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一種用于高可靠性WLCSP器件焊接的無(wú)鉛釬料
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于高可靠性WLCSP器件焊接的無(wú)鉛釬料，屬于金屬材料類及冶金領(lǐng)域釬焊材料。該種無(wú)鉛釬料中的納米Al顆粒的含量為0.01~1%，納米CeO2的含量為0.01~1%，Ag的含量為0.5~4.5%，Cu的含量為0.2~1.5%，余量為Sn。使用市售的Sn錠、Sn-Cu合金、Sn-Ag合金，按設(shè)計(jì)所需成分配比，預(yù)先熔化，然后加入納米顆粒，采用高能超聲攪拌的制造工藝冶煉無(wú)鉛釬料，為防止元素的燒損在惰性氣體保護(hù)氣氛中冶煉、澆鑄成棒材，然后通過(guò)擠壓、拉拔即得到所需要的釬料絲材，也可將新釬料制備成焊膏使用。本無(wú)鉛釬料對(duì)應(yīng)無(wú)鉛焊點(diǎn)的抗疲勞特性和抗跌落特性得到顯著提高。
江蘇師范大學(xué)
2021-04-11
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一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其 制備方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、電極層、壓電纖 維層、保護(hù)層；所述柔性基材為柔性絕緣塑料薄膜；所述壓電纖維層 為 PVDF 纖維。通過(guò)采用柔性基材，采用照相制版工藝制備梳狀電極， 并選擇合適的靜電紡絲參數(shù)沉積 PVDF 壓電纖維，無(wú)需再對(duì)壓電纖維 進(jìn)行極化，使纖維整齊排列、減小纖維缺陷，能夠簡(jiǎn)化納米壓電纖維 能量捕獲器件制備工藝，提高能量轉(zhuǎn)換效率，尤其是對(duì)彎曲運(yùn)動(dòng)機(jī)械 能的捕獲效果。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
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一種基于SOI封裝的六軸微慣性器件及其加工方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于SOI封裝的六軸微慣性器件，包括單片集成的六軸微慣性器件、玻璃襯底、金屬電極、金屬引線、SOI蓋帽和SOI密封墻；六軸微慣性器件通過(guò)陽(yáng)極鍵合工藝鍵合在玻璃襯底上；金屬電極為一個(gè)以上，均勻設(shè)置在玻璃襯底一側(cè)，金屬電極通過(guò)金屬引線與六軸微慣性器件相接，SOI蓋帽設(shè)在玻璃襯底正上方，SOI密封腔設(shè)在SOI蓋帽和SOI密封墻之間，形成空腔結(jié)構(gòu)；每個(gè)金屬電極正上方的SOI蓋帽上設(shè)有梯形電極孔，梯形電極孔正下方的SOI密封墻上設(shè)有垂直貫通；梯形電極孔、垂直貫通與金屬電極一一對(duì)應(yīng)。本發(fā)明具有全解耦、質(zhì)量小、結(jié)構(gòu)精巧、成本低和便于批量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)，在單個(gè)器件內(nèi)同時(shí)實(shí)現(xiàn)了對(duì)三軸的加速度和角速度的檢測(cè)，應(yīng)用范圍廣，有著良好的市場(chǎng)前景。
東南大學(xué)
2021-04-11
一種用于片式元器件編帶封裝的雙路同步熱壓裝置
本發(fā)明屬于電子元器件的封裝設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，并公開(kāi)了一種用 于片式元器件編帶封裝的雙路同步熱壓裝置，包括水平工作臺(tái)、熱壓 機(jī)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和調(diào)距機(jī)構(gòu)等，其中熱壓機(jī)構(gòu)被設(shè)計(jì)為雙路結(jié)構(gòu)，并 用于實(shí)現(xiàn)料帶的封合，保證壓力的一致性，進(jìn)而完成料帶的良好熱封； 驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)熱壓機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)垂直方向的上下運(yùn)動(dòng)；調(diào)距機(jī)構(gòu)用于 調(diào)節(jié)工作臺(tái)兩側(cè)的間距以及兩側(cè)壓頭的間距，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)適應(yīng)不同寬度 的料帶的熱封。通過(guò)本發(fā)明，能實(shí)現(xiàn)單側(cè)壓頭的溫度均勻分布，兩側(cè) 壓頭溫度和壓力的一致性以及不同寬度的料帶的良好熱封，同時(shí)具備 結(jié)構(gòu)緊湊，便
華中科技大學(xué)
2021-01-12
基于平板顯示ＴＦＴ基板的大面積紅外探測(cè)器件及其驅(qū)動(dòng)方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于平板顯示ＴＦＴ基板的大面積紅外探測(cè)器件及其驅(qū)動(dòng)方法，采用薄膜晶體管基板，并采用化學(xué)溶液法制備ＰｂＳ或者Ｇｅ半導(dǎo)體量子點(diǎn)，作為光電轉(zhuǎn)換材料；其次，在ＴＦＴ基板上方采用低溫旋涂、噴墨打印或者轉(zhuǎn)印等方法，沉積可傳感紅外信號(hào)的ＰｂＳ或者Ｇｅ量子點(diǎn)層；在量子點(diǎn)光電轉(zhuǎn)換層上利用濺射方法制備對(duì)紅外吸收較少的公共導(dǎo)電層；薄膜晶體管背板的像素源電極、量子點(diǎn)光電轉(zhuǎn)換層，以及透明電極構(gòu)成紅外光敏電阻結(jié)構(gòu)，該光敏電阻吸收紅外信號(hào)后，產(chǎn)生光生載流子，從而改變電阻的阻值。本發(fā)明提出的紅外探測(cè)器件成像面積大，
東南大學(xué)
2021-04-14
州大學(xué).jpg){kind=logo}
有機(jī)光電器件中的薄膜電導(dǎo)率提高機(jī)理技術(shù)研究
本成果通過(guò)有機(jī)光電器件中有機(jī)薄膜的缺陷態(tài)來(lái)揭示： 1. 有機(jī)半導(dǎo)體薄膜中的缺陷起源； 2. 界面能級(jí)排布或者出現(xiàn)的界面能級(jí)釘扎的機(jī)理； 3. 缺陷態(tài)的存在對(duì)器件中載流子傳輸?shù)挠绊懀?4. 使用有效的有機(jī)、無(wú)機(jī)材料摻雜來(lái)極大的提高有機(jī)半導(dǎo)體薄膜的電導(dǎo)率。從而獲得以有效、簡(jiǎn)單的使用方法來(lái)提高有機(jī)光電器件的性能。
揚(yáng)州大學(xué)
2021-04-14
一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其制備方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、電極層、壓電纖維層、保護(hù)層；所述柔性基材為柔性絕緣塑料薄膜；所述壓電纖維層為 PVDF 纖維。通過(guò)采用柔性基材，采用照相制版工藝制備梳狀電極，并選擇合適的靜電紡絲參數(shù)沉積 PVDF 壓電纖維，無(wú)需再對(duì)壓電纖維進(jìn)行極化，使纖維整齊排列、減小纖維缺陷，能夠簡(jiǎn)化納米壓電纖維能量捕獲器件制備工藝，提高能量轉(zhuǎn)換效率，尤其是對(duì)彎曲運(yùn)動(dòng)機(jī)械能的捕獲效果。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于同質(zhì)器件架構(gòu)的感算存一體化神經(jīng)形態(tài)硬件
該成果創(chuàng)新性地基于二維半導(dǎo)體的硅基同質(zhì)器件，首次提出了類腦功能的“傳感-計(jì)算-存儲(chǔ)一體化”神經(jīng)形態(tài)芯片架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了光電傳感、放大運(yùn)算、信息存儲(chǔ)功能的一體化集成，為突破馮·諾依曼瓶頸和實(shí)現(xiàn)類腦智能提供了一種全新思路。
繆向水教授團(tuán)隊(duì)，長(zhǎng)期從事相變存儲(chǔ)器芯片、存算一體憶阻器芯片技術(shù)研究。2018年出版了國(guó)內(nèi)第一本憶阻器專著《憶阻器導(dǎo)論》，2019年團(tuán)隊(duì)93項(xiàng)三維相變存儲(chǔ)器芯片專利許可給芯片公司并合作開(kāi)發(fā)產(chǎn)品，并與行業(yè)龍頭企業(yè)合作建立了聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，推動(dòng)存儲(chǔ)器芯片技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化以及未來(lái)引領(lǐng)技術(shù)的探索。曾榮獲國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)2項(xiàng)、湖北省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)1項(xiàng)。
同質(zhì)晶體管-存儲(chǔ)器架構(gòu)的原理及器件結(jié)構(gòu)
繆向水團(tuán)隊(duì)長(zhǎng)期從事相變存儲(chǔ)器芯片、存算一體憶阻器芯片技術(shù)研究。2018年出版了國(guó)內(nèi)第一本憶阻器專著《憶阻器導(dǎo)論》，2019年團(tuán)隊(duì)93項(xiàng)三維相變存儲(chǔ)器芯片專利許可給芯片公司并合作開(kāi)發(fā)產(chǎn)品，并與行業(yè)龍頭企業(yè)合作建立了聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，推動(dòng)存儲(chǔ)器芯片技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化以及未來(lái)引領(lǐng)技術(shù)的探索。曾榮獲國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)2項(xiàng)、湖北省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)1項(xiàng)。
華中科技大學(xué)
2022-08-12
旦大學(xué).jpg){kind=logo}
一種水平極化翻轉(zhuǎn)的鐵電憶阻器件及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)一種水平極化翻轉(zhuǎn)的鐵電憶阻器件及其制備方法。該水平極化翻轉(zhuǎn)的鐵電憶阻器件包括柔性襯底；二維鐵電功能層，形成在所述柔性襯底上；第一平面電極和第二平面電極，形成在所述二維鐵電功能層兩側(cè)；將所述第二平面電極接地，當(dāng)未在所述第一平面電極施加電壓時(shí)，二維鐵電功能層中極化方向無(wú)序，器件處于常態(tài)；當(dāng)在所述第一平面電極施加正電壓時(shí)，所述二維鐵電功能層中的電疇發(fā)生水平極化翻轉(zhuǎn)，極化方向由第一平面電極端朝向第二平面電極端，器件轉(zhuǎn)變?yōu)榈妥钁B(tài)；當(dāng)在所述第一平面電極施加負(fù)電壓時(shí)，鐵電層中的電疇發(fā)生水平極化翻轉(zhuǎn)，極化方向由第二平面電極端朝向第一平面電極端，器件轉(zhuǎn)變?yōu)楦咦钁B(tài)。
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12
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一種寬譜段光電轉(zhuǎn)換器件量子效率測(cè)試系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種寬譜段光電轉(zhuǎn)換器件量子效率測(cè)試系統(tǒng)及方法，包括：量子效率測(cè)試箱、電源箱、激光功率計(jì)、吉時(shí)利源表、控制驅(qū)動(dòng)電路單片機(jī)、計(jì)算機(jī)等。本測(cè)試系統(tǒng)可同時(shí)測(cè)量待測(cè)器件的外量子效率(External Quantum Efficiency，EQE)、內(nèi)量子效率(Internal Quantum Efficiency，IQE)及表面反射率(Reflectance，R)，不需要在測(cè)試前使用標(biāo)準(zhǔn)器件進(jìn)行校準(zhǔn)，可測(cè)試的光譜波段范圍較寬，為300nm～2250nm，滿足各類不同禁帶光伏電池或光電轉(zhuǎn)換器件的量子效率測(cè)量需求。
蘭州大學(xué)
2021-01-12