在紫外光365nm激發(fā)下，不僅呈現(xiàn)出黃光發(fā)射，而且具有藍光發(fā)射，通過調(diào)控膜層的組成和厚度，匹配與紫外LED芯片時，器件發(fā)射出CIE坐標(biāo)（0.32,0.33）的白光。 利用此方法，可使得YAG:Ce3+粉發(fā)出藍光和黃光兩種波段，進而復(fù)合產(chǎn)生白光，工藝簡單，技術(shù)領(lǐng)先。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
利用單一YAG: Ce3+熒光粉和紫外LED芯片匹配獲得白光的制備
成果簡介： 最近以來，LED照明以其節(jié)能環(huán)保等優(yōu)點，獲得了大規(guī)模的應(yīng)用。 傳統(tǒng)的黃色熒光粉YAG：Ce3+在藍光LED芯片激發(fā)下發(fā)出黃色的光，通過藍光和黃光復(fù)合產(chǎn)生白光，但這種粉體不能應(yīng)用于高能量的紫外LED芯片產(chǎn)生白光，因為YAG：Ce3+的光譜中缺乏藍光波段。本項目通過特有的表面包覆和處理技術(shù)，使得YAG：Ce3+的外觀和普通YAG：Ce3+沒有區(qū)別，但在紫外光365nm激發(fā)下，不僅呈現(xiàn)出黃光發(fā)射，而且具有藍光發(fā)射，通過調(diào)控膜層的組成和厚度，匹配與紫外LED芯片時，器件發(fā)射出CIE坐標(biāo)（0.32,0.33）的白光。 利用此方法，可使得YAG:Ce3+粉發(fā)出藍光和黃光兩種波段，進而復(fù)合產(chǎn)生白光，工藝簡單，技術(shù)領(lǐng)先。
電子科技大學(xué)
2017-10-23
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一種雙路電壓信號驅(qū)控的面陣電控液晶光發(fā)散微透鏡芯片
本發(fā)明公開了一種雙路電壓信號驅(qū)控的面陣電控液晶光發(fā)散微透鏡芯片，包括電控液晶散光微透鏡陣列、第一驅(qū)控信號輸入端口和第二驅(qū)控信號輸入端口，面陣電控液晶散光微透鏡為 m×n 元，其中，m、n 均為大于 1 的整數(shù)，電控液晶散光微透鏡陣列采用液晶夾層結(jié)構(gòu)，且下上層之間順次設(shè)置有第一基片、共地電極層、第一液晶定向?qū)印⒁壕印⒌诙壕Фㄏ驅(qū)印㈨斆鎴D案化電極層、頂層電極間絕緣層、頂面電極層、第二基片，共地電極層和頂面電極層分別固
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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微流控數(shù)字液滴中央處理器芯片及平臺系統(tǒng)的研制
程鑫課題組主攻微納加工技術(shù)，包括超高精度（亞5納米）表面圖形化技術(shù)、適用于產(chǎn)業(yè)化的大面積低成本納米加工技術(shù)、微納3D打印技術(shù)等。課題組同時開發(fā)微納加工在半導(dǎo)體器件、納米光學(xué)、生物醫(yī)學(xué)工程等多個領(lǐng)域中的應(yīng)用。近年來，課題組在微流控芯片領(lǐng)域開展了大量創(chuàng)新性研究工作，并取得了一系列成果。 DNA/RNA測序前文庫構(gòu)建和蛋白質(zhì)的結(jié)構(gòu)大規(guī)模質(zhì)譜檢測等基因組學(xué)和蛋白質(zhì)組學(xué)研究中的關(guān)鍵技術(shù)都涉及到稀
南方科技大學(xué)
2021-04-14
北京市基金資助的重點研究專題項目在定頻量子比特的物理架構(gòu)研究中取得新進展
北京市自然科學(xué)基金（以下簡稱市基金）資助的重點研究專題項目“超導(dǎo)量子比特集成和存儲”取得重要進展。北京量子信息科學(xué)研究院于海峰團隊提出了一種基于定頻Transmon量子比特的物理架構(gòu)。
北京市自然科學(xué)基金委員會辦公室
2022-05-26
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睿芯科技數(shù)字模擬電路混合人工智能芯片及傳感器研發(fā)成果
是一家模數(shù)混合式神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理及傳感器芯片公司，DVS視覺傳感器，數(shù)模混合人工智能芯片，創(chuàng)始團隊均為瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院博士，專攻模擬電路及神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)方向 點擊上方按鈕聯(lián)系科轉(zhuǎn)云平臺進行溝通對接！
吉林大學(xué)
2021-04-10
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在大面積單層二硒化鈮晶體中觀測到伊辛超導(dǎo)和量子格里菲思奇異性的共存
伊辛超導(dǎo)是指超導(dǎo)庫珀對的自旋被有效的塞曼磁場固定住，由此表現(xiàn)出極強的的面內(nèi)臨界磁場（遠超其泡利順磁極限）。通過分子束外延法在雙層石墨烯終止的6H-SiC(0001)襯底上成功制備出大面積（毫米以上）原子級平整的高質(zhì)量單層過渡族金屬硫化物NbSe2薄膜（僅0.6 nm厚），在此基礎(chǔ)上對其覆蓋非晶態(tài)Se保護層，進而對非原位的電輸運物性展開了系統(tǒng)研究。研究發(fā)現(xiàn)：單層NbSe2薄膜表現(xiàn)出超過6 K的起始超導(dǎo)臨界轉(zhuǎn)變溫度和高達2.40 K的零電阻溫度，超過了早期機械剝離獲得的單層NbSe2以及分子束外延生長的單層NbSe2的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度。同時，強磁場和極低溫下的輸運測量結(jié)果直接證實了平行特征臨界場Bc//(T = 0)是順磁極限場的5倍以上，符合Zeeman保護的伊辛超導(dǎo)機制（前期NbSe2薄片中的伊辛超導(dǎo)證據(jù)需要實驗數(shù)據(jù)的理論擬合在更低溫更高磁場下的外推）。此外，極低溫垂直磁場下的電輸運測量表明，單層NbSe2薄膜在接近絕對零度時的量子臨界點表現(xiàn)出量子格里菲斯奇異性。
北京大學(xué)
2021-04-11
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《Nature》報道南京理工大學(xué)理學(xué)院程斌教授與合作者在量子模擬領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破
強關(guān)聯(lián)體系中的巨大電子庫倫相互作用能夠誘導(dǎo)產(chǎn)生豐富奇異的量子多體物態(tài)，包括非常規(guī)超導(dǎo)、莫特絕緣體、維格納晶體態(tài)、非費米液體、量子自旋液體等。
南京理工大學(xué)
2022-10-12
關(guān)于發(fā)布集成芯片前沿技術(shù)科學(xué)基礎(chǔ)重大研究計劃2023年度項目指南的通告
國家自然科學(xué)基金委員會現(xiàn)發(fā)布集成芯片前沿技術(shù)科學(xué)基礎(chǔ)重大研究計劃2023年度項目指南，請申請人及依托單位按項目指南中所述的要求和注意事項申請。
國家自然科學(xué)基金委員會
2023-07-31