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本發(fā)明屬于薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種制備ZnO/CuInS2核殼結(jié)構(gòu)納米棒薄膜的方法和相關(guān)工藝參數(shù)。該制備方法為媒介模板轉(zhuǎn)換法。首先，采用水熱法，以硝酸鋅(Zn(NO3)2)/六次甲基四胺(HMT)水溶液為生長體系，在ITO導(dǎo)電玻璃上生長ZnO納米棒；然后以硫代乙酰胺(TAA)為反應(yīng)試劑進行水浴，得到ZnO/ZnS核殼結(jié)構(gòu)納米棒薄膜；然后，將所得樣品在硝酸銅(Cu(NO3)2)的三乙二醇(TEG)溶液中靜置一段時間得到ZnO/CuS核殼結(jié)構(gòu)納米棒薄膜媒介模板；最后，將所得樣品放入氯化銦(InCl3

本發(fā)明公開了一種高取向二氧化釩薄膜的液相制備方法，屬于化學(xué)功能材料領(lǐng)域。該制備方法以三異丙醇氧釩為溶質(zhì)制備前驅(qū)液，將所得前驅(qū)液涂于藍寶石襯底制備前驅(qū)物薄膜，最后將前驅(qū)物薄膜置于真空環(huán)境中燒制而成。本發(fā)明在液相法的基礎(chǔ)上，通過控制真空燒結(jié)條件制備二氧化釩薄膜，所獲得的薄膜均具有良好的生長取向，相變溫度為60°C左右，相變前后電阻率的變化在三個量級以上；且制備工藝簡單，適合大范圍推廣。

本發(fā)明公開了一種溶液法熒光粉膠薄膜涂覆方法及其在晶圓級發(fā)光二極管封裝中的應(yīng)用，屬于 LED 封裝領(lǐng)域。其包含：S1 將熒光粉膠涂覆在 LED 晶圓片上；S2 將 LED 晶圓片置于溫度為 50℃～200℃度的溶液中；S3 待熒光粉膠形貌穩(wěn)定后，將 LED 晶圓片從溶液中取出；S3 將 LED 晶圓片置于溫度在 50℃～200℃下加熱，使殘留在 LED晶圓片和熒光粉膠表面上的溶液蒸發(fā)并將熒光粉膠固化；S5 將晶圓片切割成小芯片單元。本發(fā)明方法操作簡單，成本低，可制備厚度極薄且厚度均勻度大于 0.95 的熒光粉膠薄膜，從而提高 LED 的光效、空間顏色均勻性以及產(chǎn)品一致性。該工藝可以廣泛的應(yīng)用于晶圓級發(fā)光二極管封裝中。

電機系李琦副教授、何金良教授等在《自然·通訊》（Nature Communications）期刊上發(fā)表了題為“基于聚合物-分子半導(dǎo)體全有機復(fù)合材料的高溫電容薄膜”（Polymer/molecular semiconductor all-organic composites for high-temperature dielectric energy storage）的研究論文，首次研制出 200 攝氏度高效介電儲能的全有機復(fù)合薄膜。這類全有機復(fù)合介電材料在 200 攝氏度高溫條件下的介電儲能性能不僅遠超過目前最好的高溫聚合物及聚合物納米復(fù)合介電材料，并接近商業(yè)化聚合物電容薄膜室溫下性能；在大幅提升高溫介電儲能特性的同時還實現(xiàn)了大面積、性能均勻的薄膜制備，為實現(xiàn)薄膜電容器在 200 攝氏度嚴酷溫度環(huán)境下應(yīng)用提供了可能。 聚合物薄膜電容器具有介電強度高、能量損耗低以及自愈性好等優(yōu)點，在全球工業(yè)電容器市場占有率超過其它類型電容產(chǎn)品。然而，聚合物介電材料的絕緣性能對溫度極其敏感，在高溫、高電場作用下泄漏電流呈指數(shù)上升、放電效率急劇下降，最終造成電容器過熱損壞。目前主流商業(yè)薄膜電容器僅在 105 攝氏度以下工作，長期工作溫度低于 70 攝氏度。另一方面，隨著電子器件和電力、能源設(shè)備功率不斷增大以及對小型化和緊湊型功率模塊的持續(xù)追求，電子材料的工作溫度要求快速提高，薄膜電容器介電材料已成為高溫電子器件和設(shè)備的技術(shù)瓶頸。 該論文采用了一種與前期方法截然不同的技術(shù)路線——利用有機光伏中電子受體材料的強得電子能力，實現(xiàn)了在高溫聚合物中構(gòu)筑深電荷陷阱。這種有機分子半導(dǎo)體型的電子受體材料具有極高的電子親和能，被廣泛應(yīng)用于有機光伏中激子在異質(zhì)結(jié)界面高效分離。它們可通過其表面靜電勢分布的極不均勻特性，對自由電子產(chǎn)生強束縛作用。通過向耐熱聚合物中摻雜極少量高電子親和能有機分子半導(dǎo)體制備了全有機復(fù)合高溫介電材料。這類材料在 200 攝氏度和 200kV/mm 電場條件下，電阻率比高溫聚合物提升兩個數(shù)量級以上；200 攝氏度、放電效率90%以上的能量密度是目前最好的聚合物高溫介電材料的 2.3 倍。此外，全有機復(fù)合體系解決了傳統(tǒng)有機-無機復(fù)合體系中高表面能粒子分散不均和引入界面缺陷等問題，在薄膜品質(zhì)和規(guī)模化制備等方面具有顯著優(yōu)勢。

本成果通過有機光電器件中有機薄膜的缺陷態(tài)來揭示： 1. 有機半導(dǎo)體薄膜中的缺陷起源； 2. 界面能級排布或者出現(xiàn)的界面能級釘扎的機理； 3. 缺陷態(tài)的存在對器件中載流子傳輸?shù)挠绊懀?4. 使用有效的有機、無機材料摻雜來極大的提高有機半導(dǎo)體薄膜的電導(dǎo)率。從而獲得以有效、簡單的使用方法來提高有機光電器件的性能。

本發(fā)明公開了一種成分連續(xù)漸變的半導(dǎo)體合金薄膜及其制備方法和應(yīng)用，其中該薄膜的特征有：薄膜為三元硫硒化合物合金，硒成分在 X 軸方向能夠連續(xù)漸變，在 Y 軸方向和 Z 軸方向基本不變；該成分連續(xù)漸變的半導(dǎo)體合金薄膜作為良好的光吸收層被用于薄膜太陽能·831·電池陣列和光電探測器。其制備方法包括：(1)選取沉積襯底；(2)準備蒸發(fā)源；(3)制備半導(dǎo)體合金薄膜。本發(fā)明提出的方法能夠在同一條件下沉積成分大范圍連

該成果是一種用熱絲化學(xué)氣相沉積(HWCVD)方法進行低成本的耐高溫二極管制備的技術(shù)，它采用高熔點的鎢或鉭絲作為催化分解熱絲，對通入生長腔體中的氣體進行快速分解，通過控制熱絲溫度、H2稀釋比、襯底溫度和生長氣壓等參數(shù)，可以實現(xiàn)不同導(dǎo)電類型的納米硅薄膜的沉積和相關(guān)二極管的制備，制備的納米硅薄膜大面積均勻，載流子濃度和遷移率可控性好。 該成果主要面向微電子器件制造行業(yè)，如集成電路、大功率器件、特種環(huán)境探測器和傳感器、光伏產(chǎn)業(yè)、發(fā)光器件等相關(guān)領(lǐng)域。 該成果

本實用新型公開了一種采用全固態(tài)薄膜鋰電池的背包內(nèi)嵌儲能裝置無線充電系統(tǒng)，包括發(fā)射單元和 接收單元，發(fā)射單元包括第一 AC-DC 模塊、DC-DC 模塊、高頻逆變模塊、第一控制器、第一檢測電路、 第二檢測電路和發(fā)射機構(gòu)；接收單元包括接收機構(gòu)、第二 AC-DC 模塊、第三檢測電路、第二控制器和 儲能單元，儲能單元為全固態(tài)薄膜鋰離子電池。本實用新型采用磁耦合諧振式無線電能傳輸技術(shù)實現(xiàn)儲 能單元的無線充電，大大地簡化了充電過程，可有效避免因遺忘而未對背

一種在玻璃表面制備納米厚度光交聯(lián)型高分子凝膠薄膜的方法，其步驟是：選取表面光滑的玻璃，在暗室中，將反應(yīng)物溶液涂敷在玻璃的一面；在光源與玻璃之間加透可見光和/或紫外光的濾波片，光源的位置為能滿足光在玻璃上產(chǎn)生全反射的位置，開啟光源2～30分鐘，光從沒有涂敷有反應(yīng)物溶液的表面入射到涂敷有溶液的一面，在反應(yīng)物溶液與玻璃交界面上產(chǎn)生衰減波；衰減波觸發(fā)反應(yīng)物溶液反應(yīng)生成納米厚度的凝膠薄膜；將B步處理后的玻璃用水清除未反應(yīng)完得溶液，即得。它能在玻璃上制備出納米厚度的高分子凝膠薄膜，制得的材料能用于細胞培養(yǎng)中篩選特定直徑范圍的細胞、篩選無極納米顆粒、以及調(diào)節(jié)光學(xué)顯微鏡頭焦距等技術(shù)領(lǐng)域。

本發(fā)明公開了一種制備高溫超導(dǎo)涂層導(dǎo)體La0.7Sr0.3MnO3緩沖層薄膜的方法，屬于高溫超導(dǎo)材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該方法制備的薄膜平整致密，織構(gòu)良好，可以充分發(fā)揮La0.7Sr0.3MnO3作為導(dǎo)電型緩沖層薄膜具有的隔離、外延、電流傳輸?shù)娜毓πА１景l(fā)明包括以下步驟：分析純氧化鑭(La2O3)按陽離子比La∶Sr∶Mn＝0.7∶0.3∶1的比例，溶解于乙酸中(乙酸與陽離子摩爾比為10∶1)。待完全溶解后，將溶液置于紅外干燥箱中，待溶液被烘干成白色固體后取出。將乙酸鍶和乙酸錳按照上述陽離子比La∶Sr∶Mn＝0.7∶0.3∶1的比例與制得的白色固體(即乙酸鑭)混和溶解在丙酸中，形成無水溶液；向無水溶液中加入聚乙烯醇縮丁醛(PVB)，制成成膜性好的膠體；再將膠體涂覆在基片上，干燥后，放入燒結(jié)爐中燒結(jié)成相，即得鑭鍶錳氧La0.7Sr0.3MnO3高溫超導(dǎo)涂層導(dǎo)體緩沖層。該方法成本不高，制作工藝簡單，操作控制容易，不污染環(huán)境。