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成果簡(jiǎn)介隨著現(xiàn)代傳感技術(shù)、 嵌入式系統(tǒng)技術(shù)、 通信技術(shù)等快速發(fā)展和融合應(yīng)用， 遠(yuǎn)程監(jiān)控在數(shù)據(jù)采集， 傳輸， 處理等關(guān)鍵技術(shù)上均獲得了較大發(fā)展。 本項(xiàng)目正是應(yīng)用了這些技術(shù)， 實(shí)現(xiàn)了太陽能大型集熱水箱的遠(yuǎn)程監(jiān)控。 本項(xiàng)目主要任務(wù)是遠(yuǎn)程監(jiān)測(cè)太陽能大型集熱水箱的水位、 水溫和流量； 讓用戶能通過無線網(wǎng)絡(luò)接收到太陽能大型集熱水箱的水位、 水溫和流量信息； 并通過無線網(wǎng)絡(luò)遠(yuǎn)程控制其水溫，譬如無日照時(shí)的電加熱。成熟程度和所需建設(shè)條件本項(xiàng)目產(chǎn)品已完成試制， 并成功應(yīng)用在蕪湖

本發(fā)明公開了一種鹽差能發(fā)電裝置，包括：滲透裝置，其包括由多個(gè)滲透膜元件并聯(lián)而成用以將濃鹽水和海水分成高濃度側(cè)和低濃度側(cè)的滲透級(jí)；水輪機(jī)，其與滲透裝置的高濃度側(cè)對(duì)應(yīng)，通過聯(lián)軸器與發(fā)動(dòng)機(jī)連接，用以驅(qū)動(dòng)發(fā)電機(jī)工作；在滲透級(jí)的高濃度側(cè)和低濃度側(cè)分別通入濃鹽水和海水后，滲透級(jí)可將滲透壓差轉(zhuǎn)變成高濃度側(cè)流體靜壓，并利用在該滲透級(jí)施加的相應(yīng)大小的背壓，即可驅(qū)動(dòng)各水輪機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)進(jìn)而驅(qū)動(dòng)發(fā)電機(jī)工作。本裝置利用海水作為濃度低的給水側(cè)，

該工作首次將有機(jī)太陽能電池領(lǐng)域中兩個(gè)功能性最強(qiáng)、應(yīng)用最廣泛的拉電子基團(tuán)氟原子和酯基同時(shí)引入到了單噻吩的 β

該工作設(shè)計(jì)和合成了高性能p-型高分子半導(dǎo)體的新構(gòu)建單體，開發(fā)了適用于綠色溶劑加工的高性能高分子給體半導(dǎo)體材料，并取得了大于1.0伏的開路電壓值。該工作為發(fā)展高效、低能量損失、可綠色溶劑加工的有機(jī)太陽能電池提供了新的材料體系。

本發(fā)明提供一種聚能抽水裝置，包括多組 η 形管道、注水倉(cāng)、注水管道、負(fù)壓管道、抽水管道和密 封水箱，注水倉(cāng)通過水泵管道與位于上游水源中的注水水泵相連通;多組 η 形管道頂部分別通過設(shè)有注 水管道閥門的注水管道與水源倉(cāng)相連通;多組 η 形管道頂部通過設(shè)有負(fù)壓管道閥門的負(fù)壓管道與密封水 箱相連通;密封水箱側(cè)部通過設(shè)有抽水管道閥門的抽水管道與下

本項(xiàng)目采用隧道結(jié)技術(shù)實(shí)現(xiàn)疊層太陽能電池的制備，擴(kuò)展電池的光譜收集范圍，提高電池的轉(zhuǎn)換效率。 一、項(xiàng)目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、成果簡(jiǎn)介 太陽能是大自然賜予人類最清潔，最豐富的能源資源，目前商用的太陽能電池以晶體硅電池為主，由于晶體硅消耗硅料較多，近年來人們一直致力于開發(fā)硅薄膜電池。非晶硅薄膜電池已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化生產(chǎn)并有了一定的市場(chǎng)份額，但它仍存在不足之處，包括光致衰減效應(yīng)和轉(zhuǎn)換效率不高(約6％)等。本項(xiàng)目在國(guó)家863計(jì)劃課題(2006AA03Z219)支持下，開展了以多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和納米晶薄膜的制備和相關(guān)材料的單結(jié)與疊層硅基太陽能電池關(guān)鍵技術(shù)研究，已經(jīng)申請(qǐng)發(fā)明專利5項(xiàng)，發(fā)表科研論文20余篇。 三、創(chuàng)新點(diǎn)以及主要技術(shù)指標(biāo) 1.利用LPCVD方法和自擴(kuò)散技術(shù)生長(zhǎng)多晶硅p-n結(jié)，結(jié)合層轉(zhuǎn)移技術(shù)制備多晶硅薄膜太陽能電池； 2．采用金屬誘導(dǎo)晶化和快速熱處理技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)質(zhì)多晶硅薄膜的制備并在低溫下制備太陽能電池； 3.在PECVD和HWCVD生長(zhǎng)硅薄膜時(shí)，通過生長(zhǎng)溫度，氣體流量，氫氣稀釋比，腔室氣壓等參數(shù)實(shí)現(xiàn)微晶硅或者納米晶薄膜的生長(zhǎng)； 4.采用雙層膜技術(shù)減小表面處入射光的反射并實(shí)現(xiàn)表面鈍化，提高入射光的收集率和少數(shù)載流子壽命； 5.采用高低結(jié)結(jié)構(gòu)增加光生載流子的收集效率； 6.采用隧道結(jié)技術(shù)實(shí)現(xiàn)疊層太陽能電池的制備，擴(kuò)展電池的光譜收集范圍，提高電池的轉(zhuǎn)換效率。 四、知識(shí)產(chǎn)權(quán)及獲獎(jiǎng) 國(guó)家863項(xiàng)目(2006AA03Z219)

針對(duì)磷酸鐵鋰鋰電正極材料存在的不足和制約磷酸鐵鋰產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一系列問題，本項(xiàng)目通過基于混合溶劑的液相合成方法，利用定向分子組裝技術(shù)，結(jié)合獨(dú)特的煅燒工藝構(gòu)建了具有三維（3D）導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的正極材料，從而制備出具有獨(dú)特晶體結(jié)構(gòu)、良好導(dǎo)電性、高離子遷移速率和高振實(shí)密度的新型改性磷酸鐵鋰鋰離子電池正極材料，同時(shí)通過先進(jìn)的回收利用技術(shù)實(shí)現(xiàn)了生產(chǎn)工藝的低成本、無污染。目前該制備工藝成功實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，首條自動(dòng)化高新能低成本磷酸鐵鋰生產(chǎn)線已經(jīng)建成并投入使用。 通過本項(xiàng)目的實(shí)施，達(dá)到了以下技術(shù)目標(biāo)： （1）基于混合溶劑的液相法制備工藝的設(shè)計(jì)，解決現(xiàn)有工藝存在的材料批次間一致性差的不足，實(shí)現(xiàn)批次間材料克容量變化＜2%； （2）構(gòu)建3D導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，從而解決制約LiFePO4大規(guī)模應(yīng)用的重大技術(shù)難題—材料導(dǎo)電性差的缺陷，將材料的電導(dǎo)率提高到10-2Scm-1； （3）將壓燒技術(shù)引入LiFePO4制備工藝，結(jié)合二次造粒粒徑控制技術(shù)得到尺寸均一的亞微米顆粒，將材料振實(shí)密度提高到1.2gcm-3； （4）以本項(xiàng)目研制的LiFePO4作為正極材料并采用改進(jìn)工藝裝配的鋰離子電池將達(dá)到如下性能指標(biāo)： ⅰ 0.1C比容量≥160mAhg-1，1C比容量≥140mAhg-1； ⅱ 循環(huán)充放電3000次，常溫放電容量高于80%； ⅲ 支持常溫50C以上倍率放電，-20℃環(huán)境支持20C以上倍率放電，-20℃環(huán)境放電容量不低于常溫放電容量的80%。 （5）創(chuàng)新反應(yīng)溶劑和反應(yīng)副產(chǎn)物的循環(huán)回收利用技術(shù)，實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)過程綠色化、低排放和原子經(jīng)濟(jì)性，與現(xiàn)有同類材料比較，生產(chǎn)成本降低30%以上。

我們開發(fā)成功的新型，高效，低成本的可見光響應(yīng)型太陽能電池，其發(fā)電原理完全不同于現(xiàn)在使用的硅太陽電池，以模擬植物的光合作用作為原理，也區(qū)別于現(xiàn)在研究的色素增感型太陽能電池，材料費(fèi)僅為非晶硅太陽能電池的十分之一，因此也叫做“光合成模擬型太陽能電池”。成功合成了在可見光領(lǐng)域動(dòng)作的氧化物半導(dǎo)體光催化劑，從根本上解決了可見光響應(yīng)型光電極材料。這一成果發(fā)表于《Nature》雜志，并開發(fā)出一系列新型光催化劑，在更寬的可見光領(lǐng)域（至600nm）有反應(yīng)，已申請(qǐng)了多項(xiàng)發(fā)明專利。該成果可解決偏遠(yuǎn)地區(qū)人民的照

南京大學(xué)通過承擔(dān)國(guó)家“863”計(jì)劃項(xiàng)目的研究，已經(jīng)掌握InN材料以及高In組分InGaN材料的生長(zhǎng)技術(shù)，研制的InN材料電子遷移率達(dá)到935cm2/v*s，達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。并且已經(jīng)取得了InGaN太陽能電池的制備技術(shù)。申請(qǐng)了多項(xiàng)國(guó)家發(fā)明專利。該太陽能電池采用In0.3Ga0.7N的薄膜材料，電極采用MSM結(jié)構(gòu)。從圖中可以看出，隨著外加偏壓的增大，電流響應(yīng)率也隨之逐漸增大。該電池的光電響應(yīng)率達(dá)到2100A/W（450nm，3V）。