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本發明公開了一種巰基改性磁性 MOFs 吸附劑及其方法和應用，其制備方法包括如下步驟:(1)采件溫和，成本低廉、操作簡便;本發明制備的磁性 MOFs 吸附劑對水體中金屬離子的去除具有吸附速度 快、吸附容量大、選擇性好等優勢。

包括以下步驟：（1）加熱改性瀝青使之軟化融熔，加熱溫度為 100～130℃；（2）將融熔的改性瀝青在室溫中自然稍冷卻 5～10min；（3）將稍冷卻后的改性瀝青攪拌均勻并倒于圓柱形器皿中，瀝青高于器皿口邊緣處；（4）將裝有瀝青試樣的圓柱形器皿水平放置于-25--30℃的環境中，放置時間 3-5h；（5）取出試樣，觀測試樣表面是否平整；（6）將表面平整的試樣器皿在室溫中水平放置 2h，自然脫水后進行圖片拍攝；將表面不平整的試樣器皿用小刀將表面刮平，使之具有良好的平整度，放回-25--30℃的環境中繼續

本發明公開了一種基于改性高嶺土的燃煤超細顆粒物控制方法，包括以下步驟：1)制備改性高嶺土粉末添加劑；2)將改性高嶺土粉末添加劑與煤粉按質量比為 3：100～5：100 的比例送入磨煤機中進行混合；3)將混有改性高嶺土粉末添加劑的煤粉送入爐膛燃燒，通過改性高嶺土添加劑捕獲煤粉燃燒產生的超細顆粒物，改性高嶺土粉末添加劑與超細顆粒物結合形成的顆粒通過煙道后被除塵裝置捕獲。本發明的改性高嶺土粉末添加劑相對于改性前的高嶺土而言

針對天然生漆成膜速度慢、成膜條件對溫濕度苛刻、耐老化性能差和脆性大的問題，以環氧生漆作為復合涂料基質，將納米氧化鋁和纖維素納米纖維作為增強劑，采用共混法與表面化學改性等技術制備了兩種改性生漆納米復合涂料，大大提高了生漆耐老化性、耐紫外線性、防潮性和力學性能，改善其柔韌性。 對于納米氧化鋁復合涂膜，總體來說，加入適量的改性納米氧化鋁的確使漆酚的性能更加優良，以達到保護木材表面的目的。在此次研究中，隨著漆膜中納米氧化鋁含量增加，復合涂膜的硬度和抗沖擊強度逐漸增加，同時漆膜的干燥時間越來越短，透光率逐漸減小，疏水性越來越強。但納米氧化鋁的量加入過多，則易在漆膜表面發生團聚現象，反而會影響復合涂膜的性能，影響其對木材的保護作用。加入纖維素納米纖維有助于增強漆膜如抗沖擊強度、內部致密性等部分性能，以達到有效防止木材表面劃傷、改善木材各向異性的目的；但 CNF 本質較軟，加入過多會給復合涂膜帶來硬度降低等缺陷，這反而不利于復合涂膜保護木材表面。 分析生漆與改性漆和木材的結合機理，通過紫外老化實驗，揭示改性漆的老化機制和對木材抗紫外老化的作用。復合涂膜宏觀表面透亮光滑，微觀表面平整，微觀截面呈層狀交織結構，木材表面光澤度得到提升，木材紫外抗老化性能得到有效提升。納米氧化鋁復合膜隨納米氧化鋁含量的增加，拉伸強度和斷裂伸長率減小，改性后隨著改性基含量的增加，木材表面磨損率逐漸降低，其中納米 氧化鋁改性后磨損率最低，耐磨性能最優。納米纖維素復合膜拉伸強度和斷裂伸長率隨著 CNF 含量的增加先增加后減小，涂敷納米纖維素復合膜后木材吸濕系數及吸濕尺寸變化率最低。 項目發表了研究論文“一種生物基納米復合膜的光譜學特性研究”，發明專利“一種基于生物酶預處理木質材料的方法”和調查報告“改性生漆基納米復合涂料的制備及對木材性能影響的研究”。

可以量產/n該成果公開了一種用于太陽能電池背板的改性聚丙烯組合物，它由以下重量配比的成分組成：聚丙烯：40～80％；聚酰胺：5～30％；聚烯烴彈性體：2～15％；引發劑：0.1～1.0％；接枝單體：0.5～5.0％；增強填料：0～30％；添加劑：0～5％。本發明提供的組合物具有優良的耐低溫沖擊性和耐老化性能，同時具有低飽和吸水率、低水蒸氣透過率以及優異的電絕緣性，可用于制造太陽能背板。

（專利號：ZL 201410635501.7） 簡介：本發明公開了一種尖晶石型錳酸鋰正極材料的摻雜改性方法，屬于納米技術領域。該方法主要包括：將鋰離子、摻雜離子的鹽溶液分別加入到檸檬酸溶液中，調pH值，加入乙二醇，加熱攪拌，形成溶膠；將四氧化三錳粉體與上述溶膠混合、球磨；球磨產物經微波脫水及隨后的熱處理，制得摻雜的尖晶石錳酸鋰正極材料。本發明制得的摻雜錳酸鋰正極材料的比容量大，倍率性能好，循環性能優異，同時本發明的工藝簡單、成本低廉、效率

本發明公開了一種海洋防污涂料用有機硅季銨鹽改性聚氨酯樹脂的制備方法，該方法首先由1,3-雙[3-(1-甲氧基-2-羥基丙氧基)丙基]-四甲基二硅氧烷、γ-氯丙基甲基二甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、去離子水和十二烷基二甲基叔胺制備雙羥基封端有機硅季銨鹽，然后將制備的雙羥基封端有機硅季銨鹽、聚醚多元醇與二異氰酸酯在溶劑中混合并加入固化劑制備海洋防污涂料用有機硅季銨鹽改性聚氨酯樹脂；本發明制備的有機硅季銨鹽改性聚氨酯樹脂結合了低表面能與毒殺的雙重效果，用作海洋防污涂料成膜物質，不僅可以抑制海洋生物的吸附，還能通過季銨鹽殺死吸附在船體表面的細菌。

本項目針對礦井瓦斯爆炸早期探測與抑制的技術難題，采用實驗與光譜分析方法，得到了瓦斯爆炸感應器內自由基變化的光學特征及其辨識方法，并以此為基礎，利用量子化學軟件分析瓦斯爆炸微觀動力學過程，得出了瓦斯爆炸感應器內的關鍵基元反應、自由基和其圍觀動力學參數，以及微觀反應與宏觀現象的關系，為瓦斯爆炸抑爆技術提供理論支持，受到國內相關研究人員的普遍認可。項目成果在國內外重要期刊發表學術論文13篇（9篇已刊出，4篇已錄用），其中SCI源刊1篇，EI源刊5篇（2篇已收錄），CA收錄2篇，CSCD收錄及中文核心期刊5篇，完成碩士學位論文2篇。

我校物理與材料科學學院新組建的天體物理團隊，與中國科學院國家天文臺合作，在太陽暗條感應爆發研究領域取得新進展。 太陽暗條是懸浮于太陽高溫稀薄大氣中冷而密的等離子體。暗條爆發是觸發太陽耀斑和日冕物質拋射等嚴重影響近地空間環境太陽爆發事件的重要誘因。多個暗條間的感應爆發是一種常見的暗條爆發形式，但是，由于高質量觀測數據積累有限等客觀條件的限制，對于此類暗條爆發完整過程的觀測報道較為罕見，因此，相應的物理圖像也難以獲得直接的觀測證據支持。近期，安徽大學物理與材料科學學院天體物理團隊張軍、宋志平、汪鵬和中國科學院國家天文臺侯義軍、李婷等人綜合利用空基和地基太陽觀測數據，并借助非線性無力場外推方法，對一個典型暗條感應爆發事件的完整物理過程進行了詳細研究。從感應爆發發生前的磁場位型、發生時的觀測特征和發生后的磁場重構等角度構建一個完備的演化證據鏈條，揭示了暗條感應爆發過程的完整物理圖像，并指出發生在兩個暗條上覆磁場間的外部磁重聯及其造成的上覆磁場重構觸發了暗條間的感應爆發。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統（如圖1所示），可實現電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯均流實驗系統 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯均流實驗系統（如圖3所示），平臺具有靈活調節IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態電流分布影響規律的研究，以及瞬態電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環測試，最多可實現12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現漏電流和閾值電壓的實時在線監測，最多可實現32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯多芯片電流及結溫測量方法及實現 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態監測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。