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微波毫米波大功率計(jì)主要完成微波/毫米波領(lǐng)域大功率測(cè)試，是監(jiān)測(cè)微波毫米波器件性能的關(guān)鍵測(cè)試儀器/設(shè)備。 團(tuán)隊(duì)研制的微波/毫米波大功率計(jì)可以完成平均功率20kW以上電磁波能量的測(cè)定。

微波毫米波大功率計(jì)主要完成微波/毫米波領(lǐng)域大功率測(cè)試，是監(jiān)測(cè)微波毫米波器件性能的關(guān)鍵測(cè)試儀器/設(shè)備。

高速大功率電機(jī)主要應(yīng)用于空氣壓縮機(jī)、制冷機(jī)、鼓風(fēng)機(jī)、MVR 蒸發(fā)器(Mechanical Vapor Recompression) 和燃?xì)庥酂岚l(fā)電等領(lǐng)域，由于采用“電機(jī)-葉輪”直驅(qū)結(jié)構(gòu)，省去了傳統(tǒng)的增速箱等中間傳動(dòng)環(huán)節(jié)，相比于“電動(dòng)機(jī)-增速箱-葉輪”結(jié)構(gòu)，具有結(jié)構(gòu)緊湊、振動(dòng)噪聲小、傳動(dòng)效率高、易于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)速等優(yōu)點(diǎn)。液體靜壓（電）主軸主要應(yīng)用于高速精密磨床領(lǐng)域，如軸承磨床、外圓磨床、內(nèi)圓磨床、平面磨床、凸輪軸磨床、曲軸磨床、立式磨床等。其主要特點(diǎn)在于高速度、高精度、高剛性，支撐磨床實(shí)現(xiàn)高效精密加工。

氦氖激光器是應(yīng)用最為廣泛的一種氣體激光器件，目前已有很多品種規(guī)格，滿足不同用途的需要。大功率氦氖激光器是指輸出功率大于5毫瓦的器件，可用于激光全息攝影、喇曼光譜、射散研究、激光通訊和激光印刷等方面，產(chǎn)品具有結(jié)構(gòu)緊湊、單模輸出、功率大、壽命長(zhǎng)、穩(wěn)定性好、線偏振和防震性好等特點(diǎn)。

在主軸結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制造、內(nèi)裝電機(jī)設(shè)計(jì)與制造、潤(rùn) 滑理論與軸承技術(shù)、軸承轉(zhuǎn)子系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)、動(dòng)平衡 理論與應(yīng)用、主軸熱穩(wěn)定性分析與溫升抑制、主軸 精密裝配與檢測(cè)等方面，擁有雄厚的技術(shù)積累和強(qiáng) 大的創(chuàng)新研發(fā)能力，可以按照客戶個(gè)性化要求，實(shí) 現(xiàn)電主軸的定制化設(shè)計(jì)與制造，高速、高效、最大 限度地滿足客戶需求。服務(wù)項(xiàng)目 機(jī)械主軸、高速磨削電主軸、銑削電主軸、車銑復(fù)合電主軸等設(shè)計(jì)與制造。

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種大功率LED照明燈具，包括散熱銅基板、蓋板和透鏡，其特征在于：還包括覆銅板、LED芯片和散熱鰭片，在散熱銅基板上側(cè)開(kāi)設(shè)有圓形凹槽，在圓形凹槽中橫向設(shè)置有覆銅板，在覆銅板內(nèi)部對(duì)稱設(shè)置有兩個(gè)LED芯片，兩個(gè)LED芯片內(nèi)部通過(guò)金線連接導(dǎo)通，兩個(gè)LED芯片的正負(fù)極分別與導(dǎo)線相連接，在兩個(gè)LED芯片上方分別豎向安裝有光學(xué)罩，在圓形凹槽的上方設(shè)置有將凹槽整個(gè)罩住的透鏡，透鏡的邊緣處用蓋板壓緊固定，所述散熱銅基板下側(cè)安裝有多層散熱鰭片。本實(shí)用新型解決了現(xiàn)有技術(shù)中LED照明燈具散熱和密封效果較差的問(wèn)題，提供了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，具有較好散熱密封效果，且不易破裂損害的大功率LED照明燈具。

1. 痛點(diǎn)問(wèn)題 功率半導(dǎo)體是支撐能源領(lǐng)域發(fā)展的核心部件。為實(shí)現(xiàn)3060雙碳目標(biāo)，我國(guó)正在超常規(guī)推動(dòng)新能源發(fā)電、大容量輸配電和電氣化交通等領(lǐng)域，對(duì)電壓等級(jí)4.5kV以上的功率器件需求急速增長(zhǎng)。提高器件電壓和容量可以減少器件串并聯(lián)數(shù)量、縮減裝備體積和成本，是解決城市用地緊張、降低海上風(fēng)電平臺(tái)建設(shè)成本的關(guān)鍵。然而，受工作機(jī)理和制備工藝限制，IGBT器件最大功率等級(jí)為4.5kV/3kA和6.5kV/0.75kA，已接近瓶頸，無(wú)法滿足能源發(fā)展需求。因此，亟需更高電壓、更大容量、更高可靠性和更低制造成本的功率半導(dǎo)體器件解決方案。 2020年，中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)2000億元，但90%以上依賴進(jìn)口，尤其是4.5kV以上器件，近乎全部進(jìn)口。亟需尋求自主可控的功率半導(dǎo)體器件國(guó)產(chǎn)替代方案。 2. 解決方案 本技術(shù)面向新能源發(fā)電和輸配電領(lǐng)域大容量、高可靠的需求，提出了自主化IGCT器件（集成門極換流晶閘管）的設(shè)計(jì)、制備和驅(qū)動(dòng)控制方案，可以提高阻斷電壓和關(guān)斷電流能力、降低器件運(yùn)行損耗，且可以結(jié)合應(yīng)用工況開(kāi)展定制優(yōu)化，如改善器件防爆特性、解決高壓裝置中的驅(qū)動(dòng)供電問(wèn)題等，從而實(shí)現(xiàn)大容量、高可靠、低成本、高效率的能量管理和功率變換。 目前團(tuán)隊(duì)已研制出4.5kV/5kA和6.5kV/4kA的IGCT器件，功率等級(jí)全面覆蓋IGBT，且具有向更大容量發(fā)展的潛力。與IGBT、MOSFET等晶體管器件相比，本技術(shù)提出的IGCT具有通態(tài)損耗低、耐受電壓高、可靠性高、抗干擾能力強(qiáng)等突出優(yōu)勢(shì)，符合能源發(fā)展趨勢(shì)，且制造工藝沿用基本沿用傳統(tǒng)的晶閘管路線，制造成本低，國(guó)內(nèi)工藝基礎(chǔ)好。

研究?jī)?nèi)容及用途： 超級(jí)電容器是一種大功率密度 （> 1 kW/kg ）的新型 能 量 存儲(chǔ) 裝 置 。 電 化 學(xué) 超 級(jí) 電 容 器 (Electrochemical Supercapacitor or Ultracapacitor) 通常由兩個(gè)電極組成，中間充有電解質(zhì)，并由可允許離子導(dǎo) 電的隔膜分開(kāi)。電極與電解質(zhì)界面存在雙電層電容，當(dāng)電極采用大表面， 多孔材料時(shí)，其電容值可達(dá)幾百法拉第每克 (> 10

本發(fā)明所設(shè)計(jì)的交直流電機(jī)及其控制器的額定電流和額定功率沒(méi)有上限，電 流越大，控制器成本優(yōu)勢(shì)越明顯。結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，性能可靠，安全性高。在重型電動(dòng)設(shè)備如電動(dòng)汽車、電動(dòng)卡車、電氣化列車、電動(dòng)船、中央空調(diào)、 高速電梯，甚至國(guó)防上的電動(dòng)戰(zhàn)車、電動(dòng)軍艦和電動(dòng)航空母艦等應(yīng)用前景廣闊。1

最大輸出功率: 55kW；額定交流輸出功率: 50kW；額定電網(wǎng)電壓: 三相三線，270/315Vac（±10%）；最大輸出交流電流: 118A；電網(wǎng)頻率范圍: 47-52Hz；電網(wǎng)電流諧波畸變率: <3%。