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本發(fā)明公開了一種基于改進麻雀優(yōu)化算法的光伏電池模型參數(shù)辨識方法，具體步驟如下：1)獲取光伏電池的實測電流和實測電壓；2)建立光伏電池模型，并將模型估計輸出與實際輸出的均方根誤差作為目標函數(shù)；3)將levy飛行和螺旋搜索機制融入到標準的麻雀優(yōu)化算法中，形成改進的麻雀優(yōu)化算法；4)使用改進的麻雀優(yōu)化算法最小化目標函數(shù)，對光伏電池模型的未知參數(shù)進行辨識，獲取最佳參數(shù)并建立數(shù)學模型；5)基于獲取的最佳參數(shù)及模型進行外電路i?v特性預測；本發(fā)明具有快速收斂、能夠有效避免陷入局部最優(yōu)解以及較高搜索精度的特點，能夠顯著提高對光伏電池模型參數(shù)辨識的準確性。

在這種獨特的vdW p?g?n結(jié)中，互補帶隙的MoTe2和SnS2、石墨烯夾層、結(jié)內(nèi)形成的垂直內(nèi)置電場的組合為增強的寬帶光吸收、高效的激子分離和載流子轉(zhuǎn)移提供了無可比擬的優(yōu)勢。研究發(fā)現(xiàn)，石墨烯夾層在增強探測率和拓寬光譜范圍方面起到關(guān)鍵作用(圖2e)。優(yōu)化的器件(包含5?7層石墨烯夾層)在紫外?可見?近紅外光譜中顯示出超過2600 A/W的光響應(yīng)度(圖2b)、快的光響應(yīng)速度(圖2c)、高達1013 Jones的比探測率 (圖2d)。特別是在1550 nm短波紅外激發(fā)下，其比探測率也高達1.06×1011 Jones，可媲美商業(yè)的短波紅外探測器(譬如非??制冷的Ge-on-Si光電探測器)。 這些研究結(jié)果為寬帶的超高性能光電探測器提供了切實可行的思路，且本研究成果在目前寬光譜光電探測器件方面以及未來的柔性的光電子與智能傳感器件方面具有極大的應(yīng)用潛力。

310mm×250mm×280mm，偏振片一對，不同部位用不同的層數(shù)，顯示不同的彩色。

本發(fā)明公開了一種高性能光譜選擇性吸波元件及太陽能熱光伏系統(tǒng)，包括金屬基底、低折射率介質(zhì)第一薄膜、高折射率半導體納米方塊陣列、低折射率介質(zhì)第二薄膜和低折射率介質(zhì)第三薄膜；低折射率介質(zhì)第一薄膜均勻覆蓋在金屬基底上，其上構(gòu)建棋盤狀周期排列的高折射率半導體納米方塊陣列，在高折射率半導體納米方塊陣列之間填充低折射率介質(zhì)第二薄膜，在其頂部覆蓋低折射率介質(zhì)第三薄膜。本發(fā)明通過對金屬表面介質(zhì)薄膜的結(jié)構(gòu)設(shè)計，獲得良好的光譜選擇性；通過選擇不同的金屬、半導體、介質(zhì)材料，和（或）改變結(jié)構(gòu)參數(shù)，實現(xiàn)靈活的截止波長調(diào)控及光譜選擇性；本發(fā)明同樣適用于耐高溫的金屬、半導體、介質(zhì)材料，可在太陽能熱光伏系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。

擁有人工微結(jié)構(gòu)科學與技術(shù)協(xié)同創(chuàng)新中心、固體微結(jié)構(gòu)物理國家重點實驗室、半導體節(jié)能器件及材料國家地方聯(lián)合工程中心以及江蘇省光電信息功能材料重點實驗室等科研平臺，在硅基納米結(jié)構(gòu)材料與性能調(diào)控，硅基光子學器件和新型能源器件等基礎(chǔ)研究領(lǐng)域具有很強的影響力。近年來，在硅基太陽能電池片研發(fā)及其新型結(jié)構(gòu)材料在電池片上應(yīng)用等方面開展了全方位的研究，承擔完成了國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃課題和國家自然科學基金重點項目等相關(guān)課題的研究。提出了漸變帶隙的納米硅量子點電池結(jié)構(gòu)，利用漸變帶隙進一步拓寬電池的響應(yīng)光譜范圍，發(fā)展了包

本發(fā)明涉及一種基于光伏預測誤差模糊性的電力系統(tǒng)調(diào)度方法。步驟：本發(fā)明將獲取光伏預測出力 和實測出力的歷史統(tǒng)計數(shù)據(jù)，及氣象預測信息，估計未來一天光伏預測誤差的概率分布參數(shù)。針對光伏 預測誤差的不確定性，引入模糊理論，并利用信息熵轉(zhuǎn)換法將光伏預測誤差隨機變量轉(zhuǎn)換為光伏預測誤 差模糊變量。根據(jù)光伏功率短期預測的結(jié)果，并考慮光伏預測誤差的模糊性，建立含光伏發(fā)電的模糊機 會約束調(diào)度模型。將所建立的模型中含有模糊變量的約束條件轉(zhuǎn)化為清晰等價類。最后利用 C

近年來,半導體光源正以新型固體光源的角色逐步進入照明領(lǐng)域。由于半導體照明具有高效、節(jié)能、環(huán)保、使用壽命長、響應(yīng)速度快、耐振動、易維護等顯著優(yōu)點,所以在國際上被公認為最有可能進入通用照明領(lǐng)域的新型固態(tài)冷光源。隨著其價格的不斷降低,發(fā)光亮度的不斷提高,半導體光源在照明領(lǐng)域中展現(xiàn)了廣泛的應(yīng)用前景。業(yè)界普遍認為,半導體燈取代傳統(tǒng)的白熾燈和熒光燈,是大勢所趨。而半導體發(fā)光二極管（Light Emitting Diode , 簡稱LED）被認為是最有可能進入普通照明領(lǐng)域的一種綠色照明光源，按固體發(fā)光物理學原理,LED發(fā)光效率能近似100 % ,并具有工作電壓低、耗電量小、發(fā)光效率高、響應(yīng)時間極短、光色純、抗沖擊、性能穩(wěn)定可靠及成本低等優(yōu)點,因此被譽為21 世紀新光源,有望成為繼白熾燈、熒光燈、高強度氣體放電燈之后的第四代光源。雖然LED具有以上的很多優(yōu)點，但是發(fā)光效率和使用壽命仍是制約其普及應(yīng)用的主要因素。 目前國內(nèi)大多致力于LED外部封裝結(jié)構(gòu)的研究，而公司里多采用進口芯片，如cree芯片，再在現(xiàn)有基礎(chǔ)上進行外部封裝結(jié)構(gòu)和設(shè)計。而即便是散熱好，壽命長，取光效率比較好的封裝結(jié)構(gòu)，國內(nèi)所能達到的水平也就是剛剛超出100lm/w。主要原因在于其封裝材料的選擇和封裝結(jié)構(gòu)的不合理性，浪費了芯片的出射光，從而降低了取光效率。而國外LED不僅在外部封裝結(jié)構(gòu)，而且在芯片方向都明顯優(yōu)于國內(nèi)水平，所以基本壟斷國內(nèi)LED的市場，尤其對于功率型白光LED的壟斷相當嚴重。而這些高亮度半導體LED芯片生產(chǎn)技術(shù)掌握在以美國Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及歐洲的Osram等為首的少數(shù)大公司手中。 現(xiàn)在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能夠取代白熾燈和熒光燈進入通用照明市場,其光效需要達到150lm/ W。這一方面要求在芯片的制作上不斷提高LED 的量子效率,同時還要求在LED 的封裝及燈具的設(shè)計制作過程中盡可能提高出光效率。現(xiàn)有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率較高，LED發(fā)出的光在出射芯片的時候，有相當一部分光被芯片與外界（環(huán)氧樹脂）的界面反射。本產(chǎn)品是通過特殊鍍膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用壽命，達到2萬小時以上，而且可以使發(fā)光效率達到120lm/w到160lm/w。擁有這樣長壽命和高出光效率的白光LED，必將引領(lǐng)整個照明市場，必將產(chǎn)生豐厚的利潤，具有非常好的發(fā)展前景。

近日，東南大學化學化工學院青年教師陳旭漫博士在國際頂級期刊《Angewandte Chemie（德國應(yīng)用化學）》上發(fā)表題為“Efficient Near-Infrared Emissive Artificial Supramolecular Light-Harvesting System for Imaging in Golgi Apparatus”的學術(shù)論文。 光捕獲過程作為將自然光進行捕獲、能量轉(zhuǎn)化并利用的步驟，是植物光合作用中第一個也是十分重要的過程。構(gòu)筑人工光捕獲體系對于光能的利用具有重要意義，但目前構(gòu)筑具有高效人工光捕獲體系仍存在很大挑戰(zhàn)。 東南大學研究團隊利用“杯芳烴誘導聚集”策略，設(shè)計合成兩親磺化杯芳烴和陽離子型萘基吡啶衍生物作為熒光給體在水溶液中自組裝，并引入尼羅藍作為熒光受體分子，成功構(gòu)筑了近紅外發(fā)射的超分子人工光捕獲體系。 通過進一步研究，團隊發(fā)現(xiàn)該體系在細胞內(nèi)依然保持很高的光捕獲效率和高度穩(wěn)定性，同時證明了其對高爾基體染色的選擇性。該研究對于人工超分子光捕獲體系傳感、成像、診斷等方面的研究有著重要的推動作用。論文第一作者為東南大學化學化工學院青年教師陳旭漫，東南大學為第一通訊單位。