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磁流體熱磁對流在電子
器件
散熱中的應用
項目概況 針對小型化、集成化、高頻率和高運算速度的電子器件,應用磁流體的熱磁對流效應,把磁流體作為新一代高效傳熱冷卻技術用于高密度高功率電子器件設備中。 主要特點 1. 選擇合適的外加磁場和屏蔽技術。 2.溫度區內磁場梯度條件和粒子濃度的準確控制 3.磁流體微型熱管散熱過程的磁場的準確定位。 技術指標 建立適合電子器件密集環境下適用磁流體散熱技術及相應的磁場條件和屏蔽技術,提高了磁流體在磁場、熱場和重力場協同作用下的流動傳熱效果。促進節能環保技術的發展,達到節能減排的綠色材料應用。市場前景 目前該項目已通過現場的工業化證明,散熱效果好,能達到電子器件冷卻要求,滿足工業生產的需求,在生產過程中無污染,無三廢排放。該項目可應用于高密度、高功率電子器件密集環境下的散熱設備中,具有較好的經濟效益和社會效益。
南京工程學院
2021-04-11
基于超陡擺幅
器件
的極低功耗物聯網芯片
隨著集成電路的發展,功耗問題越來越成為制約的瓶頸問題。特別是在即將到來的萬物互聯智能時代,物聯網、生物醫療、可穿戴設備和人工智能等新興領域更加追求極低功耗,尤其是極低靜態功耗。面向未來龐大的物聯網節點應用的需求,極低功耗器件及其電路芯片受到越來越多的關注。受玻爾茲曼限制,傳統晶體管的亞閾擺幅存在理論極限,這一限制是阻礙器件功耗降低的關鍵因素,基于傳統CMOS晶體管的集成電路已經無法滿足物聯網節點等對極低功耗的需求。 本項目基于標準CMOS工藝研制新型超陡擺幅隧穿器件,并進一步研發具有極低功耗的物聯網節點芯片。新型超陡擺幅隧穿器件采用有別于傳統晶體管的量子帶帶隧穿機制,可突破亞閾擺幅極限,同時獲得比傳統晶體管低2個量級以上的關態電流性能,具備極其優越的低靜態功耗性能。通過超陡亞閾擺幅器件及電路技術的研究和突破,可促進我國物聯網芯片產業的發展,顯著提高物聯網節點的工作時間,具有重要的應用價值。
北京大學
2021-02-01
基于閃蒸噴霧的大功率電子
器件
冷卻系統
隨著電子技術的不斷發展,電子器件和芯片性能的提高帶來電路及其芯片的散熱問題日益突出。研究表明:電子器件工作溫度在70~80℃水平時,每增加1℃,其可靠性就降低5%。同時由于芯片的不斷集成化和微型化,導致散熱量的迅速增加,傳統的冷卻技術已經不能滿足散熱要求。本技術開發了一種制冷劑閃蒸噴霧高效冷卻循環系統,利用閃蒸霧化和相變傳熱技術,實現了低溫高效換熱,傳熱系數高達26533W/(m2·K),表面溫度在低于60攝氏度熱流密度即可超過100W/cm2(而常規水冷條件下元器件表面溫度超過150攝氏度)。
西安交通大學
2021-04-11
廢舊熒光
器件
稀土再生關鍵技術開發與應用
北京工業大學
2021-04-14
一種可重復利用柔性無機電致發光
器件
本發明公開了一種可重復利用柔性無機電致發光器件,從下至上依次包括印有圖文信息的塑料薄膜 層、不干膠層、透明電極層、發光層、絕緣層、背電極層;不干膠層通過滾涂方式粘附在透明電極層上; 透明電極層、發光層、絕緣層與背電極層通過絲網印刷方式緊密貼合在一起,塑料薄膜層與不干膠層可 反復剝離與粘結地貼合在一起。本發明所制得的柔性無機電致發光器件作為薄型燈箱的光源,可以通過 塑料薄膜層的反復剝離與粘結達到重復使用的目的,使圖文內容的更換更加方便容易,同時節
武漢大學
2021-04-14
基于新材料的新型真空電子
器件
的基礎研究
本項目研究了超材料的電磁特性、基于超材料的反向切倫科夫輻射、基于納米材料冷陰極的場發射特性以及它們在高效率、高功率和高頻率的真空電子器件中的應用。相關SCI論文共計153篇,SCIE數據庫中的他引次數為1058次,代表性論文被《自然-納米技術》、《物理評論快報》、《先進材料》等國際頂級期刊上發表的SCI論文他引157次。這些學術成果解決了真空電子器件所面臨的核心科學問題,在國際真空電子學領域產生了重大的影響。
電子科技大學
2021-04-14
一種可重復利用柔性有機電致發光
器件
本發明公開了一種可重復利用柔性有機電致發光器件,從下至上依次包括印有圖文信息的塑料薄膜 層、不干膠層、陽極層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和陰極層;所述的不干膠層通過滾涂方式粘 附在陽極層上;所述陽極層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和陰極層通過真空蒸鍍方式緊密貼合在 一起,所述的塑料薄膜層與不干膠層可反復剝離與粘結地貼合在一起。本發明所制得的柔性有機電致發 光器件作為薄型燈箱的光源,可以通過塑料薄膜層的反復剝離與粘結達到重復使用的目的,使圖
武漢大學
2021-04-14
中國科大在氧化鎵功率電子
器件
領域取得重要進展
課題組基于NiO生長工藝和異質PN的前期研究基礎(Weibing Hao, et.al., Applied Physics Letters, 118, 043501, 2021),設計了結終端擴展結構(Junction Termination Extension, JTE),并優化退火工藝,成功制備出耐高壓且耐高溫的氧化鎵異質結二極管。
中國科學技術大學
2022-06-02
高溫壓電振動能量回收
器件
和高溫驅動器
傳統PZT壓電陶瓷應用廣泛,但在居里溫度較低,環境溫度較高時,PZT陶瓷樣品極易退極化。隨著壓電材料的應用范圍的進一步拓展,一些極端條件對壓電陶瓷的應用提出了新的挑戰。北京大學工學院實驗室利用高居里點的鈧酸鉍 - 鈦酸鉛壓電陶瓷制備了基于 d31模式和d33模式的應用于高溫環境中的壓電振動能量回收器,器件可以穩定地工作在 150℃以上的高溫環境中。高溫下由于電疇被活化,器件的壓電系數和相應的輸出功率比室溫時提高一倍以上。 與壓電能量回收器不同的是,壓電驅動器是一種利用壓電效應,將電能轉化為機械能實現納米級驅動的器件,壓電驅動器利用壓電材料的準靜態逆壓電效應實現10微米至100微米的微小位移;同時,還可以利用壓電陶瓷的高溫諧振動效應制備高溫壓電馬達。
北京大學
2021-04-13
一種實現微型LED顯示
器件
封裝制作方法
本申請涉及一種實現微型LED顯示器件封裝制作方法,通過設計新型的微型LED陣列顯示器件結構,結合電極外引光刻工藝與貼片封裝工藝,以進行微型LED陣列顯示器件與驅動電路板的封裝集成。一方面通過制備電極外引結構,可以增大像素的電極面積,使得貼片鍵合過程更容易操作且精確度更高,有效簡化鍵合的步驟;另一方面結合漏印錫膏技術,將芯片與基板鍵合,減少金線或者合金等物料的使用,并且通過采用芯片高像素密度陣列式制作,提升生產效率,并降低生產成本。
復旦大學
2021-01-12
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