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本項目提出一種創新的集成電路(IC)制造工藝路線，即壓印光刻(Imprint Lithography－IL)技術，并對該技術相關的壓印和脫模工藝機理、紫外光固化阻蝕膠材料的物化和工藝特性、與IC制造其它工藝的綜合集成和優化、壓印光刻設備的關鍵技術等進行研究和技術開發。其基本原理為：以電子束直寫刻蝕(或其它刻蝕技術)生成IC圖型母板(模具)，以母板(模具)步

本發明公開了一種用于浸沒式光刻的浸液溫控系統，包括：用 于浸液流動的浸液管路，待溫控的浸液通過一管路進口進入該浸液管 路，溫控處理后的具有穩定溫度的浸液通過該浸液管路的出口輸出； 用于對所述浸液進行冷卻的工藝冷卻液回路，工藝冷卻液在該回路中 循環流動；以及多個熱交換器，其沿流向依次布置，所述浸液管路和 工藝冷卻水回路同時流經每個熱交換器，并利用各熱交換器分別依次 完成工藝冷卻液和浸液之間的熱交換，從而通過多次換熱獲得具有穩 定溫度的浸液，實現對浸液的溫度控制。本發明的裝置系統采用內部 回流結構與多級熱交換器相結合，實現對浸液溫度的多級控制，可以 實現浸沒光刻中對浸液穩定的精確穩定的控制，提供溫控效率。 

本發明公開了一種光刻掩模優化設計方法，該方法首先依據表 征掩模的網格格點尺寸大小對掩模進行分級，在粗網格上快速求解掩 模，然后對在粗網格上求解得到的掩模進行插值傳播到下一級較細網 格上進行細化校正，最終實現了掩模的快速優化。 

微納米結構成形是光電子制造中的核心工藝之一。壓印光刻克服了傳統光學光刻中光學衍射效應的限制，是一種經濟、高效、高分辨的結構成形方法。 正在探索的壓印工藝方法包括：UV-NIL、模板電誘導自組裝納米成形、電潤濕驅動納米壓印等。   正在探討壓印光刻的應用領域包括：集成電路(IC)、微機電系統(MEMS)、生物微流控、光波導、光或磁存儲、有機光電子、平板顯示等器件的制造。

研發階段/n1、在該方向發表論文10余篇，Nature子刊，Science子刊各一篇。。2、申報和獲得該方向相關發明專利8項。其中1項授權轉讓給Facebook，Sony和中國一家企業。在華中科技大學申報5項發明專利，依托武漢舒博光電技術有限公司申報2項發明專利。。3、研發出2代超分辨納米光刻樣機。。4、配備光學裝備開發專門團隊，初步建成光學精密制造和檢測平臺。

本發明公開了一種光刻掩模優化設計方法，該方法首先依據表征掩模的網格格點尺寸大小對掩模進行分級，在粗網格上快速求解掩模，然后對在粗網格上求解得到的掩模進行插值傳播到下一級較細網格上進行細化校正，最終實現了掩模的快速優化。

本發明公開了一種用于浸沒式光刻的浸液溫控系統，包括：用于浸液流動的浸液管路，待溫控的浸液通過一管路進口進入該浸液管路，溫控處理后的具有穩定溫度的浸液通過該浸液管路的出口輸出；用于對所述浸液進行冷卻的工藝冷卻液回路，工藝冷卻液在該回路中循環流動；以及多個熱交換器，其沿流向依次布置，所述浸液管路和工藝冷卻水回路同時流經每個熱交換器，并利用各熱交換器分別依次完成工藝冷卻液和浸液之間的熱交換，從而通過多次換熱獲得具有穩定溫度的浸液，實現對浸液的溫度控制。本發明的裝置系統采用內部回流結構與多級熱交換器相結合，

懸賞金額：50萬元 發榜企業：惠州市強達電子工業有限公司 需求領域：特種功能材料 LED前沿與核心技術 精細化工 電子材料、半導體材料高分子、復合材料 產業集群：先進材料產業集群 技術關鍵詞：光刻樹脂; 光刻膠; 特種硅樹脂; 高性能硅橡膠; 紫外光固化技術

1.痛點問題 光刻膠作為集成電路制備中不可或缺的一部分，已成為國家的戰略資源之一。半導體光刻膠的核心在于成膜樹脂，受限于研發難度大、專利壁壘高、資金投入多、準入門檻高，目前國內企業尚難以突破KrF膠（248nm）或ArF膠（193nm），而EUV膠完全不能自主供給。 2.解決方案 本項技術采用了國際最前沿的納米氧化物團簇材料的工藝路線，可以實現單2nm小分子的光刻膠成膜樹脂材料，攻克了材料合成和納米材料提純的難題，可滿足目前半導體3nm制程節點的技術要求，RLS分辨率、邊緣粗糙度、靈敏度三項關鍵性能指標優異，其曝光劑量遠低于Intel公司提出的20mJ/cm2的成本線。此外，本項技術具有多種半導體光刻膠兼容性，可以生產248nm和193nm光源的半導體光刻膠成膜樹脂，以及電子束半導體掩膜用光刻膠成膜樹脂，具有廣闊的技術替代優勢和市場應用前景。 3.合作需求 本項技術已設立衍生企業，位于江蘇常州的3000m2研發生產中心正在建設中。 1）融資需求：本輪天使輪融資6000萬元。 2）資源對接需求：集成電路芯片制造、掩膜板生產企業，地方政府等。

目前半導體光刻加工用的深紫外光刻膠都采用化學增幅體系，這種體系主要由含酸敏基團的成膜材料和光產酸劑組成，這種體系最大的問題是光產酸在后烘階段會發生酸遷移，導致光刻分辨率難以提高。能夠有效改善酸遷移問題的一種方法是采用高分子光產酸劑，且其光產酸是高分子強酸。 課題組研制了一系列新穎的含多種鎓鹽光產酸基團的苯乙烯衍生物及其與甲基丙烯酸酯的共聚物。它們在曝光過程中產生大分子的磺酸，因此可作為大分子光產酸劑與其它成膜材料一起組成化學增幅型光致抗蝕劑。 以之為產酸劑與其它部分保護的對羥基苯乙烯聚合物一起組成二組分的化學增幅型248-nm光刻膠， 制備了苯乙烯磺酸鎓鹽和甲基丙烯酸酯、對羥基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保護部分酚羥基，由其組成了單組分的化學增幅型248-nm光刻膠，這些正型248-nm光刻膠獲得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及圖形線條平滑陡直等的出色表現。  利用高分子產酸劑透明性好的特點，還制備了厚膜248-nm光刻膠，可獲得線寬0.34微米、高-寬比可達5：1的光刻圖形：  在此基礎上，還制備了負型248-nm光刻膠，這些光刻膠也都獲得了很好的光刻成像性能表現。這些高分子光產酸劑也可用于制備新型的高性能193-nm光刻膠。 這些248-nm光刻膠的主要組分除了溶劑外都是自行制備，原料易得，反應條件溫和可控，去金屬雜質的方法也是簡便易行，成本相對低廉，在經過多年的深入研究之后，完全具備了產業化的條件。 半導體加工的關鍵設備、材料主要掌握在美、日手中，對我國電子工業的平穩發展帶來困難和潛在的巨大威脅。其中光刻膠作為芯片光刻加工的關鍵材料，日本公司的產品占據全球市場的70%以上，而我國在中高端產品上（248-nm光刻膠、193-nm光刻膠）完全依賴進口，即便是低端的i-線光刻膠國產化率也只有20%左右。因此，我們必須盡快扭轉這種不利的局面，這需要科研工作者和產業界共同努力以及政府的大力支持。     近年來光刻膠引起了社會的廣泛關注，已有多家企業開始投身于248-nm光刻膠與193-nm光刻膠的研發與產業化，但絕大部分仍處于研發階段。我們研制的光刻膠具備了產業化的技術條件并具有與國外先進光刻膠產品競爭的產品性能。    半導體加工用光刻膠種類較多，本課題組從2002年參與國家十五“863”光刻膠重大專項開始，至今近二十年來聚焦于光刻膠研究，在i-線膠、248-nm光刻膠、聚酰亞胺光刻膠、厚膜光刻膠及抗反射涂層材料等方面都取得了很好的結果，也在致力于這些光刻膠產品的產業化。 相關項目、專利及文章： 1.國家重大科技專項（02專項）子課題,課題編號:2010ZX02303（深紫外光刻膠專用光致產酸劑及新型成膜樹脂的擴試技術研究） 2.國家自然科學基金應急管理項目，51641301, 含光產酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其組成的化學增幅光致抗蝕劑研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光產酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制備及其應用，中國發明專利，專利號：9。