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非阿貝爾Majorana零能模的出現(xiàn)和其超導(dǎo)/超流載 體本身的拓?fù)涮匦詿o關(guān)，即無論在拓?fù)淦椒不蚍瞧椒驳亩S超導(dǎo)或超流中，均可以獲得滿足非阿貝爾統(tǒng)計(jì)的馬約拉納零 能模，并由此提出實(shí)現(xiàn)馬約拉納零能模的最小化物理實(shí)驗(yàn)?zāi)Ｐ汀?

高頻軟磁薄膜的鐵磁共振頻率是集成化微磁電感的上限工作頻率。受限于較低的聲學(xué)模共振頻率，當(dāng)前微磁電感的頻率較低。基于光學(xué)模共振的軟磁薄膜具有非常高的共振頻率，將成為提高微磁電感頻率的新突破口。本發(fā)明主要介紹了實(shí)現(xiàn)光學(xué)模共振的多層膜結(jié)構(gòu)及其制備方法，有望用于制備集成化微磁電感或其他磁性薄膜集成器件。本發(fā)明所述的光學(xué)模共振是從未使用過的新原理，基于光學(xué)模共振的高頻軟磁薄膜材料及其集成電路工藝兼容性制備方法，將有利于將其推廣到集成電路磁性元器件的各個(gè)應(yīng)用環(huán)節(jié)，例如，微磁電感、隔離器、耦合器、濾波器等等，具有廣闊的應(yīng)用前景。

本發(fā)明公開了一種用于牙模三維測(cè)量的姿態(tài)調(diào)整裝置，包括夾具部分、平臺(tái)部分、支架部分，夾具部分設(shè)置在平臺(tái)部分的上表面，支架部分是 U 形框架支撐結(jié)構(gòu)，平臺(tái)部分設(shè)置在支架部分的上表面，夾具部分包括標(biāo)定夾具、適應(yīng)夾具、多個(gè)磁鐵，標(biāo)定夾具用于夾住牙模的平面?zhèn)?，適應(yīng)夾具具有曲線輪廓，用于夾住牙模的曲面?zhèn)?，磁鐵設(shè)置在標(biāo)定夾具、適應(yīng)夾具底部的腔體中，且磁鐵暴露在腔體外面的表面與標(biāo)定夾具、適應(yīng)夾具的底面平齊，平臺(tái)部分包括翻轉(zhuǎn)電機(jī)、翻轉(zhuǎn)電機(jī)座、一對(duì)聯(lián)軸器、左翻轉(zhuǎn)軸、左翻轉(zhuǎn)側(cè)板、載物臺(tái)、右翻轉(zhuǎn)側(cè)板、一對(duì)翻轉(zhuǎn)軸座、右翻轉(zhuǎn)軸

本發(fā)明公開一種多電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)新型離散滑模跟蹤控制方法、系統(tǒng)、設(shè)備和介質(zhì)。屬于多電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)控制技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明依據(jù)特征建模理論，建立針對(duì)位置跟蹤控制的多電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)特征模型，該模型比常規(guī)動(dòng)力學(xué)模型階次更低且參數(shù)更少；采用帶遺忘因子的遞推最小二乘法對(duì)特征模型參數(shù)進(jìn)行在線辨識(shí)，并投影到參數(shù)范圍集合；設(shè)計(jì)一種多冪次二階滑模面，以加快跟蹤誤差在不同誤差帶內(nèi)的收斂速度；設(shè)計(jì)多電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)新型離散滑模跟蹤控制方法，實(shí)現(xiàn)高精度跟蹤控制，同時(shí)減小滑模抖振。

XM-TB2高級(jí)帶警示臀部肌肉注射訓(xùn)練及對(duì)比模型 ? XM-TB2高級(jí)帶警示臀部肌肉注射訓(xùn)練及對(duì)比模型用于臀部肌肉注射教學(xué)與訓(xùn)練，教會(huì)學(xué)生如何掌握正確的操作方法并避免誤傷到神經(jīng)血管，模型半側(cè)透明，可以清晰地看到內(nèi)部的解剖結(jié)構(gòu)。 ? 一、功能特點(diǎn)： ■ 模型采用高分子材料制成，膚質(zhì)仿真度高。 ■ 模型為成人臀部，半邊透明的設(shè)計(jì)展示臀部的肌肉組織、骨骼結(jié)構(gòu)和神經(jīng)血管系統(tǒng)，有利于在訓(xùn)練時(shí)進(jìn)行對(duì)比，防止扎到神經(jīng)和血管。 ■ 注射操作正確和進(jìn)針位置正確，則有綠色燈光顯示。 ■ 扎入過深或注射部位不正確，則有紅色燈光閃爍和電子報(bào)警聲提示。 ■ 肌內(nèi)注射可注入真實(shí)液體。 ■ 可反復(fù)進(jìn)行練習(xí)。 ? 二、標(biāo)準(zhǔn)配置： ■ 臀部肌內(nèi)注射操作及對(duì)比模型：1臺(tái) ■ 手提鋁塑箱：1個(gè) ■ 練習(xí)用注射器：1支 ■ 說明書：1冊(cè) ■ 保修卡合格證：1張

化工、制藥、印染、造紙等行業(yè)廢水排放量大、污染物濃度高，并且這些重污染行業(yè)排放的廢水一般都含有難降解生物、甚至有毒害作用的污染物質(zhì)，常規(guī)的物化、生化處理工藝很難把這些行業(yè)的廢水處理到國(guó)家一級(jí)排放標(biāo)準(zhǔn)。為此，很多企業(yè)不得不通過稀釋手段來實(shí)現(xiàn)COD達(dá)標(biāo)排放的目標(biāo)。但是，隨著節(jié)能減排計(jì)劃的實(shí)施，各地都加大了對(duì)COD總量的控制力度。同時(shí)，地方政府也給企業(yè)下達(dá)了COD減排任務(wù)。此外，一些地方政府還頒布了高于國(guó)家廢水排放標(biāo)準(zhǔn)的地方標(biāo)準(zhǔn)。為了完成COD減排任務(wù)或達(dá)到更加嚴(yán)格的廢水排放標(biāo)準(zhǔn)，大部分企業(yè)都必須對(duì)現(xiàn)有污水處理設(shè)施進(jìn)行技術(shù)改造。華東理工大學(xué)環(huán)境工程研究所針對(duì)化工、制藥、印染、造紙等行業(yè)廢水的特點(diǎn)，研究開發(fā)了多項(xiàng)難降解有機(jī)廢水處理技術(shù)，包括各種預(yù)處理技術(shù)、生物處理技術(shù)、深度處理技術(shù)，及多項(xiàng)處理技術(shù)的組合與集成。目前，這些技術(shù)已成功應(yīng)用于多個(gè)化工、精細(xì)化工、制藥企業(yè)的廢水改造工程或新建工程，為這些企業(yè)解決了高COD、高鹽分、高氨氮廢水處理的難題，使企業(yè)在較低的成本下實(shí)現(xiàn)了達(dá)標(biāo)排放的目的，并超額完成了COD減排任務(wù)。（1）處理有機(jī)廢水的BCB組合工藝，授權(quán)發(fā)明專利，專利號(hào)：ZL200510024414.6（2）一種氧化反應(yīng)催化劑可循環(huán)使用的廢水處理方法，授權(quán)發(fā)明專利，專利號(hào)：ZL200610030562.6

提出了基于表面等離激元和碳納米管的三維光電混合集成系統(tǒng)，該系統(tǒng)與現(xiàn)有的COMS制備工藝兼容，可以實(shí)現(xiàn)光子學(xué)和電子學(xué)的三維集成和互聯(lián)，為解決集成電路的速度瓶頸提供了一種方法。他們演示了幾種集成回路，包括在片光操控回路、波長(zhǎng)和偏振復(fù)用回路和具有COMS信號(hào)處理電路的集成模塊。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 這種三維集成系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)包括：1. 使用低溫COMS兼容制備工藝，可以在單片集成回路中集成光子學(xué)模塊、電子學(xué)信號(hào)處理系統(tǒng)和存儲(chǔ)系統(tǒng)；2. 利用具有原子厚度的碳納米管材料以及金屬工藝，使得光子學(xué)集成和電子學(xué)集成在材料上兼容；3. 基于表面等離激元使得光子學(xué)器件尺度可以和電子學(xué)器件尺度相近，便于集成；4. 碳納米管的工作波段可以覆蓋整個(gè)通訊波段，這是硅材料無法做到的；5. 光電探測(cè)器工作于光伏模式，可以減小能耗。該工作是首次利用原子厚度材料實(shí)現(xiàn)三維光電混合集成，可以實(shí)現(xiàn)更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同時(shí)，有可能解決電子學(xué)集成回路在速度上的瓶頸。

項(xiàng)目采用了中山大學(xué)自主研發(fā)的低損耗低應(yīng)力超低溫氮化硅材料平臺(tái)，研制了一系列光子集成的關(guān)鍵 器件

近年來，隨著市場(chǎng)對(duì)油品質(zhì)量要求的提高和原油質(zhì)量的下降，國(guó)內(nèi)煉化企業(yè)對(duì)加氫工藝逐步重視。對(duì)油品的深加工已從原有的脫碳型逐步轉(zhuǎn)向加氫型，加氫工藝逐漸已經(jīng)成為主流的深加工工藝。企業(yè)內(nèi)氫氣資源的供需矛盾日益突出。隨著氫氣資源的緊張和價(jià)格的攀升，采用先進(jìn)的優(yōu)化技術(shù)對(duì)煉化企業(yè)的氫氣系統(tǒng)進(jìn)行優(yōu)化，最大限度地合理利用氫氣資源已經(jīng)成為提高企業(yè)效益，節(jié)能降耗的重要途徑之一。 本項(xiàng)目目的在于為煉化企業(yè)氫氣系統(tǒng)提供系統(tǒng)分析和優(yōu)化集成的方案。根據(jù)用氫裝置實(shí)際需求的氫氣壓力和氫氣純度確定和設(shè)置氫氣梯級(jí)分配網(wǎng)絡(luò)的中間等級(jí)，提高氫氣分配網(wǎng)絡(luò)的可拓展性和操作柔性，使氫氣分配網(wǎng)絡(luò)中局部用氫裝置的增減和操作變動(dòng)不改變氫氣分配網(wǎng)絡(luò)的整體結(jié)構(gòu)和操作特性。

本項(xiàng)目針對(duì)工程機(jī)械行業(yè)開展逆向物流的瓶頸約束問題，對(duì)工程機(jī)械產(chǎn)品 回收體系及其逆向物流關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行重點(diǎn)研究，為回收體系的高效運(yùn)作提供基 礎(chǔ)數(shù)據(jù)；為回收產(chǎn)品的物流流向提供決策依據(jù)；為逆向物流網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)化設(shè)計(jì)和 運(yùn)行提供決策支持；在此基礎(chǔ)上，建立與企業(yè)現(xiàn)有信息平臺(tái)有效集成和融合的 逆向物流信息平臺(tái)；同時(shí)，結(jié)合具體企業(yè)開展實(shí)踐，為工程機(jī)械回收產(chǎn)品逆向 物流技術(shù)的應(yīng)用和示范提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。