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本發明公開了一種基于平面顯示器的懸浮式360°光場三維顯示裝置，包括：依次放置的平面顯示器陣列、第一透鏡組陣列、第二透鏡與散射屏，其中平面顯示器陣列由若干平面顯示器拼接而成，每個平面顯示器用于顯示三維對象一周360°各子圖像的其中一部分，即一個子圖像序列，平面顯示器陣列顯示的圖像序列中各子圖像、第一透鏡組陣列中各第一透鏡組以及觀察區的各視點一一對應。觀察者在一個視點只能看到一個子圖像。通過控制平面顯示器陣列顯示的子圖像個數、整個系統的光軸傾角、散射屏的散射角度等參數，使觀察者在觀察區內雙眼處于不同視點處，從而觀察到平面顯示器陣列上顯示的兩個不同子圖像而產生雙目視差，達到觀看立體三維場景的效果。

本發明公開了一種基于注入種子光的光學微腔光頻梳產生裝置 及產生方法，包括泵浦激光、第一光放大器、第一分束器、光纖環、 光濾波器、合束器和光學微腔；第一放大器的輸入端連接泵浦激光， 分束器的輸入端連接至第一放大器的輸出端；光纖環的一端連接至分 束器的第二輸出端，光濾波器的輸入端連接至光纖環的另一端，合束 器的第一輸入端連接至分束器的第一輸出端，合束器的第二輸入端連 接至光濾波器的輸出端，光學微腔的輸入端連接至所述合束器

我國是世界第一銅消費大國，但75%的銅資源依賴進口。開發高性能銅鋁復合材料，替代廣泛應用于信號傳輸、輸變電、儀器儀表等領域的純銅導體，對于推進以鋁節銅、緩解銅資源短缺具有重大意義。本成果發明了高性能銅包鋁材料的連鑄直接復合及加工成形短流程技術，研制了連鑄成形關鍵裝備，突破了雙金屬連鑄直接復合界面控制、雙金屬復合材料加工協調變形等關鍵技術，開發出高性能銅包鋁電力扁排、銅包鋁扁線和圓線等產品。本成果技術具有生產效率高、環境負荷低和成本低，可生產大斷面和異型斷面銅包鋁復合材料等特點。獲授權國家發明專利10項，已轉讓兩家企業實施，已建成年產千噸、三千噸、五千噸級銅包鋁復合材料生產線3條，可節銅70%以上，取得了顯著的經濟和社會效益。本成果專家鑒定意見認為：“…具有鮮明的獨創性和完全自主知識產權，整體處于國際領先水平，…”。獲2010年度教育部技術發明一等獎。

本發明公開了一種包覆超細粉體的原子層沉積方法與裝置，該方法的特征在于，在前驅體的吸附過程中引入了流化氣，利用流化氣吹散粉體，實現粉體的充分分散。該裝置包括反應腔體，供應系統，真空系統，加熱系統，監測系統和控制系統，其特征在于，供應系統包括流化氣源，流化氣通過流化氣輸送支路進入反應腔體，用于將粉體吹散到整個反應區域。本發明的方法與裝置能有效提高粉體包覆率與沉積均勻性，并使得在每次沉積過程中對大量粉體進行包覆成為可能，提高了粉體包覆的效率。

本發明公開了一種聚苯胺包覆的復合粉體及其制備方法。它包括三個部分,核心層為碳材料,夾心層為單質鐵納米微粒和氮化鐵,包覆層為聚苯胺薄膜。其合成步驟如下:將碳材料充分吸附硝酸鐵溶液,通過氫氣還原、氨化反應后分別包覆單質鐵微粒和氮化鐵保護層;最后采用原位聚合技術在產物外層包覆聚苯胺薄膜,得到聚苯胺包覆的復合粉體。該粉體兼具聚苯胺的導電性、抗腐蝕性、化學穩定性以及鐵磁性微粒的磁性和催化性能;其原材料來源廣泛,工藝流程簡單,在電磁波屏蔽與吸收、金屬防腐、難降解廢水處理、塑膠添加劑等領域具有廣泛的應用前景。

產品詳細介紹親和層析柱空柱管50ml，10套/包產品詳情：http://www.shhk.com.cn/product_detail-2726.htm本親和層析柱空柱管采用高純度聚丙烯材質(和各種常用的EP管材質相同)，對各種生物分子的吸附極低。其中的篩板采用高純度的超高分子量聚乙烯(UHWMPE)為原料經過特殊工藝加工而成，吸附低、不宜產生氣泡并具有良好的親水性，同時孔徑均勻(約50微米)，可以用于裝填鎳柱(Ni-NTA)、Protein A agarose、Protein G agarose、Protein A+G agarose等等各種常見親和層析介質，適用于含His-tag等不同標簽的蛋白、抗體、生物素或地高辛標記蛋白或核酸等各種適合親和層析的蛋白、核酸等物質的分離純化。 篩板的適當孔徑保證了在使用重力法進行親和層析操作時的流速約為1-2毫升每分鐘或1-2滴每秒；也可以在層析柱的下管口接蠕動泵以精確控制流速。通常把親和層析介質裝填在兩個篩板之間。親和層析柱空柱管50ml，10套/包：  公司網站：www.shhk.com.cn訂單郵箱：sales@shhk.com.cn咨詢電話：021-67652117，57602161QQ 在線：1152028600。大量供應：親和層析柱空柱管50ml，10套/包。

本發明公開了一種帶有多孔泡沫金屬換熱結構的太陽能光伏光熱集熱器，該集熱器采用上下雙冷卻通道結構，并結合多孔泡沫金屬層(6)進行換熱強化，降低了太陽能光伏元件的溫度，提高光伏元件發電效率，同時將太陽能光伏元件所產生的大量熱量及時傳遞給冷卻氣體，冷卻氣體從集熱器出氣口(11)排出后可以用于預熱、干燥或者室內供暖等用途。本發明所使用的泡沫金屬具有高熱導率及高比表面積，可以有效地改善傳統太陽能光伏光熱集熱器的冷卻效率，并且采用下進上出的流式，使得換熱過程接近逆流換熱，換熱效率達到最高。

主要作了以下幾方面探索： 在低維納米結構的合成、納米光電器件制造與性能分析方面有良好的研究基礎。在納米光電器件方面，長期從事納米光電器件的研究與開發，已經成功地合成了一系列納米結構以及它們異質和復合納米結構，如TiO2、ZnO、ZnS、ZnS/ZnO 等，并在此基礎上制造了基于單個納米結構的光電器件，測試了其性能。其中發表在國際頂尖一區期刊《Advanced Materials》上的論文被美國加州大學、中科院重點實驗室、澳大利亞昆士蘭大學等相關課題組報道，被《Nature Communications》、 《Advanced Materials》、《Advanced Function Materials》、《Scientific Reports》等國際著名刊物引用達 123 次；發表在國際頂尖一區期刊《Advanced FunctionMaterials》上的論文被北京大學、清華大學、香港理工大學、臺灣國立大學、新加坡南洋理工大學、日本東北大學、美國華盛頓大學等國際名校相關課題組報道，被《Advanced Materials》、《Advanced FunctionMaterials》、《Scientific Reports》、《Energy & Environmental Science》等國際著名刊物引用達 62 次。 在YBa2Cu3O7-δ/ La1-xCaxMnO3氧化物超導與鐵磁雙層結構中，觀察到磁相關的近鄰和耦合效應。證明了超導層中的邁斯納電流與磁層耦合提供的磁場之間存在的相互作用，并明確了來自于超導層的空穴電荷傳輸到反鐵磁層內，使得在靠近超導層的反鐵磁薄層內電荷的重新分布，進而發生了鐵磁性轉變的物理機制。在錳氧化物和銅氧化物組成的鐵磁/超導/鐵磁/反鐵磁異質結中觀察到大的負磁阻峰，這是在接近超導轉變溫度附近的混合態所具有的獨特現象，是自旋相關的界面散射的實驗證據；另外，我們還發現該類氧化物鐵磁/超導異質結中系統發現磁阻峰即隨溫度變化，其磁阻峰發生正、負性逆轉的奇特效應，這是YBa2Cu3O7-δ正磁阻和La0.7Sr0.3MnO3負磁阻相互競爭的結果。其次，利用飛秒激光泵浦探測技術對YBCO/LCMO 異質結進行了泵浦探測，觀測了低溫下鐵磁序和超導序的競爭情況，為進一步研究 YBCO/LCMO 的近鄰效應打下了基礎。 在 具 有 不 同YSZ(yttria-stabilized zirconia) 摻 雜 量 的YBCO/YSZ 準多層膜中觀察到 YSZ 摻雜薄膜發生了化學反應，導致了具有納米數量級鈣鈦礦異質相BaZrO3粒子的形成。BaZrO3粒子的形成促使了晶格的不匹配以致沉積中形成了c-軸關聯的缺陷。角度相關的J c (H,T)在 H//c區域附近出現的二次峰揭示了c-軸關聯缺陷的存在。基于各向異性磁通釘扎理論，我們分離了各向同性釘扎和各向異性釘扎對臨界電流密度的貢獻。分析表明所研究的準多層膜中產生了各向異性的缺陷，由此形成強釘扎中心，使得準多層膜在高場下仍具有較高的臨界電流密度。 應用唯象含時Ginzburg-Landau 理論并使用有限元方法研究了二維、三維介觀超導體的渦旋態性質。對于具有不同形狀和不同方向外場作用下的介觀超導體中觀察到了渦旋管交叉纏繞現象。其次，通過對電流驅使下的含弱連接的介觀超導帶的分析，觀察到了介觀超導帶磁化強度隨時間的周期性變化。另外,在我們所研究的小超導環中出現了穩定多渦旋態。隨著內半徑的增長,我們發現了穩定基態的(l:L)和(2:L)多渦旋態現象。 該項目已獲上海市自然基金項目立項支持。

本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬

本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬