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一種基于免疫遺傳算法的模塊化多電平變換器的調(diào)制方法
本發(fā)明涉及一種基于免疫遺傳算法的模塊化多電平變換器的調(diào)制方法，對模塊化多電平變換器的優(yōu)化控 制方面的問題進(jìn)行研究，優(yōu)化目標(biāo)為模塊化多電平變換器的輸出電流波形最優(yōu)，本發(fā)明結(jié)合模塊化多電平變 換器的結(jié)構(gòu)特點和輸出特性，采用各相上橋臂投入子模塊的數(shù)目表示工作狀態(tài)，對模塊化多電平的工作狀態(tài) 進(jìn)行優(yōu)化，通過編碼操作，注入疫苗，親和度計算，濃度計算，免疫選擇，交叉操作，變異操作，倒位操作， 經(jīng)過多次迭代收斂后得到優(yōu)化后的模塊化多電平變換器的輸出電壓階梯波。
武漢大學(xué)
2021-04-14
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低含量界面相誘導(dǎo)形成三相共連續(xù)三元共混物及其制備方法
本發(fā)明公開了低含量界面相誘導(dǎo)形成三相共連續(xù)三元共混物及其制備方法，所述共混物是由40vol％～45vol％的聚偏氟乙烯，40vol％～55vol％的高密度聚乙烯和聚苯乙烯經(jīng)熔融共混制備得到，其中界面相聚苯乙烯的用量不超過20vol％。本發(fā)明還提供了所述低含量界面相誘導(dǎo)形成三相共連續(xù)三元共混物的制備方法。本發(fā)明加工過程操作簡單、成本低廉。相比二元聚偏氟乙烯/聚苯乙烯共混物，本發(fā)明所述三元共混物能夠在聚苯乙烯含量很低的情況下形成連續(xù)相結(jié)構(gòu)，這樣的結(jié)構(gòu)拓寬了共混物在低含量下的連續(xù)相結(jié)構(gòu)應(yīng)用以及其潛在的功能化結(jié)構(gòu)設(shè)計。
四川大學(xué)
2016-09-29
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一種基于附加交變電壓的無氣隙傳感器電磁吸力懸浮控制方法
"本發(fā)明公開了一種基于附加交變電壓的無氣隙傳感器電磁吸力懸浮控制方法，采用在懸浮電磁鐵線圈閉環(huán)控制電壓中摻雜具有一定特征的交變電壓，施加在懸浮電磁鐵線圈，在線圈中得到含有相同特征的分量的電流，根據(jù)輸入摻雜的特征交變電壓和線圈電流中具有相同特征的電流分量辨識出懸浮電磁鐵線圈電感，通過電感得到懸浮電磁鐵氣隙，使用此氣隙值進(jìn)行閉環(huán)控制。由于不采用氣隙傳感器，可以大大簡化系統(tǒng)，通過附加線圈得到的電感可以反映真實的懸浮氣隙，本發(fā)明可以降低磁浮列車系統(tǒng)軌道精度要求，也不會由于氣隙傳感器的測量不準(zhǔn)確導(dǎo)致系統(tǒng)控制不穩(wěn)定，可以比較好的解決磁浮列車過軌縫、齒槽效應(yīng)等問題，具有可靠性高、成本低，安全可靠等優(yōu)點。 "
西南交通大學(xué)
2016-07-05
大學(xué)（北京）.jpg){kind=logo}
一種利用縱橫波波阻抗增量比識別天然氣水合物的方法，
眾所周知，BSR是識別水合物的主要標(biāo)志。但世界各地鉆探結(jié)果表明，沒有BSR的地方也可能有水合物。BSR不是識別水合物的充分必要標(biāo)志。高速特征也是人們用來識別水合物的標(biāo)志。但很多非水合物的地質(zhì)因素也能夠使地層的速度增大。本專利成果提出了一種排他的識別水合物的有效方法。該方法能夠區(qū)分水合物和非水合物因素引起的高速特征。從而，大大提高水合物識別的可靠性。
中國地質(zhì)大學(xué)（北京）
2021-04-14
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原位懸浮聚合一步法合成的彩色聚苯乙烯粒子制備方法
1、成果簡介： 可發(fā)性聚苯乙烯（EPS）因其優(yōu)異特性以及質(zhì)輕價廉等優(yōu)點，在許多領(lǐng)域得到了廣泛使用。功能性EPS在建筑保溫、包裝、電子電器產(chǎn)品和車輛裝飾等領(lǐng)域更備受青睞。特別是國家提倡節(jié)能減排、要求建筑節(jié)能50%-65%以來，以及各地的"暖房子"工程相繼實施，低導(dǎo)熱系數(shù)EPS的制備成為EPS行業(yè)研究的熱點。 德國巴斯夫和韓國錦湖相繼推出了低導(dǎo)熱系數(shù)黑色石墨EPS（G-EPS），但其合成工藝對外保密，以此控制低導(dǎo)熱系數(shù)G-EPS市場。而我國G-EPS的制備還是空白，因此在該技
吉林大學(xué)
2021-04-14
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一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發(fā)明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種加速基于 XOR 的 RAID-6 編解碼過程的方程并行計算方法
本發(fā)明公開了一種加速基于 XOR 的 RAID-6 編解碼過程的方程 并行計算方法：將基于 XOR 的 RAID-6 編碼的校驗規(guī)則用校驗方程組 表示，把每個校驗方程在編解碼過程中的求解分解為兩個階段——“預(yù) 計算階段”以及“遞歸求解階段”；每個校驗方程由一個獨立的線程 實施求解，多個校驗方程的預(yù)計算階段被并行執(zhí)行；使用一個全局共 享的數(shù)據(jù)塊狀態(tài)表記錄數(shù)據(jù)塊的狀態(tài)以協(xié)調(diào)所有線程的執(zhí)行。本發(fā)明 方法利用編碼的潛在并行能
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種適用于增材制造的自支撐網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化設(shè)計方法
本發(fā)明屬于結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開了一種適用于 增材制造的自支撐網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化設(shè)計方法，其包括以下步驟：(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實體材 料的密度分布，同時得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場；(2)構(gòu)建基 于參數(shù)化水平集方法的優(yōu)化模型，在宏觀材料布局優(yōu)化的基礎(chǔ)上，針 對不同的中間密度單元進(jìn)行微結(jié)構(gòu)構(gòu)型拓?fù)鋬?yōu)化，并輸出最優(yōu)細(xì)觀微 結(jié)構(gòu)構(gòu)型。上述方法將支撐結(jié)構(gòu)與所設(shè)計結(jié)構(gòu)自身相結(jié)合，融合了宏 觀材料布局優(yōu)化及細(xì)觀微結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化，避免了在增材制造成型
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發(fā)明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于真空吸鑄的非晶合金微細(xì)零件的制備方法及裝置
本發(fā)明公開了一種非晶合金微細(xì)零件的制備方法，包括：將非晶合金所需的各種純金屬按比例配制成非晶合金原材料，并置于所述真空電弧吸鑄爐的真空熔腔內(nèi)；準(zhǔn)備用于制備非晶合金微細(xì)零件的硅模具，將該硅模具置于內(nèi)部型腔為通孔的銅模具中，并將所述銅模具置于真空電弧吸鑄爐的下型腔中；將真空熔腔抽真空并充入保護(hù)氣，對非晶合金原材料進(jìn)行熔煉，并通過降低銅模具內(nèi)的氣壓使熔煉后的非晶合金熔液通過所述通孔由真空熔腔吸入硅模具內(nèi)；脫模即可得到非晶合金微細(xì)零件。本發(fā)明還公開一種非晶合金微細(xì)零件的制備裝置。本發(fā)明采用真空吸鑄，克服了非
華中科技大學(xué)
2021-04-14