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XM-525喉、氣管、支氣管及肺段支氣管解剖模型 ? XM-525喉、氣管、支氣管及肺段支氣管解剖模型由喉正中矢狀切面、喉連氣管組成，并顯示氣管、左右主支氣管、肺段支氣管等結構。 尺寸：35×17.5×7cm 材質：PVC材料

XM-FQA腹部移動性濁音叩診與腹腔穿刺訓練模型 ? 一、功能特點： ■ XM-FQA腹部移動性濁音叩診與腹腔穿刺訓練模型采用高分子材料制成，體表標志明顯，膚質仿真度高。 ■ 模擬人取平臥位，質地柔軟，觸感真實，外觀形象逼真。 ■ 解剖標志準確：胸骨柄上緣、髂前上棘等可明顯觸知，便于穿刺定位。 ■ 功能實驗臺可操作仿真病人模擬左、右側臥位，進行腹部移動性濁音叩診訓練。 ■ 功能實驗臺可操作仿真病人取斜坡臥位或左側臥位，進行腹腔穿刺，進針有落空感，穿刺成功可抽出模擬腹腔積液。 ■ 同一部位可反復穿刺。 ■ 穿刺部位模塊可更換。 ? 二、標準配置： ■ 腹腔穿刺模擬人：1具 ■ 功能實驗臺：1張 ■ 穿刺針：1根 ■ 說明書：1冊 ■ 保修卡合格證：1張

XM-149B足骨、脛腓骨、股骨附髖骨帶韌帶模型 ? XM-149B足骨、脛腓骨、股骨附髖骨帶韌帶模型由人體全部下肢骨和髖骨及關節韌帶串制而成，顯示正常人體下肢骨的組成和形態結構以及所附的三大功能性關節及韌帶。 尺寸：自然大 材質：PVC材料

基于CMOS工藝，設計了大量射頻、毫米波收發機和頻率源芯片； CMOS 90nm 60GHz 接收機芯片，集成片上天線，傳輸效率優于IBM芯片90%； CMOS 90nm 21dBm 60GHz功率放大器，性能優于Hittite商用GaAs芯片； CMOS 60GHz 移相器芯片，為開發毫米波相控陣芯片奠定良好基礎；

本實用新型公開了用于集成電路的靜電放電觸發電路，通過在電路中設置由 NOMS  晶體管和 PMOS  晶體管組成的反相器、 BigFET  晶體管、低閾值電壓 NMOS  晶體管使電路實現釋放靜電放電電流（ ESD ）的功能，且在電路中采用 NMOS  晶體管代替傳統的電容器，在能夠有效的釋放靜電放電（ ESD ）電流的同時，避免使用比較大的電阻和電容而帶來的浪費芯片面積的問題。同時采用低閾值 MOS  管，使 BigFET  柵上的電荷快速泄放干凈，沒有漏電產生。

本項目研究集 成了柑桔、㈱猴桃、番茄冷鏈物流保鮮關鍵技術5套；制訂技術標準、規程5項; 冷鏈物流全程智能化監控系統1套。在重慶柑橘主產區奉節、萬州、江津、開 縣等產區建立了多個示范點；建成節能保鮮示范庫3座，冷鏈物流示范線2條， 商品處理生產線2條。指導中、晩熟柑桔貯藏2. 2萬噸，輻射推廣柑桔貯藏13. 6 萬噸；奧林達夏橙、鮑威爾臍橙、塔羅科血橙等晩熟柑桔冷鏈貯運保鮮效果達 到90天，腐爛率5%左右，果實品質好、貨架期可達30天；每噸晩熟柑桔物流保 鮮后增值800-1000元。狒猴桃冷鏈物流保鮮技術指導生產應用11萬噸，保鮮 期可達150-180天，果實腐爛率低于10%,每噸果實可增值1000-1500元。

隨著支配半導體技術數十年的摩爾定律日益接近其發展極限，多種功能器件集成被認為是超越摩爾定律延續集成電路發展進程的重要途徑之一，這就需要能夠滿足多種功能器件高密度集成的制造技術。多元兼容集成制造技術就是為此而開發的，該技術通過在更大范圍內優選結構/功能材料組合，開發異質集成制造工藝，大大拓展了功能微器件創新設計和制造的騰挪空間。經過多年探索，目前已形成了涵蓋金屬、聚合物、陶瓷、復合材料的MEMS異質異構制造技術體系，并在多種類型功能器件研發中發揮了關鍵作用，初步展現了其基礎性支撐作用，相關技術獲得2016年度上海市技術發明一等獎。 微系統集成發展趨勢 多元兼容集成制造技術  獲獎情況 上海市技術發明一等獎2016年團隊獲獎 國家技術發明二等獎2008年 上海市技術發明一等獎2007年 超薄超快高熱流密度微通道散熱器 上海交通大學團隊在長期研究經驗和技術積累基礎上，創造性地提出了不同高熱導率材料組合構造的復合結構微通道散熱器設計方案，并基于多元兼容集成制造技術完成了多種尺寸樣品研制，其中，熱源面積與常用功率芯片尺度相當的超薄散熱器冷卻能力達到800W/cm2以上，在保留傳統微通道散熱器良好系統兼容性和適用性的基礎上達到了相當高的散熱能力水平，為解決高功率芯片系統超高熱流密度散熱問題提供了一個深具可行性的解決方案。 高溫薄膜溫度傳感器研究  發動機燃燒室等極端惡劣環境下（高溫、強振動、強腐蝕等）的工作參數現場監測對傳感器技術是嚴峻挑戰，國內外研究廣泛。交大團隊基于特種材料微納集成制造技術的長期積累，在高溫絕緣薄膜材料、多層薄膜應力調控、曲面圖形化和高溫敏感介質等技術上取得了一定突破，成功開發了多種可與現場結構共型的高溫薄膜傳感器，具有體積小、環境擾動小、響應快、靈敏度高、可分布式安置等優點，該團隊已經掌握了溫度、應力/應變、熱流等多種高溫狀態參數測量技術，適用溫度在800-1300℃之間。 薄膜絕緣電阻隨溫度的變化及測試結構 高溫薄膜溫度傳感器制造及曲面圖形化技術 薄膜溫度傳感器在發動機不同部位測溫需求 無線溫度傳感器測溫系統 高性能轉接板 基于轉接板的多芯片封裝是2.5D高密度集成最具可行性的方案之一。但是傳統的硅轉接板性價比不高，阻礙了廣泛應用。上海交大團隊基于非硅微加工技術的長期積累，突破了硅轉接板絕緣層完整性和再分布層熱隔離的難題，成功研制了漏電流極低的低成本高性能硅轉接板。此外，還開發了復合材料非硅轉接板，TCV陶瓷轉接板，TGV玻璃轉接板等各種三維封裝基板，實驗室能夠針對不同類型器件三維高密度封裝的具體要求，定制開發不同功能的專用轉接板，為多功能、高密度、高功率、低成本封裝提供個性化解決方案。 TSV-3D 高密度封裝概念圖  金屬-聚合物-納米復合材料非硅基轉接板實物圖片

智能交通系統已經成為交通運輸發展的重要支撐。2000 年左右我國正式從國家層面開展相關研究及示范工程，智能交通系統的發展已經成為各級交通相關部門的共識。 清華大學自 1996 年開展智能交通系統的研究及系統設計、開發工作，內容涵蓋交通信 號控制系統、交通信息平臺、指揮調度系統、應急交通指揮等方面，形成了一系列具有自主知識產權的理論與技術應用成果，其中包括智能交通系統規劃與系統設計成套理論與技術、 智能交通控制系統、交通信息平臺軟件、交通安全輔助決策支持系統、交通信息社會化服務 系統等，獲得軟件著作權 8 項、發明專利 5 項。本技術可以為智能交通系統的發展提供良好的支撐，通過系統設計實施可以有效節省投資資金，同時可提高城市交通運行效率，提高平均通行速度 5~10%，降低事故發生率 5~10%。 4 合作方式

在光通信傳輸過程中，發射端將電信號轉換成光信號，然后調制到激光器發出激光束，通過光纖傳遞，在接收端接收到光信號后再將其轉化為電信號，經調制解調后變為信息，而光電芯片所起到的作用就是，實現電信號和光信號之間的相互轉換，是光電技術產品的核心，處于光通信領域的金字塔尖。

項目成果/簡介:隨著支配半導體技術數十年的摩爾定律日益接近其發展極限，多種功能器件集成被認為是超越摩爾定律延續集成電路發展進程的重要途徑之一，這就需要能夠滿足多種功能器件高密度集成的制造技術。多元兼容集成制造技術就是為此而開發的，該技術通過在更大范圍內優選結構/功能材料組合，開發異質集成制造工藝，大大拓展了功能微器件創新設計和制造的騰挪空間。經過多年探索，目前已形成了涵蓋金屬、聚合物、陶瓷、復合材料的MEMS異質異構制造技術體系，并在多種類型功能器件研發中發揮了關鍵作用，初步展現了其基礎性支撐作用，相關技術獲得2016年度上海市技術發明一等獎。微系統集成發展趨勢多元兼容集成制造技術 獲獎情況上海市技術發明一等獎2016年團隊獲獎國家技術發明二等獎2008年上海市技術發明一等獎2007年超薄超快高熱流密度微通道散熱器上海交通大學團隊在長期研究經驗和技術積累基礎上，創造性地提出了不同高熱導率材料組合構造的復合結構微通道散熱器設計方案，并基于多元兼容集成制造技術完成了多種尺寸樣品研制，其中，熱源面積與常用功率芯片尺度相當的超薄散熱器冷卻能力達到800W/cm2以上，在保留傳統微通道散熱器良好系統兼容性和適用性的基礎上達到了相當高的散熱能力水平，為解決高功率芯片系統超高熱流密度散熱問題提供了一個深具可行性的解決方案。高溫薄膜溫度傳感器研究 發動機燃燒室等極端惡劣環境下（高溫、強振動、強腐蝕等）的工作參數現場監測對傳感器技術是嚴峻挑戰，國內外研究廣泛。交大團隊基于特種材料微納集成制造技術的長期積累，在高溫絕緣薄膜材料、多層薄膜應力調控、曲面圖形化和高溫敏感介質等技術上取得了一定突破，成功開發了多種可與現場結構共型的高溫薄膜傳感器，具有體積小、環境擾動小、響應快、靈敏度高、可分布式安置等優點，該團隊已經掌握了溫度、應力/應變、熱流等多種高溫狀態參數測量技術，適用溫度在800-1300℃之間。薄膜絕緣電阻隨溫度的變化及測試結構高溫薄膜溫度傳感器制造及曲面圖形化技術薄膜溫度傳感器在發動機不同部位測溫需求無線溫度傳感器測溫系統高性能轉接板基于轉接板的多芯片封裝是2.5D高密度集成最具可行性的方案之一。但是傳統的硅轉接板性價比不高，阻礙了廣泛應用。上海交大團隊基于非硅微加工技術的長期積累，突破了硅轉接板絕緣層完整性和再分布層熱隔離的難題，成功研制了漏電流極低的低成本高性能硅轉接板。此外，還開發了復合材料非硅轉接板，TCV陶瓷轉接板，TGV玻璃轉接板等各種三維封裝基板，實驗室能夠針對不同類型器件三維高密度封裝的具體要求，定制開發不同功能的專用轉接板，為多功能、高密度、高功率、低成本封裝提供個性化解決方案。TSV-3D 高密度封裝概念圖 金屬-聚合物-納米復合材料非硅基轉接板實物圖片知識產權類型:發明專利 、 軟件著作權 、 集成電路布圖設計技術先進程度:達到國內領先水平成果獲得方式:獨立研究獲得政府支持情況:國家級