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一種多源異構(gòu)在線社會網(wǎng)絡(luò)中網(wǎng)絡(luò)主體之間社會關(guān)系的預(yù)測方 法與系統(tǒng)
本發(fā)明的主要工作是基于多源異構(gòu)網(wǎng)絡(luò)推斷主體(用戶)之間的社 會關(guān)系(包括同類型之間或不同類型之間的主體關(guān)系，本發(fā)明中只以用 戶為例)的方法，異構(gòu)網(wǎng)絡(luò)是指網(wǎng)絡(luò)中主體類型多種或者主體之間的關(guān) 系類型多種，關(guān)系可以分為好友和其他兩種。主要內(nèi)容包括在兩個(例 如 Twitter 網(wǎng)絡(luò)、通訊網(wǎng)絡(luò))異構(gòu)網(wǎng)絡(luò)中，兩個網(wǎng)絡(luò)的主體類型都包含有 用戶，但不同網(wǎng)絡(luò)中主體之間的關(guān)系鏈接類型是不同的在 Twitter 網(wǎng)絡(luò) 中用戶之間的關(guān)系是
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種鈣鈦礦太陽能電池用導(dǎo)電碳漿、碳對電極、電池及制備方 法
本發(fā)明公開了一種鈣鈦礦太陽能電池用導(dǎo)電碳漿，其包括有機(jī) 溶劑、粘結(jié)劑和導(dǎo)電填料，還包括無機(jī)添加劑，所述無機(jī)添加劑為 ZrO2 或 NiO 粉末，所述粘結(jié)劑占導(dǎo)電碳漿質(zhì)量百分比為 6％～15％，所述 導(dǎo)電填料占導(dǎo)電碳漿質(zhì)量百分比為 14％～20％，所述無機(jī)添加劑占導(dǎo) 電碳漿質(zhì)量百分比為 3％～5％。還公開了一種鈣鈦礦太陽能電池用碳 對電極，采用如上所述的導(dǎo)電碳漿以絲網(wǎng)印刷方式制備獲得。并公開 了一種鈣鈦礦太陽能電池，包括如上所述的碳對電極。還公開了一種 制備上述導(dǎo)電碳漿的方法。本發(fā)明導(dǎo)電碳漿不僅不會腐
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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采用離子輻照增強(qiáng)PtPb/Pt二維納米片電化學(xué)催化活性的實(shí)驗(yàn)成果
采用核技術(shù)方法，利用高能離子束輻照，對PtPb/Pt二維納米片進(jìn)行了原子尺度結(jié)構(gòu)調(diào)控和修飾，極大地提高了納米片的催化活性。在線輻照和原位透射電子顯微鏡（TEM）結(jié)果表明：通過入射高能離子與納米片中靶原子相互作用，精確地控制納米片微觀結(jié)構(gòu)的變化，利用鍵長變化和電子軌道雜化等機(jī)制來修飾表面原子的電子結(jié)構(gòu)，從而增加催化反應(yīng)活性位點(diǎn)，增強(qiáng)催化性能。同時，通過調(diào)節(jié)入射離子的劑量大小，可以有效地控制缺陷產(chǎn)生的數(shù)量及演化，得到具有不同催化活性的PtPb/Pt二維納米片材料。
北京大學(xué)
2021-04-11
業(yè)大學(xué).jpg){kind=logo}
一種基于多肽模板合成二氧化錳納米片的方法及其應(yīng)用
本發(fā)明涉及納米材料、催化及分析化學(xué)領(lǐng)域，具體包括一種基于多肽作生物模板合成二氧化錳納米片的制備方法及其在催化及分析化學(xué)方面的應(yīng)用。該方法利用多肽的納米結(jié)構(gòu)特征及其官能團(tuán)的性質(zhì)，將多肽與二價錳離子混合，加入氫氧化鈉后常溫反應(yīng)以使二氧化錳納米片在多肽的穩(wěn)定下生成。該材料具有仿酶催化特性，使其在分析化學(xué)、環(huán)境工程和催化領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。該方法以生物材料為模板，制備工藝簡單，反應(yīng)條件溫和環(huán)保，納米結(jié)構(gòu)易控。
青島農(nóng)業(yè)大學(xué)
2021-04-13
一種五軸加工軌跡中刀具圓環(huán)體向三角片的邊投影的算法
本發(fā)明屬于銑削加工相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開了一種五軸加工軌 跡中刀具圓環(huán)體向三角片的邊投影的算法，其包括以下步驟:(1)判斷 刀具圓環(huán)體向三角片的邊投影的特殊情況，若存在特殊情況，則轉(zhuǎn)至 步驟(5)，否則轉(zhuǎn)至步驟(2);(2)根據(jù)第一幾何約束條件來確定初始迭代 角度;(3)基于第二幾何約束條件及第三幾何約束條件來計(jì)算及離散初 始迭代角度區(qū)域，以確定較優(yōu)初始迭代角度;(4)基于第二幾何約束條 件及第三幾何約束條件，采用割線法搜索最優(yōu)角度，若成功則轉(zhuǎn)至步 驟(5)，否則結(jié)束;(5)依據(jù)搜索到的所述最優(yōu)角度計(jì)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
DT640硅二極管溫度傳感器低溫溫度測量裸片溫度計(jì)
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢。
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特點(diǎn)：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達(dá)：75V；
※ 損壞前電流高達(dá)：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-01-21
藥大學(xué).jpg){kind=logo}
麥門冬湯與千金葦莖湯合方的正丁醇萃取物在制備抑制A549細(xì)胞增殖藥物中的應(yīng)用
【發(fā) 明 人】唐于平；張旭；周宇輝；蔣明；馬健；段金廒；姜淼；王明艷；詹瑧；李文琳；李偉東；鄭璐玉；孫怡；熊飛；湯琳【技術(shù)領(lǐng)域】本發(fā)明涉及一種中藥提取物及其應(yīng)用，具體涉及麥門冬湯與千金葦莖湯合方的正丁醇萃取物在制備抑制A549 細(xì)胞增殖藥物中的應(yīng)用。【摘要】本發(fā)明公開了一種麥門冬湯與千金葦莖湯合方的正丁醇萃取物，在制備抑制肺腺癌細(xì)胞A549增殖藥物中的應(yīng)用。本發(fā)明的麥門冬湯與千金葦莖湯合方的正丁醇萃取物能夠顯著抑制肺腺癌細(xì)胞A549的生長，并對人體正常細(xì)胞無顯著影響。提示該提取部位具有細(xì)胞毒作用，可以進(jìn)一步分離篩選抑制肺腺癌細(xì)胞A549增殖的組分及單體化合物。
南京中醫(yī)藥大學(xué)
2021-04-13
一種具備三維多孔結(jié)構(gòu)的納米二氧化鈦-石墨烯復(fù)合材料制備方 法及其產(chǎn)品
本發(fā)明公開了一種用于制備納米二氧化鈦-石墨烯復(fù)合材料的方 法，包括：（a）向濃度為 1-4mg/mL 的氧化石墨烯溶液中加入二氧化 鈦納米顆粒，其中氧化石墨烯與二氧化鈦之間的重量比控制為 10:1～ 1:10，并獲得分散液；（b）將所獲得的分散液置入反應(yīng)釜中，在120-200℃ 的條件下執(zhí)行水熱反應(yīng) 2-12 小時，然后經(jīng)過冷凍干燥處理即得到具備 三維多孔結(jié)構(gòu)的納米二氧化鈦-石墨烯復(fù)合材料產(chǎn)品。本發(fā)明還公開了
華中科技大學(xué)
2021-01-12
DT640-BC型裸片溫度計(jì)硅二極管低溫溫度傳感器錦正茂科技
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢。
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特點(diǎn)：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達(dá)：75V；
※ 損壞前電流高達(dá)：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-11-17
科技部部長陰和俊：加快建立健全新型舉國體制 科技部重點(diǎn)推進(jìn)三方面工作
3月5日，十四屆全國人大二次會議首場“部長通道”開啟，科技部部長陰和俊圍繞科技如何支撐高質(zhì)量發(fā)展，怎樣支持青年人才挑大梁等話題答疑解惑。
科技日報
2024-03-05