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本發(fā)明公開了一種微流控芯片組件，包括微流控芯片以及罩蓋在微流控芯片上的蓋片，所述微流控芯片上設(shè)有中心加樣口、圍繞中心加樣口的若干周側(cè)加樣口以及將若干周側(cè)加樣口分別與中心加樣口導(dǎo)通的流道；所述蓋片上設(shè)有與所述中心加樣口和周側(cè)加樣口對(duì)應(yīng)的通孔；所述微流控芯片與罩蓋轉(zhuǎn)動(dòng)配合，所述蓋片具有保證微流控芯片上所有加樣口與所述通孔對(duì)應(yīng)導(dǎo)通的加樣工作位，以及封堵所有周側(cè)加樣口的封裝工作位；所述微流控芯片與蓋片之間設(shè)有撥片，該撥片用于在蓋片處于封裝工作位時(shí)遮蓋所述中心加樣口。本發(fā)明的微流控芯片組件整體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便，僅通過簡(jiǎn)單的旋轉(zhuǎn)即可實(shí)現(xiàn)微流控芯片工作狀態(tài)的切換，封裝和打開非常方便，實(shí)用性較強(qiáng)。

氮化硅陶瓷是一種耐高溫耐磨材料，廣泛用于冶金、化工、能源等領(lǐng)域，氮化硅粉是制備氮化硅的原材料。實(shí)驗(yàn)室提出了一種流態(tài)化直接氮化制備超細(xì)粉方法，可低成本生產(chǎn)晶相和非晶相氮化硅粉。

多相流數(shù)字全息顯示與測(cè)量?jī)x將光學(xué)全息干涉原理與數(shù)字圖像處理技 術(shù)相結(jié)合，利用CCD或CMOS器件代替全息記錄干板，對(duì)液液或氣液擴(kuò)散過 程依次記錄其一定時(shí)間間隔的多幅全息圖，再通過計(jì)算機(jī)數(shù)值計(jì)算來(lái)實(shí)現(xiàn) 待測(cè)液液或氣液擴(kuò)散過程的數(shù)值重建，獲得折射率實(shí)時(shí)變化參數(shù)并進(jìn)一 步得到擴(kuò)散參數(shù)。 該技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，獲實(shí)用新型專利1項(xiàng)。

流場(chǎng)數(shù)字全息顯示與測(cè)量?jī)x利用數(shù)字全息干涉技術(shù)和相位倍增技術(shù) 等，釆用馬赫曾德干涉光路使一束激光束照穿過待測(cè)量流場(chǎng)作為物光波 與另一束參考光束干涉形成全息圖，用CCD數(shù)字記錄全息圖并通過計(jì)算機(jī) 數(shù)值重建獲得物光波的相位變化以及待測(cè)量流場(chǎng)的折射率分布，進(jìn)而達(dá) 到流場(chǎng)顯示與測(cè)量的目的。該儀器具有非接觸、實(shí)時(shí)、全場(chǎng)、直觀等優(yōu) 點(diǎn)。 該技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，獲實(shí)用新型專利6項(xiàng)。

本實(shí)用新型提供一種流場(chǎng)實(shí)時(shí)精確測(cè)量系統(tǒng)，包括示蹤粒子發(fā)生器，用于產(chǎn)生示蹤粒子并釋放到待測(cè)流場(chǎng)；圖像處理子系統(tǒng)，包括激光發(fā)射單元和圖像采集單元，用于照亮示蹤粒子并且采集示蹤粒子圖像；PIV 測(cè)量子系統(tǒng)，用于接收示蹤粒子圖像數(shù)據(jù)，測(cè)量全流暢速度矢量，并按照流場(chǎng)情況調(diào)整采集圖像時(shí)間間隔和實(shí)現(xiàn)空間分辨率自適應(yīng)測(cè)量；示蹤粒子發(fā)生器設(shè)置在待測(cè)流場(chǎng)上游，圖像處理子系統(tǒng)采集流場(chǎng)中示蹤粒子圖像，傳遞給 PIV 測(cè)量子系統(tǒng)。本實(shí)用新型提供的流場(chǎng)實(shí)時(shí)精確測(cè)量系統(tǒng)，對(duì)于流速高，尤其是高超音速流場(chǎng)、變化劇烈的流場(chǎng)進(jìn)行實(shí)時(shí)測(cè)量

本成果是授權(quán)發(fā)明專利。成果將具有輸入輸出和中間處理的中間件單元與工作流過程中活動(dòng)結(jié)合起來(lái)，實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)過程的集成管理和不同系統(tǒng)之間的數(shù)據(jù)交換共享，提供了數(shù)據(jù)和流程兩類同時(shí)集成的有力工具，具有國(guó)際先進(jìn)水平

本發(fā)明公開了一種數(shù)據(jù)流跟蹤方法，包括三個(gè)階段：客戶操作 系統(tǒng)指令靜態(tài)反匯編，根據(jù)靜態(tài)的客戶機(jī) x86 指令生成對(duì)應(yīng)的污點(diǎn)傳 播指令，進(jìn)行污點(diǎn)數(shù)據(jù)傳播更新操作，對(duì)于在靜態(tài)反匯編時(shí)不能獲取 的內(nèi)存操作數(shù)物理地址，通過采用共享緩存的方式在動(dòng)態(tài)執(zhí)行過程中 獲取；編譯產(chǎn)生宿主機(jī)執(zhí)行代碼，根據(jù)上一階段的污點(diǎn)指令生成宿主 機(jī)上的可執(zhí)行代碼，以處理函數(shù)的形式進(jìn)行生成，方便下一階段的執(zhí) 行；開啟新的執(zhí)行線程，執(zhí)行污點(diǎn)指令，逐條取出污點(diǎn)

（1）軸流泵水力模型 基于葉柵理論、CFD 技術(shù)和模型試驗(yàn)方法研究變環(huán)量設(shè)計(jì)方法，建立多目標(biāo)、多工 況、多約束優(yōu)化模型，開發(fā)多組高效軸流泵葉輪模型。 軸流泵水力模型 （2）混流泵水力模型 基于理論分析、模型試驗(yàn)以及 CAD 和 CFD 技術(shù)的有機(jī)結(jié)合，應(yīng)用逆向求解設(shè)計(jì)

本發(fā)明公開了一種帶有多孔泡沫金屬換熱結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能光伏光熱集熱器，該集熱器采用上下雙冷卻通道結(jié)構(gòu)，并結(jié)合多孔泡沫金屬層(6)進(jìn)行換熱強(qiáng)化，降低了太陽(yáng)能光伏元件的溫度，提高光伏元件發(fā)電效率，同時(shí)將太陽(yáng)能光伏元件所產(chǎn)生的大量熱量及時(shí)傳遞給冷卻氣體，冷卻氣體從集熱器出氣口(11)排出后可以用于預(yù)熱、干燥或者室內(nèi)供暖等用途。本發(fā)明所使用的泡沫金屬具有高熱導(dǎo)率及高比表面積，可以有效地改善傳統(tǒng)太陽(yáng)能光伏光熱集熱器的冷卻效率，并且采用下進(jìn)上出的流式，使得換熱過程接近逆流換熱，換熱效率達(dá)到最高。

主要作了以下幾方面探索： 在低維納米結(jié)構(gòu)的合成、納米光電器件制造與性能分析方面有良好的研究基礎(chǔ)。在納米光電器件方面，長(zhǎng)期從事納米光電器件的研究與開發(fā)，已經(jīng)成功地合成了一系列納米結(jié)構(gòu)以及它們異質(zhì)和復(fù)合納米結(jié)構(gòu)，如TiO2、ZnO、ZnS、ZnS/ZnO 等，并在此基礎(chǔ)上制造了基于單個(gè)納米結(jié)構(gòu)的光電器件，測(cè)試了其性能。其中發(fā)表在國(guó)際頂尖一區(qū)期刊《Advanced Materials》上的論文被美國(guó)加州大學(xué)、中科院重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、澳大利亞昆士蘭大學(xué)等相關(guān)課題組報(bào)道，被《Nature Communications》、 《Advanced Materials》、《Advanced Function Materials》、《Scientific Reports》等國(guó)際著名刊物引用達(dá) 123 次；發(fā)表在國(guó)際頂尖一區(qū)期刊《Advanced FunctionMaterials》上的論文被北京大學(xué)、清華大學(xué)、香港理工大學(xué)、臺(tái)灣國(guó)立大學(xué)、新加坡南洋理工大學(xué)、日本東北大學(xué)、美國(guó)華盛頓大學(xué)等國(guó)際名校相關(guān)課題組報(bào)道，被《Advanced Materials》、《Advanced FunctionMaterials》、《Scientific Reports》、《Energy & Environmental Science》等國(guó)際著名刊物引用達(dá) 62 次。 在YBa2Cu3O7-δ/ La1-xCaxMnO3氧化物超導(dǎo)與鐵磁雙層結(jié)構(gòu)中，觀察到磁相關(guān)的近鄰和耦合效應(yīng)。證明了超導(dǎo)層中的邁斯納電流與磁層耦合提供的磁場(chǎng)之間存在的相互作用，并明確了來(lái)自于超導(dǎo)層的空穴電荷傳輸?shù)椒磋F磁層內(nèi)，使得在靠近超導(dǎo)層的反鐵磁薄層內(nèi)電荷的重新分布，進(jìn)而發(fā)生了鐵磁性轉(zhuǎn)變的物理機(jī)制。在錳氧化物和銅氧化物組成的鐵磁/超導(dǎo)/鐵磁/反鐵磁異質(zhì)結(jié)中觀察到大的負(fù)磁阻峰，這是在接近超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度附近的混合態(tài)所具有的獨(dú)特現(xiàn)象，是自旋相關(guān)的界面散射的實(shí)驗(yàn)證據(jù)；另外，我們還發(fā)現(xiàn)該類氧化物鐵磁/超導(dǎo)異質(zhì)結(jié)中系統(tǒng)發(fā)現(xiàn)磁阻峰即隨溫度變化，其磁阻峰發(fā)生正、負(fù)性逆轉(zhuǎn)的奇特效應(yīng)，這是YBa2Cu3O7-δ正磁阻和La0.7Sr0.3MnO3負(fù)磁阻相互競(jìng)爭(zhēng)的結(jié)果。其次，利用飛秒激光泵浦探測(cè)技術(shù)對(duì)YBCO/LCMO 異質(zhì)結(jié)進(jìn)行了泵浦探測(cè)，觀測(cè)了低溫下鐵磁序和超導(dǎo)序的競(jìng)爭(zhēng)情況，為進(jìn)一步研究 YBCO/LCMO 的近鄰效應(yīng)打下了基礎(chǔ)。 在 具 有 不 同YSZ(yttria-stabilized zirconia) 摻 雜 量 的YBCO/YSZ 準(zhǔn)多層膜中觀察到 YSZ 摻雜薄膜發(fā)生了化學(xué)反應(yīng)，導(dǎo)致了具有納米數(shù)量級(jí)鈣鈦礦異質(zhì)相BaZrO3粒子的形成。BaZrO3粒子的形成促使了晶格的不匹配以致沉積中形成了c-軸關(guān)聯(lián)的缺陷。角度相關(guān)的J c (H,T)在 H//c區(qū)域附近出現(xiàn)的二次峰揭示了c-軸關(guān)聯(lián)缺陷的存在。基于各向異性磁通釘扎理論，我們分離了各向同性釘扎和各向異性釘扎對(duì)臨界電流密度的貢獻(xiàn)。分析表明所研究的準(zhǔn)多層膜中產(chǎn)生了各向異性的缺陷，由此形成強(qiáng)釘扎中心，使得準(zhǔn)多層膜在高場(chǎng)下仍具有較高的臨界電流密度。 應(yīng)用唯象含時(shí)Ginzburg-Landau 理論并使用有限元方法研究了二維、三維介觀超導(dǎo)體的渦旋態(tài)性質(zhì)。對(duì)于具有不同形狀和不同方向外場(chǎng)作用下的介觀超導(dǎo)體中觀察到了渦旋管交叉纏繞現(xiàn)象。其次，通過對(duì)電流驅(qū)使下的含弱連接的介觀超導(dǎo)帶的分析，觀察到了介觀超導(dǎo)帶磁化強(qiáng)度隨時(shí)間的周期性變化。另外,在我們所研究的小超導(dǎo)環(huán)中出現(xiàn)了穩(wěn)定多渦旋態(tài)。隨著內(nèi)半徑的增長(zhǎng),我們發(fā)現(xiàn)了穩(wěn)定基態(tài)的(l:L)和(2:L)多渦旋態(tài)現(xiàn)象。 該項(xiàng)目已獲上海市自然基金項(xiàng)目立項(xiàng)支持。