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一種通過用膠帶預處理基底來氣相沉積生長單層MoS 2 枝晶的方法，有意在初始成核階段和/或生長過程中引入孿晶缺陷，實現單層MoS 2 樹枝晶的形貌調控。所得的MoS 2 晶體具有六次對稱的骨架，分枝數可調。其形狀的演化過程是由膠黏劑種子誘導的雙晶缺陷形核和局部硫/鉬源蒸氣比的協同效應所引起的。此外，由于硫空位的富集，極大地增強了循環孿晶區的光致發光效率。該工作為合成可控形狀的單層MoS 2 提供了一種簡便有效的策略，同時也為理解孿晶缺陷的生長機制以及在其電催化和光電催化等領域的應用做出了貢獻。

化學化工學院婁永兵教授課題組在國際頂級期刊《ACS Nano》上發表題為“MoS2-Stratified CdS-Cu2?xS Core?Shell Nanorods for Highly Efficient Photocatalytic Hydrogen Production”（二硫化鉬層化硫化鎘?硫

 從元素在地殼中的豐度，毒性和價格方面介紹硫化物作為熱電材料的天然優勢；從熱電性能上分析了硫化物在熱穩定性，載流子濃度的可調控性等方面的劣勢；也總結了包括元素摻雜、微觀結構調控等優化硫化物熱電材料的方法；最后提出了硫化物潛在的研究方向和可能的優化硫化物熱電材料性能的新方法。

介紹了具有抑制鋰枝晶生長和多硫化鋰（Li 2

（專利號：ZL 201410557604.6） 簡介：本發明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的二硫化鎢(WS2)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術領域。該納米粉末材料為核殼結構，內核為WS2納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述WS2內核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發明采用等離子電弧放電法，將鎢粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極材料，

簡介：本發明公開了一種顯示中高牌號無取向硅鋼凝固枝晶組織的侵蝕劑及侵蝕方法，屬于金相檢驗分析技術領域。該侵蝕劑的成分及配比為：苦味酸1.5～2.0g，蒸餾水35～50ml，鹽酸0.4～0.6ml，無水氯化銅0.3～0.5g，十二烷基苯磺酸鈉0.5～1g。該侵蝕劑的侵蝕方法：先將已配好的侵蝕劑加熱至沸騰狀態，然后把已加工好的試樣拋光面朝下，懸置于侵蝕劑中，侵蝕時間8～15s；侵蝕結束后先對侵蝕表面進行清水沖刷和棉球擦拭處理；然后將試樣在拋光機1/2半徑處拋光5～10s。本發明侵蝕時間短，操作程序簡單；可快速觀察到中高牌號無取向硅鋼清晰的一次、二次凝固枝晶組織，從而能為優化其連鑄工藝，增加鑄坯等軸晶比例提供技術依據。  

（專利號：ZL 201410557617.3） 簡介：本發明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的二硫化鉬(MoS2)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術領域。該納米粉末材料為核殼結構，內核為MoS2納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述MoS2內核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發明采用等離子電弧放電法，將鉬粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極

單層半導體性過渡族金屬硫屬化合物（MX2: MoS2, WS2 等）是繼石墨烯之后備受關注的二維層狀材料。該類材料具有優異的電學性質、強的光物相互作用、高效的催化特性等，在光電子學器件、傳感器件、電催化產氫等領域具有非常廣闊的應用前景。單層MX2 材料的批量制備和高品質轉移是關鍵的科學問題。現有方法仍面臨著諸多重大挑戰，例如，難以實現晶圓尺寸的層數均勻性、單晶疇區小、生長速度緩慢、生長襯底價格昂貴、轉移過程復雜、容易引入污染物等。北京大學張艷鋒課題組是國內較早開展相關研究的課題組之一，在單層MX2材料的可控制備、精密表征和電催化產氫應用方面取得了一系列重要進展：基于范德華外延的機理，他們在晶格匹配的云母基底上首次獲得了厘米尺度均勻的單層MoS2 (Nano Lett. 13, 3870 (2013)，他引198次)； 在藍寶石上獲得了大疇區單層WS2 (ACS Nano 7, 8963 (2013), 他引250次)；發展了一種新型的金屬性箔材(Au箔)基底，實現了疇區尺寸可調單層MoS2的制備，借助STM/STS表征技術建立起了材料原子尺度的形貌/缺陷態、電子結構和電催化析氫之間的構效關系 (ACS Nano 8, 10196 (2014)，他引124次)。上述成果也受邀撰寫綜述文章(Chem. Soc. Rev. 44, 2587 (2015)，他引92次)。最近他們在大尺寸均勻MoS2的批量制備以及“綠色”轉移方面取得重要進展。他們選用廉價易得的普通玻璃作為基底，創新性地采用Mo箔作為金屬源(與S粉共同作為前驅體)，采用“face-to-face”的金屬前驅體供給方式，實現了前驅體在樣品上下游的均勻供應，使得樣品尺寸可以得到最大限度的放大(僅受限于爐體尺寸)，獲得了對角線長度可達6英寸的均勻單層MoS2; 結合DFT理論計算和系統的實驗結果發現，玻璃基底上微量的Na對材料生長起到明顯的促進作用, Na傾向于吸附在MoS2疇區的邊緣，起到顯著降低MoS2拼接生長能壘的作用，從而促進其快速生長。 獲取滿覆蓋單層樣品的生長時間僅為8 min，單晶疇區邊緣尺寸可達0.5 mm。此外，他們利用玻璃基底的親水特性，發展了一種無刻蝕的、僅利用超純水輔助的“綠色”轉移方法。該方法適用于晶圓尺寸樣品的快速轉移，且具有操作簡單，轉移樣品質量高等明顯優勢。該工作提出了利用廉價的普通玻璃基底來制備大面積、晶圓尺寸均勻、大疇區單層MoS2的新方法/新途徑，并深入分析了其生長機制，為相關二維材料的批量制備和高效轉移提供了重要的實驗依據，對于推動該類材料的實際應用具有非常重要的意義。

三維（3D）親鋰集流體可以調節鋰金屬負極中鋰枝晶生長，然而目前大部分集流體的親鋰層在高溫環境下使用熔融法預儲存鋰時面臨著熔化或脫落的挑戰。針對該問題，鄧永紅研究團隊通過簡單的去合金法制備了一種帶有親鋰鋅位點的3D多孔CuZn合金集流體。由于親鋰鋅位點以量子點的形式存在于CuZn合金中，熔融法預鋰化時親鋰鋅位點不僅不會融化與脫落，反而由于鋅對鋰具有強

晶硅太陽電池生產仿真實訓讓學員以車間技術人員的身份參與整條晶硅太陽電池產線的生產工作。學員可以按標準生產流程操作車間生產設備、檢測生產樣品以及對電池生產進行工藝仿真，從而深刻了解整個太陽電池生產流程以及關鍵工藝參數。 一.1.1. 場景設計 場景由制絨車間、擴散車間、后清洗車間、PECVD鍍膜車間、絲網印刷車間和分選包裝車間六大場景組成。場景素材從多個真實工廠采集而來，高保真還原車間設備與生產流程 場景模型主要包括：潔凈車間、制絨機、自動上下料機、硅片、電子天平、分光光度計、電源柜、水冷機、空壓機、化學液柜、電腦，鍵盤、鼠標、擴散爐、石英舟、插片房、傳遞窗、純水箱、石英舟清洗槽、防毒面具、試驗臺、緩沖墊、防化服、源瓶、氣柜、硅槳、方阻測試儀，萬用表，石墨舟、PECVD鍍膜機、舟車、烘箱、全自動絲網印刷機、網版、刮刀、攪拌機、槳料、夾具、接觸電阻測試儀、燒結爐、IV分選儀、硅片盒、五格花藍等... 一.1.2. 互動設計 第一人稱視角控制主角場景漫游，學員可以在三維空間中自由活動和觀察場景中的物體。 拾取物體操作采用3D空間實際抓取的方式，沒有采用一般游戲中的背包欄方式，而當需要同時拾取多個物體時則提供3維工具用于裝放，采取這種方式會更加接近現實，使學員更真實的體驗實際工具的存放及使用的技巧。 各生產車間按照真實生產流程設計實訓生產任務，完成當前任務后才能進入下一個任務，每個任務記錄完成時間以及工藝仿真結果 縮略地圖實時顯示角色位置與任務點位置 第一人稱視角與特寫觀察視角無縫平滑撤換 機器與設置仿真控制，通過機器控制面板設置工藝參數，控制啟動生產，檢測生產結果 表單填寫與作業報告生成 使用儀器與設備檢測生產樣品 操作規程與關鍵知識點主動提示學習 原理動畫演示